chemicalmechanical polishingとは 意味・読み方・使い方

CARRIER HEAD WITH VIBRATION REDUCTION FEATURE FOR CHEMICALMECHANICAL POLISHING SYSTEM例文帳に追加

化学機械研磨システムの振動低減機能付キャリアヘッド - 特許庁

METHOD AND SYSTEM OF CHEMICALMECHANICAL POLISHING AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

化学的機械的研磨方法、化学的機械的研磨システム、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

The calculation of the polishing rate and the polishing time can be set highly accurately in response to actual chemicalmechanical polishing conditions for polishing a product wafer by using a formula which favorably approximates a portion at the side showing an aimed polishing amount among curves showing chemicalmechanical polishing conditions as a calculation formula.例文帳に追加

化学的機械的研磨の状況を示す曲線のうち、目標研磨量を示す側の部分を良く近似する式を算出式として用いることで、研磨レートや研磨時間の算出を、実際に製品ウエハの研磨を実施する化学的機械的研磨状況に則して精度高く設定することができる。 - 特許庁

To highly accurately set a polishing rate and a polishing time in chemicalmechanical polishing in consideration of a product wafer to be polished and a mechanical difference in devices to be used or the like.例文帳に追加

化学的機械的研磨における研磨レートや研磨時間の設定を、研磨対象の製品ウエハや使用する装置等の機差を考慮して高精度に行えるようにする。 - 特許庁

Then, an upper insulating film is formed on one surface of the substrate and its surface is subjected to CMP (chemicalmechanical polishing) processing.例文帳に追加

そして、基板上の一面に上側絶縁膜を形成し、その表面にＣＭＰ（化学的機械研磨）処理を施す。 - 特許庁

In the calculation formula, a parameter A regarding the film quality of a film to be polished, a parameter B regarding the undulation state of the film surface, and a parameter C regarding the mechanical difference in the chemicalmechanical polishing devices are combined by an operator.例文帳に追加

かかる算出式では、研磨対象の膜の膜性状に関するパラメータＡと、膜表面の起伏状態に関するパラメータＢと、化学的機械的研磨装置の装置間機差に関するパラメータＣとが演算子で結合されている。 - 特許庁