「cF4」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The mixed gas of carbon tetrafluoride (CF4) and oxygen (O2) is used as gas species.例文帳に追加

ガス種として四弗化炭素（ＣＦ_4）および酸素（Ｏ_2）の混合ガスを用いる。 - 特許庁

Thereby, CF4 and NF3 in the PFC gas can be separated.例文帳に追加

これによって、ＰＦＣガス中のＣＦ４，ＮＦ３を分離することができる。 - 特許庁

Next, Au is etched by Ar gas and Ti is etched by CF4 gas.例文帳に追加

次に、Ａｒガスを用いてＡｕを、ＣＦ４ ガスを用いてＴｉをエッチングする。 - 特許庁

Then, a resist is formed on the region where the TFT1 is present, and subjected to reactive ion etching using a mixture gas of CF4 gas and oxygen gas (with 10% volume concn. of CF4).例文帳に追加

次いで、ＴＦＴ１の個所にレジストを形成して、ＣＦ_４ガスと酸素ガスと混合ガス（ＣＦ_４の体積濃度１０％）を用いて、反応性イオンエッチングを行う。 - 特許庁

Gaseous F2 containing CF4 is cooled and liquefied and the gaseous F2 is selectively vaporized.例文帳に追加

ＣＦ_4を含有するＦ_2ガスを冷却し液化させた後、Ｆ_2ガスを選択的に気化させる。 - 特許庁

ETCHING PROCESS USING C4F8 FOR SILICON DIOXIDE AND CF4 FOR TITANIUM NITRIDE例文帳に追加

二酸化シリコンに対してＣ４Ｆ８及び窒化チタンに対してＣＦ４を用いるエッチング工程 - 特許庁

If (flow of N2/flow of CF4) is less than 1, it will cause etching stop, and deep etching will be unable.例文帳に追加

（Ｎ_２の流量／ＣＦ_４の流量）が１未満であると，エッチングストップを起こし，深くエッチングできない。 - 特許庁

Objective gas to be treated is a gas containing hardly decomposable fluorine compounds such as CF4, C2F6, NF3 and SF6.例文帳に追加

処理対象ガスとしては、ＣＦ_4 、Ｃ_2Ｆ_6 、ＮＦ_3 、ＳＦ_6 等の難分解性フッ素化合物を含有するガス。 - 特許庁

Gases of O2, Ar, HCl, CF4, CHF3 and SF6 can be used for treatment.例文帳に追加

処理ガスとしては、Ｏ_2ガス、Ａｒガス、ＨＣｌガス、ＣＦ_4ガス、ＣＨＦ_3ガス、ＳＦ_6ガスを用いることができる。 - 特許庁

With the pattern as a mask, reactive ion etching is conducted with a mixed gas of CF4/O2 for etching the SiO2.例文帳に追加

このパターンをマスクにＣＦ_4／Ｏ_2の混合ガスで反応性イオンエッチングを行いＳｉＯ_2をエッチングする。 - 特許庁

Otherwise, if (flow of N2/flow of CF4) is larger than 4, it will cause bowing, and the etching form will be disagreeable.例文帳に追加

また，（Ｎ_２の流量／ＣＦ_４の流量）が４より大きいと，ボーイングが生じるなど，エッチング形状が良くない。 - 特許庁

Then, the silicon wafer W is moved away from the nozzle part 20 and O2 gas and CF4 gas are supplied to the alumina discharge tube 2.例文帳に追加

次いで、シリコンウエハＷをノズル部２０から遠避け、Ｏ2ガス，ＣＦ4ガスをアルミナ放電管２に供給する。 - 特許庁

Cl2, Ar and CF4, and an AlCu film 14 and a Ti/TiN film 13 are etched through a mask using the resist film by RIE(reactive ion etching).例文帳に追加

次に、前記レジスト膜をマスクとして、ＡｌＣｕ膜１４、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１３がＲＩＥによりエッチングされる。 - 特許庁

The SiN film 3 is selectively etched through a plasma etching method where CF4 gas and O2 gas are used, by which the film 3 is made to recede from the edge of the trench 5.例文帳に追加

ＣＦ_4 ガスとＯ_2 ガスとを用いたプラズマエッチング法によりＳｉＮ膜３を選択的にエッチングし、トレンチ５の外側に後退させる。 - 特許庁

The substrate is cleaningly etched, using a plasma of a mixture gas of CF4 and O2 to remove organic layers 30 deposited at the bottoms of the holes 20 and 22.例文帳に追加

ＣＦ_4とＯ_2の混合ガスのプラズマを用いて、コンタクトホール２０，２２の底部に堆積する有機層３０を除去するクリーニングエッチングを行う。 - 特許庁

The discharge unit 18 generates gas discharge to cause reaction of CF4 and vapor, and a reactive fluorine gas is produced such as HF and COF2.例文帳に追加

