crystalline latticeとは 意味・読み方・使い方

To provide a vapor phase growth method for obtaining a boron phosphide based semiconductor layer having superior continuity on a crystalline substrate having a large degree of lattice mismatching.例文帳に追加

格子ミスマッチ度が大きな結晶基板上に、連続性に優れるリン化硼素系半導体層を得るための気相成長方法を提供する。 - 特許庁

More preferably, the crystalline diameter is 550-650 Å and the a axis length of lattice constant is 8.200-8.215 Å.例文帳に追加

結晶子径が５５０Å以上６５０Å以下、格子定数のa軸長が８．２００Å以上８．２１５Å以下であることがさらに好ましい。 - 特許庁

Thus stress/lattice distortion of local domain in the crystalline sample 4 can be measured with a high degree of accuracy.例文帳に追加

これにより、結晶試料４における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定することが可能となる。 - 特許庁

The hydraulic material comprising a sintered body containing a crystalline 11CaO.Al2O3.CaF2-based solid solution having lattice constant of 1.1972-1.1995 nm.例文帳に追加

格子定数が１．１９７２〜１．１９９５ｎｍの結晶質の１１ＣａＯ・Ａｌ_2Ｏ_3・ＣａＦ_2系固溶体を含有する焼結体からなる水硬性材料。 - 特許庁

To provide a method for inspecting the crystalline structure of an only laminated film aimed at, as for a layered product forming two or more layered thin films on a substrate and having the same crystalline structure and a close lattice constant value for each laminated thin film, which is oriented uniaxially in the normal direction of the substrate.例文帳に追加

基板上に２層以上の薄膜を形成した積層体において、基板法線方向に一軸配向した各積層薄膜の結晶構造が同一で、格子定数の値が近い積層体であって、着目した積層膜のみの結晶構造を検査する方法を提供する。 - 特許庁

A crystalline semiconductor film is formed by doping a metal element for promoting crystallization to an amorphous semiconductor film and forms ridges arranged in the lattice-like configuration on the surface of the crystalline semiconductor film, by illuminating the crystalline semiconductor film with a pulsed-oscillation laser having a controlled direction of polarization.例文帳に追加

上記課題を鑑み本発明は、非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加して結晶性半導体膜を形成し、結晶性半導体膜に偏光方向を制御したパルス発振型のレーザを照射することにより、結晶性半導体膜表面に格子状に整列したリッジを形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor wafer having a good crystalline SiGe layer wherein lattice relaxation is fully performed and surface roughness is controlled.例文帳に追加

格子緩和が十分に行なわれ、表面の面粗れが抑制され、かつ結晶性のよいＳｉＧｅ層を有する半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a III nitride semiconductor light-emitting element of high brightness by avoiding mismatching of crystalline lattice to substrate crystal and using a gallium nitride phosphide light emitting structure which is excellent in crystallinity.例文帳に追加

基板結晶との結晶格子の不整合性を回避し、結晶性に優れた窒化リン化ガリウム系発光構造を使用して高輝度の III族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