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deposition temperatureとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 析出温度; 蒸着温度; たい積温度


JST科学技術用語日英対訳辞書での「deposition temperature」の意味

deposition temperature


「deposition temperature」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 887



例文

VARIABLE TEMPERATURE DEPOSITION METHOD例文帳に追加

可変温度堆積方法 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING SUBSTRATE TEMPERATURE BY VACUUM FILM DEPOSITION SYSTEM AND VACUUM FILM DEPOSITION SYSTEM例文帳に追加

真空成膜装置での基板温度測定方法、及び真空成膜装置 - 特許庁

The substrate 1 is carried into a deposition chamber 2 when the substrate temperature just before the insertion into the deposition chamber attains a desired deposition temperature.例文帳に追加

成膜室挿入直前の基板温度が所望の成膜温度になった時に、基板1を成膜室2に搬入する。 - 特許庁

INDICATOR FOR TEMPERATURE HYSTERESIS AND MOISTURE DEPOSITION HYSTERESIS例文帳に追加

温度履歴および水分付着履歴インジケータ - 特許庁

VARIABLE TEMPERATURE AND DOSE ATOMIC LAYER DEPOSITION例文帳に追加

温度および投与量が調節可能な原子層堆積 - 特許庁

LOW TEMPERATURE AEROSOL DEPOSITION OF PLASMA RESISTIVE LAYER例文帳に追加

耐プラズマ層の低温エアロゾル堆積 - 特許庁

例文

TEMPERATURE MEASURING INSTRUMENT, DEPOSITION DEVICE AND DEPOSITED SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

温度測定器、成膜装置、及び成膜基板製造方法 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「deposition temperature」の意味

deposition temperature


「deposition temperature」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 887



例文

INDICATOR FOR TEMPERATURE HISTORY AND MOISTURE DEPOSITION HISTORY例文帳に追加

温度履歴および水分付着履歴インジケータ - 特許庁

VACUUM VAPOR-DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE例文帳に追加

真空蒸着装置及び温度調整方法 - 特許庁

TEMPERATURE HISTORY AND MOISTURE DEPOSITION HISTORY INDICATOR COMPOSITION例文帳に追加

温度履歴および水分付着履歴インジケータ組成物 - 特許庁

This vacuum deposition can be performed at room temperature.例文帳に追加

この真空蒸着は、室温において行うことができる。 - 特許庁

METHOD FOR HIGH TEMPERATURE DEPOSITION OF AMORPHOUS CARBON LAYER例文帳に追加

アモルファスカーボン層の高温堆積のための方法 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method capable of efficiently raising/dropping the temperature of a substrate.例文帳に追加

基板の温度の昇降を効率化することが可能な成膜装置、成膜方法を提供する。 - 特許庁

VAPOR DEPOSITION APPARATUS, METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

気相成長装置、気相成長装置の温度制御方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

例文

The silicon nitride film is deposited at a deposition temperature of 400°C or lower by atomic layer deposition, and the plasma nitriding is performed at a temperature equal to or lower than the deposition temperature in the atomic layer deposition.例文帳に追加

窒化珪素膜は、ALD法により400℃以下の成膜温度で成膜された窒化珪素膜であり、プラズマ窒化処理は、ALD法における成膜温度を上限とする処理温度で行う。 - 特許庁

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