放電ユニット１８は、気体放電を発生させてＣＦ_4 と水蒸気とを反応させ、ＨＦ、ＣＯＦ_２ などの反応性のフッ素系ガスを生成する。 - 特許庁

To provide a substrate processor having an exhaust gas processor capable of processing at high efficiency an F system gas, in particular, a stable gas such as CF4, C2F6, or the like.例文帳に追加

Ｆ系ガス、特にＣＦ_4やＣ_2Ｆ_6等の安定なガスをも高効率で処理することができる排ガス処理装置を有する基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

A discharge unit 20 generates active seeds, such as HF through the reaction of CF4 from a raw material gas source 26 and steam from a water- bubbling unit 30.例文帳に追加

放電ユニット２０は、原料ガス源２６からのＣＦ_4 と、水バブリングユニット３０からの水蒸気を反応させてＨＦなどの活性種を生成する。 - 特許庁

The surface 8 of the body 5 to be treated is simultaneously subjected to Ar plasma etching and CF4 plasma modification in a common vacuum chamber 1.例文帳に追加

被処理体５の表面８に対し、Ａｒプラズマエッチングと、ＣＦ_4プラズマ改質とを共通の真空チャンバー１内で同時に行なうことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thermal decomposition type waste gas treating device capable of efficiently treating even stable gas such as gaseous fluorocarbon, especially CF4, C2F6, etc.例文帳に追加

Ｆ系ガス、特にＣＦ_4やＣ_2Ｆ_6等の安定なガスをも高効率で処理することができる加熱分解式の排ガス処理装置を提供すること。 - 特許庁

By separately concentrating CF4 and NF3 obtained by the chromatographic separation, these gases can be obtained in high concentration to be reutilized in the manufacturing process 10.例文帳に追加

そして、クロマト分離して得たＣＦ４，ＮＦ３を別々に濃縮することで、高濃度のこれらガスを得て製造工程１０において再利用できる。 - 特許庁

Then, a silicon mask 50a and the DLC film 42 are simultaneously etched through reactive ion etching (RIE), by using the mixed gas of tetrafluorocarbon (CF4) and oxygen.例文帳に追加

次に、テトラフルオロカーボン（ＣＦ_４）と酸素との混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、シリコンマスク５０ａとＤＬＣ膜４２とを同時にエッチングする。 - 特許庁

At dry etching of a silicon nitride film deposited on copper using a mixture gas containing a fluorocarbon based gas and an inert gas as a reaction gas, the fluorocarbon based gas contains CF4 and CHF3 at a flow rate ratio of 3:7 to 0:1 or CF4 and CH2F2 at a flow rate ratio of 2.5:1 to 0:1.例文帳に追加

銅の上に配されたシリコン窒化膜をフルオロカーボン系ガス及び不活性ガスとを含む混合ガスを反応ガスとしてドライエッチングするに際し、フルオロカーボン系ガスがＣＦ_4とＣＨＦ_3とを３：７〜０：１の流量比、或いはＣＦ_4とＣＨ_2Ｆ_2とを２．５：１〜０：１の流量比で含むことを特徴とする。 - 特許庁

A discharge unit 210 of the fluoriding treating device 200 allows CF4 and water to be reacted with by discharge to produce HF and fluorides the electrode material 106 in the fluoriding treating chamber 222.例文帳に追加

フッ化処理装置２００の放電ユニット２１０は、放電によりＣＦ_４ と水とを反応させてＨＦを生成し、フッ化処理室２２２の電極材１０６をフッ化する。 - 特許庁

The plasma gas preferably contains hydrogen or hydrogen-helium mixture or a perfluorocarbon-helium mixture, such as NF3-helium, CF4-helium, SF6-helium, etc.例文帳に追加

プラズマガスは、水素を含むか、あるいは水素／ヘリウム混合物、あるいはＮＦ_3／ヘリウム、ＣＦ_4／ヘリウム、ＳＦ_6／ヘリウムなどのような過フッ化炭化水素／ヘリウム混合物を含むことが望ましい。 - 特許庁

Then, when the interior of the vacuum vessel 14 comes to a prescribed vacuum level, a gas inlet valve 17 is opened to introduce CF4 gas into the vacuum vessel 14 for etching.例文帳に追加

そして、真空槽１４内が所定の真空度になったところでガス導入バルブ１７を開けてＣＦ_4ガスを真空槽１４内に導入してエッチングを行なう。 - 特許庁

After the element section is formed on the resist base section, the resist base section is removed by ashing, thus composing a suspension type element without etching the substrate by CF4, or the like.例文帳に追加

素子部をレジスト台部上に形成した後、レジスト台部をアッシングにより除去し、基板をＣＦ４等によりエッチングすることなく、懸架型素子を構成することができる。 - 特許庁

