cleavage regionとは 意味・読み方・使い方

After that, any processing isn't given to a front surface of the discrete element 80, but a stress is applied along the scribe line 7 in which the processing region 24 is formed, and cracks are generated from the processing region 24 to perform the cleavage.例文帳に追加

その後は、個別素子８０の表面に対して加工が施されず、加工領域２４が形成されたスクライブライン７に沿って応力が加えられ、加工領域２４から亀裂を発生させて劈開が行なわれる。 - 特許庁

Consequently, when the object 1 to be processed is cut from the cutting starting-point region 8a as a starting point, an influence of the cutting starting-point region 8b becomes extremely small and a bar having a precise cleavage surface can be securely obtained.例文帳に追加

これにより、切断起点領域８ａを起点として加工対象物１を切断する際に、切断起点領域８ｂの影響力が極めて小さくなり、精度の良い劈開面を有するバーを確実に得ることができる。 - 特許庁

In the cleavage of one of the substrate products, the edge of the substrate product comprising a crystal region 22a grown in the second half of the ingot growth is broken in the direction of an arrow CL1.例文帳に追加

一方の基板生産物のへき開では、インゴット成長の後半に成長された結晶領域２２ａからなる基板生産物のエッジを矢印ＣＬ１の方向にブレイクした。 - 特許庁

To provide a cleaving method capable of forming a clean cleaving surface having a flat wide region in an atomic order with high reproducibility, and a cleavage device.例文帳に追加

原子オーダで平坦な広い領域を持つ清浄な劈開面を高い再現性で作製することができる劈開方法および劈開装置を提供すること。 - 特許庁

The optical semiconductor device comprises an optical semiconductor element having an element region on a compound semiconductor substrate wherein an angle of 5-85° is set between the dicing direction of the optical semiconductor element and the orientation of cleavage surface of the compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体基板上に素子領域が形成された光半導体素子を備え、光半導体素子のダイシング方向と、化合物半導体の割れ結界面方位との角度を５〜８５度とする。 - 特許庁

A specific cleavage site produced by a cause of the deficiency is present in the genomic DNA of the fungal strain of the Aspergillus oryzae in which the part of the region similar to the aflatoxin biosynthase gene cluster is deficient.例文帳に追加

アフラトキシン生合成遺伝子クラスターと類似する領域の一部を欠損している麹菌の菌株のゲノムＤＮＡ中には、この欠損に起因して生じる特異的な分断部位が存在する。 - 特許庁

A crack 17 generated from a melt-treating region 13 as its starting point extends in the direction of cleavage of the silicon substrate 12 (direction orthogonal to the principal plane of silicon substrate 12) as the principal plane of silicon substrate 12 makes the (100) surface.例文帳に追加

シリコン基板１２の主面が（１００）面となっているため、溶融処理領域１３を起点として発生した亀裂１７は、シリコン基板１２の劈開方向（シリコン基板１２の主面と直交する方向）に伸展する。 - 特許庁

Since the reformed region K is formed along a (111) surface which is a cleavage surface, a wafer 20 can be cut by a relatively small force in a following cutting process.例文帳に追加

改質領域Ｋはへき開面である（１１１）面に沿って形成されるため、続く割断工程において、ウェハ２０を比較的小さな力で割断することができる。 - 特許庁