「deposition temperature」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

LOW TEMPERATURE AEROSOL DEPOSITION OF PLASMA RESISTIVE LAYER例文帳に追加

耐プラズマ層の低温エアロゾル堆積 - 特許庁

TEMPERATURE MEASURING INSTRUMENT, DEPOSITION DEVICE AND DEPOSITED SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

温度測定器、成膜装置、及び成膜基板製造方法 - 特許庁

INDICATOR FOR TEMPERATURE HISTORY AND MOISTURE DEPOSITION HISTORY例文帳に追加

温度履歴および水分付着履歴インジケータ - 特許庁

VACUUM VAPOR-DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE例文帳に追加

真空蒸着装置及び温度調整方法 - 特許庁

TEMPERATURE HISTORY AND MOISTURE DEPOSITION HISTORY INDICATOR COMPOSITION例文帳に追加

温度履歴および水分付着履歴インジケータ組成物 - 特許庁

This vacuum deposition can be performed at room temperature.例文帳に追加

この真空蒸着は、室温において行うことができる。 - 特許庁

METHOD FOR HIGH TEMPERATURE DEPOSITION OF AMORPHOUS CARBON LAYER例文帳に追加

アモルファスカーボン層の高温堆積のための方法 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method capable of efficiently raising/dropping the temperature of a substrate.例文帳に追加

基板の温度の昇降を効率化することが可能な成膜装置、成膜方法を提供する。 - 特許庁

VAPOR DEPOSITION APPARATUS, METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

気相成長装置、気相成長装置の温度制御方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

The silicon nitride film is deposited at a deposition temperature of 400°C or lower by atomic layer deposition, and the plasma nitriding is performed at a temperature equal to or lower than the deposition temperature in the atomic layer deposition.例文帳に追加

窒化珪素膜は、ＡＬＤ法により４００℃以下の成膜温度で成膜された窒化珪素膜であり、プラズマ窒化処理は、ＡＬＤ法における成膜温度を上限とする処理温度で行う。 - 特許庁

The means 22 for measuring the temperature of the vapor deposition material measures temperature of the underside of the vapor deposition material just before pre-heating of the vapor deposition material 17, and measures temperature distribution of heating toward the vapor deposition material 17.例文帳に追加

蒸着材料温度測定手段２２は、蒸着材料１７の予備加熱直前における前記蒸着材料の下面の温度を測定し蒸着材料１７への加熱温度分布を測定する。 - 特許庁

The spacer layer is typically deposited during lowering of the temperature in a reactor from a smooth layer deposition temperature to an active region deposition temperature.例文帳に追加

スペーサ層は、典型的には、反応器内の温度を平滑層沈積温度から活性領域沈積温度へ低下させる間に沈積される。 - 特許庁

When carrying out the proximity vapor deposition, base material temperature from start of the film deposition and an end of the film deposition is controlled to be 80°C or less.例文帳に追加

近接蒸着を実施する際、成膜開始から成膜終了までの基材温度を８０℃以下に制御する。 - 特許庁

To prevent deposition of an evaporated vapor deposition material at a portion of aperture of a vapor deposition source where the temperature drops.例文帳に追加

蒸着源の開口の温度が低下する部分で、蒸発した蒸着材料が堆積することを防止する。 - 特許庁

In the film deposition process, deposition is performed under such a condition that the temperature of the substrate during deposition is controlled to be in a range from the eutectic temperature of zinc oxide and the flux to a temperature higher by 150°C or less than the eutectic temperature.例文帳に追加

成膜工程では、堆積時の基板温度を酸化亜鉛とフラックスの共晶温度以上共晶温度＋１５０℃以下の範囲に制御した条件で堆積するものである。 - 特許庁

To provide heating equipment for film deposition material which can rapidly raise the temperature of the film deposition material stored in a crucible to a prescribed temperature from the start of heating at the time of performing heating to the film deposition material and can provide the film deposition material with uniform temperature portions over the respective portions thereof and a heating method for the film deposition material.例文帳に追加

坩堝に貯留した成膜材料への加熱を行うに際して、加熱開始時から迅速に所定温度まで立ち上げることができ、かつ成膜材料の各部に亘って均等な温度分部を持たせることができる成膜材料の加熱装置及び成膜材料の加熱方法を提供する。 - 特許庁

After the temperature of the substrate reaches the predetermined film deposition temperature, the gas for film deposition of the insulating film 22 is introduced into a film deposition chamber of a film deposition apparatus to form the insulating film 22 on the insulating film 21.例文帳に追加

半導体基板の温度が所定の成膜温度に達した後、絶縁膜２２の成膜用のガスを成膜装置の成膜室に導入して、絶縁膜２１上に絶縁膜２２を成膜する。 - 特許庁

The deposition temperature in the first process can be made lower than the deposition temperature in the second process, as the vapor phase deposition technology, for example, an atomic layer deposition method is used.例文帳に追加