The method further comprises the steps of burying the metal plug in the port, then dry etching exposed surfaces of the fifth interlayer dielectric and the plug with an atmosphere containing a CF4 and executing etching back.例文帳に追加

接続口に金属プラグを埋め込んだ後、第５の層間絶縁膜と金属プラグの露出表面をＣＦ4ガスを含む雰囲気でドライエッチングを行い、エッチバックを実施する。 - 特許庁

Exhaust gas containing PFC gas, which contains CF4 and NF3, generated from a manufacturing process 10 is once adsorbed in an adsorbing device 18 and, thereafter, nitrogen is used as purge gas to desorb the adsorbed gas.例文帳に追加

製造工程１０から生じるＣＦ４、ＮＦ３を含むＰＦＣガスを含有する排ガスを吸着装置１８で一旦吸着した後、窒素をパージガスとして脱離させる。 - 特許庁

A laminated material formed of the substrate 1 and the film 2 after an irradiation treatment is provided in a vacuum chamber, CF4 gas is introduced in the chamber and desired high-frequency power is applied to the gas to make a plasma produce.例文帳に追加

照射処理後のガラス基板１／ＩＴＯ膜２積層体を、真空チャンバ内に設置し、真空チャンバ内にＣＦ_4 ガスを導入し、所望の高周波電力を印加してプラズマを生成させる。 - 特許庁

Using a mixed gas comprising CF4, O2, and Cl2 in an etching chamber 2, a semiconductor substrate 3 where a metal film is formed is etched in a high-temperature process at 100-200°C.例文帳に追加

エッチング室２内においてＣＦ_4 、Ｏ_2 及びＣｌ_2 から構成された混合ガスを用い、金属膜が形成されている半導体基板３のエッチング時の温度を１００〜２００℃の高温プロセスでエッチングする。 - 特許庁

In addition, the protective films 8 maintain the shape of the film 10 at the time of removing etching residues 9 by performing plasma etching using a mixed gas of CF4 gas and O2 gas after the silicon area 6B is etched.例文帳に追加

次に、シリコン領域６Ｂをエッチングした後、ＣＦ__4ガスとＯ_2ガスとの混合ガスを用いたプラズマエッチングにより残渣９を除去するとき、側壁保護膜８によりシリコン薄膜１０の形状を保つ。 - 特許庁

The discharge unit 12 generates a reactive fluorine gas by allowing CF4 containing moisture to react with moisture by gaseous discharge in a first water bubbling unit 22, and sends the generated gas into a halogen supply pipe 28.例文帳に追加

放電ユニット１２は、第１水バブリングユニット２２において水分を含ませたＣＦ_4 を、気体放電によって水分と反応させて反応性フッ素系ガスを生成してハロゲン供給管２８に送り出す。 - 特許庁

At this time, a CF4 plasma treatment to give the second bank B2 a liquid repellent is carried out before the functional droplet containing the hole-transporting organic material and the functional droplet containing the luminescent organic material are discharged on the concave portion 9.例文帳に追加

このとき、正孔輸送有機材料を含む機能液滴及び発光有機材料を含む機能液滴を凹部９に吐出する前に、第２バンクＢ２に撥液性を付与するためのＣＦ４プラズマ処理を行う。 - 特許庁

In the dry etching system 10, a chamber 12 for containing an Si wafer W is coupled with supply sources 32, 38, 40 and 42 of SF6 gas, N2 gas, CF4 gas and O2 gas through a gas mixing chamber 30.例文帳に追加

ドライエッチング装置１０は、ＳｉウェハＷが収容されるチャンバ１２に、ガス混合室３０を介して、それぞれＳＦ_6ガス、Ｎ_2ガス、ＣＦ_4ガス及びＯ_2ガスの供給源３２，３８，４０，４２が接続されたものである。 - 特許庁

The fitting state detection circuit 14 detects the state of continuity between male connector terminals CM2, CM4 of the control device 10 and female connector terminals CF2, CF4 of the connector 20, and thereby detects the state of fitting between the control device 10 and the connector 20.例文帳に追加

勘合状態検出回路１４は、制御装置１０の雄コネクタ端子ＣＭ２，ＣＭ４と、コネクタ２０の雌コネクタ端子ＣＦ２，ＣＦ４との導通状態を検出して、コネクタとの勘合状態を検出する。 - 特許庁

Then, the photoresist film 46 and a apart covering the projecting part 42a in the silicon film are etched simultaneously by RIE, using a mixed gas of tetrafluorocarbon (CF4) and oxygen, which has a prescribed mix rate.例文帳に追加

次に、所定の混合比率を有するテトラフルオロカーボン（ＣＦ_４）と酸素の混合ガスを用いたＲＩＥにより、フォトレジスト膜４６、及び、シリコン膜４４の内、凸部４２ａを覆う部分のみを同時にエッチングする。 - 特許庁

