意味 | 例文 (153件) |
channel maskとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 チャネルマスク
「channel mask」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 153件
When a channel protection film 25 is dry-etched with a resist mask 26 as a mask, the channel protection film 25 remains only under the resist mark 26.例文帳に追加
レジストマスク26をマスクとしてチャネル保護膜25をドライエッチングすると、レジストマスク26下にのみチャネル保護膜25が残存される。 - 特許庁
The mask is provided with the half-exposure mask structure of a channel region, a drain electrode mask structure and a source electrode mask structure, and the half-exposure mask structure of the channel region is further provided with the outer periphery half-exposure mask structure of the channel region extended from a part corresponding to the channel region of the thin film transistor and positioned on the outer side of the part.例文帳に追加
該マスクは、チャンネル領域の半露光マスク構造と、ドレイン電極マスク構造と、ソース電極マスク構造とを備え、前記チャンネル領域の半露光マスク構造は更に、該薄膜トランジスタのチャンネル領域に対応する部分から延在し、且つ該部分の外側に位置するチャンネル領域の外周半露光マスク構造を有する。 - 特許庁
Moreover, the gate electrodes of a P-channel MOSFET and an N-channel MOSFET are formed, by using the source/drain forming mask of the P-channel MOSFET and the source/drain forming mask of the N-channel MOSFET respectively.例文帳に追加
さらに、Pチャネル型MOSFETとNチャネル型MOSFETのゲート電極を、PチャネルMOSFETのソースドレイン形成マスク、NチャネルMOSFETのソースドレイン形成マスクを用いて形成している。 - 特許庁
This gray scale mask includes a source electrode mask region, a drain electrode mask region and a channel mask region between the source electrode mask region and the drain electrode mask region, wherein a plurality of shielding bars are uniformly installed vertically to the center line of the channel region in the channel region.例文帳に追加
該グレースケールマスクは、ソース電極マスク領域と、ドレイン電極マスク領域と、前記ソース電極マスク領域と前記ドレイン電極マスク領域との間のチャンネルマスク領域と、を備え、前記チャンネル領域内に、前記チャンネル領域の中心線とは垂直するように複数の遮光バーが均一に設置される。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT USING MASK PATTERN FOR CHANNEL ION IMPLANTATION例文帳に追加
チャンネルイオン注入用のマスクパターンを用いた半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁
The resist mask suppresses unwanted impurities such as hydrogen from infiltrating into the channel.例文帳に追加
レジストマスクが水素などの不要不純物のチャネルへの侵入を抑える。 - 特許庁
A photoresist 31 for forming the channel 22 is used also as a mask against anode oxidation.例文帳に追加
また、流路22を形成するためのフォトレジスト31はそのまま陽極酸化用マスクとして用いる。 - 特許庁
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「channel mask」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 153件
DEEP DIVOT MASK FOR IMPROVING PERFORMANCE AND RELIABILITY OF BURIED CHANNEL PFET例文帳に追加
埋込みチャネルPFETの性能および信頼性を向上させるためのディープ・ディボット・マスク - 特許庁
Subsequently, only a part for forming the channel side wall 9 is exposed using a mask 101.例文帳に追加
次いで、マスク101を用い、流路側壁9を形成すべき箇所のみを露光する。 - 特許庁
METHOD FOR GENERATING CODE MASK FOR ENCODING TRANSMISSION VIA TRAFFIC CHANNEL例文帳に追加
トラフィック・チャネルを介する伝送を符号化するための符号マスクを生成する方法 - 特許庁
A hard mask layer pattern for demarcating a recess region is formed on a semiconductor substrate 310, a recess channel structure 340 is formed by selectively etching the semiconductor substrate with the hard mask layer pattern serving as an etching mask, the hard mask layer pattern is removed to expose the semiconductor substrate 310 including the recess channel structure 340, and a gate electrode 364 is formed so as to fill the recess channel structure.例文帳に追加
半導体基板310にリセス領域を画成するハードマスク層パターンを形成し、ハードマスク層パターンを食刻マスクに半導体基板を選択食刻してリセスチャンネル構造340を形成し、ハードマスク層パターンを除去してリセスチャンネル構造340を含む半導体基板310を露出し、リセスチャンネル構造を埋め込むゲート電極364を形成する。 - 特許庁
To provide a method manufacturing for a liquid crystal display device, by which the expansion of a channel length by ashing can be suppressed and the channel length can be controlled, when a TFT is manufactured using a halftone mask at the channel part of the TFT.例文帳に追加
TFTのチャンネル部にハーフトーンマスクを使用して製造する際に、アッシングによるチャンネル長の広がりを抑制し、チャンネル長を制御することが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁
A single fluid channel resin layer 11 as a profile of ink channel is formed on an upper face of a device substrate 1 having a heater 2 formed thereon, and then a mask member 12 is formed on the fluid channel resin layer 11 to carry out patterning.例文帳に追加
ヒータ2が形成された素子基板1の上面に、インク流路の型材として流路樹脂層11を単一の層で形成する。 - 特許庁
To generate variation in a threshold due to low-density channel stopper formation in a channel region when a low-density channel stopper is formed in a channel stopper and an element region through ion implantation by covering the element region with an oxidation resistant film and by covering a drain region with a resist mask.例文帳に追加
素子領域を耐酸化膜で覆い、ドレイン領域をレジストマスクで覆ってイオン注入し、チャネルストッパ及び素子領域に低濃度チャネルストッパを形成すると、チャネル領域に低濃度チャネルストッパが形成され、しきい値のばらつきを生ずる。 - 特許庁
Furthermore, by utilizing the same mask, boron ions are ion-implanted to bottoms of the grooves 21 to form a channel-stop diffusion layer 7.例文帳に追加
更に、これらをマスクとしてボロンイオンを溝21の底部にイオン注入することにより、チャネルストップ拡散層7を形成する。 - 特許庁
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