cF4とは 意味・読み方・使い方

ETCHING PROCESS USING C4F8 FOR SILICON DIOXIDE AND CF4 FOR TITANIUM NITRIDE例文帳に追加

二酸化シリコンに対してＣ４Ｆ８及び窒化チタンに対してＣＦ４を用いるエッチング工程 - 特許庁

Gaseous F2 containing CF4 is cooled and liquefied and the gaseous F2 is selectively vaporized.例文帳に追加

ＣＦ_4を含有するＦ_2ガスを冷却し液化させた後、Ｆ_2ガスを選択的に気化させる。 - 特許庁

Objective gas to be treated is a gas containing hardly decomposable fluorine compounds such as CF4, C2F6, NF3 and SF6.例文帳に追加

処理対象ガスとしては、ＣＦ_4 、Ｃ_2Ｆ_6 、ＮＦ_3 、ＳＦ_6 等の難分解性フッ素化合物を含有するガス。 - 特許庁

Gases of O2, Ar, HCl, CF4, CHF3 and SF6 can be used for treatment.例文帳に追加

処理ガスとしては、Ｏ_2ガス、Ａｒガス、ＨＣｌガス、ＣＦ_4ガス、ＣＨＦ_3ガス、ＳＦ_6ガスを用いることができる。 - 特許庁

Next, Au is etched by Ar gas and Ti is etched by CF4 gas.例文帳に追加

次に、Ａｒガスを用いてＡｕを、ＣＦ４ ガスを用いてＴｉをエッチングする。 - 特許庁

Then, a resist is formed on the region where the TFT1 is present, and subjected to reactive ion etching using a mixture gas of CF4 gas and oxygen gas (with 10% volume concn. of CF4).例文帳に追加

次いで、ＴＦＴ１の個所にレジストを形成して、ＣＦ_４ガスと酸素ガスと混合ガス（ＣＦ_４の体積濃度１０％）を用いて、反応性イオンエッチングを行う。 - 特許庁

Then, the silicon wafer W is moved away from the nozzle part 20 and O2 gas and CF4 gas are supplied to the alumina discharge tube 2.例文帳に追加

次いで、シリコンウエハＷをノズル部２０から遠避け、Ｏ2ガス，ＣＦ4ガスをアルミナ放電管２に供給する。 - 特許庁

Otherwise, if (flow of N2/flow of CF4) is larger than 4, it will cause bowing, and the etching form will be disagreeable.例文帳に追加

また，（Ｎ_２の流量／ＣＦ_４の流量）が４より大きいと，ボーイングが生じるなど，エッチング形状が良くない。 - 特許庁