common trenchとは 意味・読み方・使い方

To provide an underground trench structure which improves the maintenance performance of pipes and facilitates the maintenance and renewal of common facilities in multiple dwelling houses to prolong a service life of the multiple dwelling houses.例文帳に追加

配管のメンテナンス性を向上でき、その結果集合住宅の長寿命化に資することができる集合住宅において共用設備のメンテナンス及び更新が容易な地下トレンチ構造を提供する。 - 特許庁

Trench-type or stack-type three-dimensional structure source capacitors Capp and Capn, as an auxiliary capacity, are connected to the common source of PMOSs Q1 and Q2 as well as NMOSs Q3, and Q4 contained in a complementary F/F of a sense amplifier circuit.例文帳に追加

センスアンプ回路の相補型Ｆ／Ｆに含まれるＰＭＯＳ、Ｑ1、Ｑ2及びＮＭＯＳ、Ｑ3、Ｑ4の共通ソースに、補助容量として３次元構造のトレンチ型又はスタック型ソースキャパシタＣapp及びＣapnをそれぞれ接続する。 - 特許庁

A common diffusion layer 22b of the transistor 4 and the transistor 8 and a diffusion layer 22f of the transistor 6 which diffusion layers constitute a part of a storage node are connected by using a T-shaped trench wiring 28 buried in an interlayer insulating film.例文帳に追加

記憶ノードの部分を構成する、トランジスタ４およびトランジスタ８に共通の拡散層２２ｂと、トランジスタ６の拡散層２２ｆとを層間絶縁膜に埋め込まれたＴ字形状の溝配線２８を用いて接続する。 - 特許庁

This field-effect transistor includes a source 43 formed in the sidewall of a trench, a drain 42 formed in the semiconductor main body and provided with a surface in common with the upper face of the semiconductor main body, a channel region including both vertical and horizontal parts, and a polycrystalline silicon gate at the upper part of the trench.例文帳に追加

この電界効果トランジスタは、トレンチの側壁内に形成されたソース４３、半導体本体内に形成された、そして半導体本体の上面と共通の表面を有するドレイン４２、及び垂直と水平の両方の部分を含むチャネル領域、及びトレンチの上部の多結晶シリコンゲートとを含んでいる。 - 特許庁

An orifice plate 58 is formed on the uppermost layer of a heating part 52, a common electrode 53, a discrete interconnection electrode 54, an ink supply trench 55, an ink supply hole 56, a barrier wall 57, and the like, formed on a chip substrate 51 and a metal mask film 63 is formed thereon by sputtering thus forming a pattern 63-1.例文帳に追加

チップ基板５１上の発熱部５２、共通電極５３、個別配線電極５４、インク供給溝５５、インク供給孔５６、隔壁５７等の最上層にオリフィス板５８を積層し、この上にメタルマスク膜６３をスパッタ成膜しパターン６３−１を形成する。 - 特許庁