coverage dependenceとは 意味・読み方・使い方

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition having good pitch dependence and coverage dependence of CD and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

ＣＤのピッチ依存性、被覆率依存性が良好な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition which allows formation of a pattern having good properties of PEBS (post exposure bake sensitivity), MEEF (mask error enhancement factor), coverage dependence and bridge defects, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＰＥＢＳ、ＭＥＥＦ、被覆率依存性、ブリッジ欠陥のいずれもが良好なパターンを形成することが可能な感活性光線又は感放射線樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition that has excellent reactivity to alkali developer while securing hydrophobicity in immersion exposure to suppress a development defect and also has good coverage dependence; a polymer usable for the same; and a compound to be a monomer of the polymer.例文帳に追加

液浸露光時における疎水性を確保しつつ、アルカリ現像液に対する反応性に優れ、現像欠陥を抑制することができ、さらに被覆率依存性が良好な感放射線性樹脂組成物、これに用いることができる重合体及びこの重合体のモノマーとなる化合物を提供することである。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition having good conformability to a liquid for liquid immersion during liquid immersion exposure and having good coverage dependence, from which a pattern reduced in the occurrence of watermark defects, bubble defects and development scum defects can be formed, and to provide a method for forming a pattern using the composition.例文帳に追加

本発明の目的は、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であり、ウォーターマーク欠陥、バブル欠陥、現像残渣欠陥の各々が少ないパターンを形成することが可能、且つ、被覆率依存性が良好な感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a new nitrogen-containing organic compound suitably used for a chemically-amplified resist material applicable to immersion exposure that gives a high-resolution image and reduces dependence on mask coverage in photolithography for microfabrication, especially in lithography using as a light source a KrF laser, an ArF laser, an F2 laser, extremely-short ultraviolet rays, an electron beam, X-rays and the like.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、Ｆ2レーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性を達成すると共に、マスク被覆率依存性を低減し、更には液浸露光にも適用可能な化学増幅型レジスト材料に好適に用いられる新規な含窒素有機化合物の提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which solves problems in a technique for improving performance proper to microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, to specifically provide a positive resist composition having small mask coverage dependence, high post-coating delay stability (PCD) and high post-exposure delay stability (PED), and to further provide a positive resist composition excellent also in process margin.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決したポジ型レジスト組成物を提供することにあり、より具体的には、マスク被覆率依存性が小さく、塗布後の経時安定性（ＰＣＤ）、露光後の経時安定性（ＰＥＤ）が大きいポジ型レジスト組成物、更に加えてプロセスマージンにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