columnar grain structureとは 意味・読み方・使い方

In the second layer 22, a crystal grain 22b composed of aluminum has columnar structure extended approximately in the perpendicular direction on the surface of the piezoelectric substrate 1 and a columnar crystal grain 22c composed of aluminum copper alloy from the surface of the first layer 12 to the surface of the electrode 2 is formed on its crystal grain boundary.例文帳に追加

第２層２２では、アルミニウムからなる結晶粒２２ｂは、圧電基板１表面に概ね垂直な方向に伸びた柱状構造を有し、その結晶粒界には、第１層１２の表面から電極２の表面に至るアルミニウム銅合金からなる柱状の結晶粒２２ｃが形成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the step of conducting the ion implantation from the slanting direction permitting the ion to cross the grain boundary 3A of the columnar crystal structure, on the occasion of conducting ion implantation to form the source region and drain region, using the gate electrode 3 formed of a metal film of the columnar crystal structure as a mask.例文帳に追加

柱状結晶構造をもつメタル膜からなるゲート電極３をマスクとしてソース領域及びドレイン領域形成の為のイオン注入を行う際、前記柱状結晶構造のグレイン境界３Ａをイオンが横切るように斜め方向からイオン注入を行う工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

A region 36 of the second electron passage part 7b, in which the second grains 32 are formed in the thickness direction, and the first electron passage part 6a are different in the crystal orientation, and the second grain 32 is higher than the first grain in the columnar structure.例文帳に追加

第２の電子通過部６ｂの厚み方向において第２のグレイン３２ａが形成された領域３６と、第１の電子通過部６ａとは、結晶配向性が異なり、第２のグレイン３２ａの方が、第１のグレインに比べて柱状性が高くなっている。 - 特許庁

A multilayer gate of different kinds of grain is formed by forming the gate insulation film 22 on the semiconductor substrate 21, and then forming the lower polysilicon germanium layer 23 having a columnar crystal structure on the gate insulation film 22.例文帳に追加

異種結晶粒積層ゲートを形成する方法は、半導体基板２１上にゲート絶縁膜２２を形成し、ゲート絶縁膜２２上に柱状結晶構造を有する下部ポリシリコンゲルマニウム層２３を形成する。 - 特許庁

The CVD silicon film 150 is a semiconductor thin film, where an amorphous component and a crystalline component are mixedly present, and the CVD silicon film 150 is of crystalline structure in which an amorphous part is present between crystal grains, and the crystal grain is columnar in structure and has a base, that belongs to the surface of the substrate.例文帳に追加

ＣＶＤシリコン膜１５０は、非晶質成分と結晶成分とが混在した半導体薄膜であり、結晶粒と結晶粒の間に非晶質部分が存在している結晶構造を有し、その結晶粒は基板面を底面とする柱状構造を呈しいる。 - 特許庁

This Ni-Mn-Ga series shape memory alloy has the crystal orientation properties of the (220) plane and is provided with regular atomic arrangement which does not substantially have clear crystal grain boundaries though being a columnar structure.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｍｎ−Ｇａ系形状記憶合金は、Ｎｉ−Ｍｎ−Ｇａ系合金であって、（２２０）面の結晶配向性を有し、かつ柱状組織ではあるが、実質的に明瞭な結晶粒界を持たない規則的な原子配列を備えている。 - 特許庁

An intermediate layer 2 is provided between the hard carbon layer 3 on a surface and a backing layer base material 1, and a dispersion of inclinations of grain boundary in columnar domain structure exhibited by the intermediate layer 2 is brought within a specified range, that is, a standard deviation of inclination angles of a domain wall face 2a falls within 12°, in the sliding member.例文帳に追加

表面の硬質炭素層３と下地基材１の間に中間層２を設け、その中間層２が呈する柱状のドメイン構造における粒界の傾きのばらつきが特定範囲内、すなわちドメイン壁面２ａの傾き角度の標準偏差が１２°以内に収まるようにする。 - 特許庁