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deposition temperatureとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 析出温度; 蒸着温度; たい積温度

JST科学技術用語日英対訳辞書での「deposition temperature」の意味

deposition temperature


「deposition temperature」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 887



例文

VARIABLE TEMPERATURE DEPOSITION METHOD例文帳に追加

可変温度堆積方法 - 特許庁

LOW TEMPERATURE AEROSOL DEPOSITION OF PLASMA RESISTIVE LAYER例文帳に追加

耐プラズマ層の低温エアロゾル堆積 - 特許庁

INDICATOR FOR TEMPERATURE HISTORY AND MOISTURE DEPOSITION HISTORY例文帳に追加

温度履歴および水分付着履歴インジケータ - 特許庁

INDICATOR FOR TEMPERATURE HYSTERESIS AND MOISTURE DEPOSITION HYSTERESIS例文帳に追加

温度履歴および水分付着履歴インジケータ - 特許庁

The substrate 1 is carried into a deposition chamber 2 when the substrate temperature just before the insertion into the deposition chamber attains a desired deposition temperature.例文帳に追加

成膜室挿入直前の基板温度が所望の成膜温度になった時に、基板1を成膜室2に搬入する。 - 特許庁

METHOD FOR HIGH TEMPERATURE DEPOSITION OF AMORPHOUS CARBON LAYER例文帳に追加

アモルファスカーボン層の高温堆積のための方法 - 特許庁

例文

VACUUM VAPOR-DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE例文帳に追加

真空蒸着装置及び温度調整方法 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「deposition temperature」の意味

deposition temperature


「deposition temperature」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 887



例文

METHOD FOR MEASURING SUBSTRATE TEMPERATURE BY VACUUM FILM DEPOSITION SYSTEM AND VACUUM FILM DEPOSITION SYSTEM例文帳に追加

真空成膜装置での基板温度測定方法、及び真空成膜装置 - 特許庁

In the film deposition process, deposition is performed under such a condition that the temperature of the substrate during deposition is controlled to be in a range from the eutectic temperature of zinc oxide and the flux to a temperature higher by 150°C or less than the eutectic temperature.例文帳に追加

成膜工程では、堆積時の基板温度を酸化亜鉛とフラックスの共晶温度以上共晶温度+150℃以下の範囲に制御した条件で堆積するものである。 - 特許庁

VARIABLE TEMPERATURE AND DOSE ATOMIC LAYER DEPOSITION例文帳に追加

温度および投与量が調節可能な原子層堆積 - 特許庁

TEMPERATURE HISTORY AND MOISTURE DEPOSITION HISTORY INDICATOR COMPOSITION例文帳に追加

温度履歴および水分付着履歴インジケータ組成物 - 特許庁

The silicon nitride film is deposited at a deposition temperature of 400°C or lower by atomic layer deposition, and the plasma nitriding is performed at a temperature equal to or lower than the deposition temperature in the atomic layer deposition.例文帳に追加

窒化珪素膜は、ALD法により400℃以下の成膜温度で成膜された窒化珪素膜であり、プラズマ窒化処理は、ALD法における成膜温度を上限とする処理温度で行う。 - 特許庁

To prevent deposition of an evaporated vapor deposition material at a portion of aperture of a vapor deposition source where the temperature drops.例文帳に追加

蒸着源の開口の温度が低下する部分で、蒸発した蒸着材料が堆積することを防止する。 - 特許庁

The deposition temperature in the first process can be made lower than the deposition temperature in the second process, as the vapor phase deposition technology, for example, an atomic layer deposition method is used.例文帳に追加

第1の工程における成膜温度を、第2の工程における成膜温度より低い温度とすることができ、気相成膜技術としては、例えば原子層堆積法を用いる。 - 特許庁

例文

TEMPERATURE MEASURING INSTRUMENT, DEPOSITION DEVICE AND DEPOSITED SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

温度測定器、成膜装置、及び成膜基板製造方法 - 特許庁

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