In a method for etching a gallium nitride compound semiconductor by using a plasma etching device, etching gas including CF4 and SiCl4 is introduced to the plasma etching device and the controllability of the etching rate is improved.例文帳に追加

プラズマエッチング装置を用い、窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングする方法において、前記プラズマエッチング装置にＣＦ_4とＳｉＣｌ_4を含むエッチングガスとＯ_2ガスを導入して、エッチングレートの制御性を高める。 - 特許庁

An electric discharge unit of an etching device 10 decomposes CF4 supplied in an atmospheric pressure state through electrical discharging to form a hydrofluoric acid mono-atoms, and a process gas containing the hydrofluoric acid mono-atoms is supplied to a process chamber 24 where silicon wafers 26 are placed.例文帳に追加

エッチング装置10の放電ユニットは、大気圧状態で供給されたＣＦ_４ を放電によって分解してフッ素単原子を生成し、フッ素単原子を含む処理ガスをシリコンウエハ26が配置された処理室24に供給する。 - 特許庁

To provide a method and a plant for removing gaseous fluorocompounds or fluorosulfides, e.g. CF4, C2F6 and SF6, existing in a flow of xenon and/or krypton by transmission through one or more polymer film.例文帳に追加

本発明は、ポリマー膜のような１以上の膜により透過によりキセノンおよび／またはクリプトンの流れの中に存在するＣＦ_4 、Ｃ_2 Ｆ_6 およびＳＦ_6 のような気体状フルオロ化合物またはフルオロ硫化化合物を除去するための方法およびプラントに関する。 - 特許庁

For etching a silicon nitride film 37/underlay silicon oxide film 36 to form a pattern of a trench mask, rf power is set to a level higher than that for the normal anisotropic etching or the flow rate ratio (CF4/CHF3) of the etching gas is set to a lower value so as to form a tapered pattern, thereby narrowing the trimmed pattern.例文帳に追加

トレンチマスクとなるシリコン窒化膜３７／下敷きシリコン酸化膜３６のパターニング時のエッチングの際、通常の異方性エッチング時よりもＲＦパワーを高くする、あるいはエッチングガスの流量比（ＣＦ_4／ＣＨＦ_3）を低くすることで、パターンをテーパ形状に形成して抜きパターンを狭くする。 - 特許庁

An upper end side of a series circuit in which a plurality of ferroelectric capacitors CF1, CF2, CF3, CF4 are connected in series is connected to a set line SET side to which read-out voltage is applied, and a lower end side of the series circuit is connected to a read-out transistor Q6.例文帳に追加

複数個の強誘電体キャパシタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３、ＣＦ４が直列に接続されてなる直列回路の上端側は、読み出し電圧が印加されるセット線ＳＥＴ側に接続され、直列回路の下端側は読み出しトランジスタＱ６に接続されている。 - 特許庁

A mixed gas, of CF4 and O2 fed from a gas-feeding part 3 to an alumina discharge tube 2 is discharged using plasma in a plasma generating part 1 to produce an F radical R and the F radical R, is jetted from a nozzle part 20 to a silicon wafer W on a chuck 93, whereby the wafer W is subjected to local etching.例文帳に追加

ガス供給部３からアルミナ放電管２に供給されたＣＦ4とＯ2との混合ガスをプラズマ発生部１でプラズマ放電してＦラジカルＲを生成し、ＦラジカルＲをノズル部２０からチャック９３上のシリコンウエハＷに噴射することより、シリコンウエハＷを局所エッチングする。 - 特許庁

A site exposed to a fluorine based corrosive gas such as CF4 and SF6 or its plasma is constituted of a sintered body of the element of group IIIa ion the periodic table such as Y, La, Ce, Nd and Dy and the multiple oxide containing Si (not containing Al), for example, disilicate and monosilicate.例文帳に追加

ＣＦ_4やＳＦ_6などのフッ素系腐食ガス或いはそのプラズマに曝される部位を、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｄｙなどの周期律表第３ａ族元素と、Ｓｉを含む複合酸化物（但しＡｌを含まず）、例えば、ダイシリケート、モノシリケートなどの焼結体などにより構成する。 - 特許庁

In an etching method for a film being the target of etching made on a substrate arranged within a processing chamber, the processing gas introduced into an air-tight processing chamber 104 consists of CF4, N2, and Ar, and the film being the target of etching consists of an upper organic polysiloxane film and a lower organic SiO2 film.例文帳に追加

気密な処理室１０４内に処理ガスを導入し，処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対するエッチング方法において，処理ガスはＣＦ_４とＮ_２とＡｒとからなり，エッチング対象膜は，上層の有機ポリシロキサン膜及び下層の無機ＳｉＯ_２膜からなる。 - 特許庁