第１の工程における成膜温度を、第２の工程における成膜温度より低い温度とすることができ、気相成膜技術としては、例えば原子層堆積法を用いる。 - 特許庁

Suitable deposition temperature for lanthanum oxide is between 160 and 165°C when the deposition temperature is between 1 and 2 mbar.例文帳に追加

酸化ランタンの適切な堆積温度は、堆積圧力が１ミリバールから２ミリバールの間であるとき１６０℃から１６５℃の間である。 - 特許庁

To solve a problem that resin coating of an optical fiber is deformed by melting when a film deposition temperature is elevated and the tightness of the film is deteriorated when the film deposition temperature is not elevated.例文帳に追加

成膜温度を上げると光ファイバの樹脂被覆が溶融変形し、上げないと膜の緻密性が劣る。 - 特許庁

METAL CATALYST FOR CARBON NANOTUBE BY LOW TEMPERATURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

カーボンナノチューブの低温熱化学蒸着用金属触媒 - 特許庁

METALLIC ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD FOR NITRIDE TITANIUM IN LOWERED TEMPERATURE例文帳に追加

低減された温度で窒化チタンの金属有機化学気相堆積をする方法 - 特許庁

TEMPERATURE MEASURING METHOD OF RESIN FILM, AND HEATING FILM DEPOSITION DEVICE例文帳に追加

樹脂フィルムの温度測定方法及び加熱成膜装置 - 特許庁

TEMPERATURE CONTROL DEVICE IN VACUUM VESSEL, AND THIN FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加

真空容器内の温度制御装置および薄膜形成方法 - 特許庁

TEMPERATURE CALIBRATION METHOD OF VAPOR DEPOSITION EQUIPMENT, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

気相成長装置の温度校正方法、半導体ウェーハの製造方法 - 特許庁

TEMPERATURE-CONTROLLED PURGE GATE VALVE FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER例文帳に追加

化学気相成長チャンバ用の温度制御されたパージゲート弁 - 特許庁

To prevent unnecessary vapor deposition to a tip of a temperature measuring apparatus.例文帳に追加

温度測定装置の先端への不要な蒸着を妨げる。 - 特許庁

In depositing a film of vapor deposition material on the surface of a substrate 410b for vapor deposition by a vacuum vapor deposition method, temperature elevation in a substrate 410a for vapor deposition outside the vapor deposition area is suppressed by interrupting the radiant heat of the vaporized or sublimated vapor deposition material 409 by a shielding mechanism 414.例文帳に追加

真空蒸着法により被蒸着物４１０ｂ表面に蒸着物質の膜を形成する際に、気化又は昇華した蒸着物質４０９の輻射熱を遮蔽機構４１４により遮ることで、蒸着エリア外の被蒸着物４１０ａの昇温を抑制する。 - 特許庁

The deposition preventive board is fitted with a temperature detecting means such as a thermocouple connected to the temperature controller.例文帳に追加

防着板には温度調節装置に接続された熱電対その他の温度検出手段を取り付ける。 - 特許庁

Furthermore, the control unit 100 controls the loading temperature to be set higher than the film deposition temperature.例文帳に追加

また、制御部１００は、ロード温度を成膜温度よりも高い温度に設定する。 - 特許庁

To provide a vacuum deposition apparatus which, even for vapor deposition materials having different evaporation quantities and evaporation temperatures, exhibits satisfactory control performance of the heating temperature of the vapor deposition materials, and consequently can highly accurately control the vapor quantity of the vapor deposition materials.例文帳に追加

蒸発量、蒸発温度が異なる蒸着材料であっても、蒸着材料の加熱温度の制御性が良く、蒸着材料の蒸気量を高精度に制御できる真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor crystal layer 13 is formed by spattering on the anode side transparent electrode layer 12, and during deposition, the temperature of the anode side transparent electrode layer 12 which is a deposition target is lowered than the temperature of the initial stage of deposition.例文帳に追加

半導体結晶層１３は、スパッタ法によりアノード側透明電極層１２上に成膜され、この成膜処理中に、成膜対象物であるアノード側透明電極層１２の温度を成膜初期の温度よりも低下させる。 - 特許庁

To provide a film deposition method of a film to be deposited by plasma CVD which is capable of performing low-temperature film deposition, and reducing residues in a film even in the low-temperature film deposition.例文帳に追加

プラズマＣＶＤにより成膜される膜の成膜において、低温成膜が可能であり、かつ低温成膜であっても膜中の残留物を低減することができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁

A heating means 15 for heating a vapor deposition material is provided in the depth direction of a vapor deposition container 11 so that the vapor deposition material 5 has the temperature gradient in which the temperature is lower toward a bottom surface of a container.例文帳に追加

蒸着材料５に、蒸着容器１１の深さ方向に、容器底面に向かって温度が低くなる温度勾配を持たせるように蒸着材料５を加熱する加熱手段１５を備える。 - 特許庁

A means 23 for controlling heating vapor deposition conducts heating vapor deposition with an electron beam while keeping a difference between the maximum temperature and the minimum temperature within 10% with respect to the average temperature in the temperature distribution of heating.例文帳に追加

加熱蒸着制御手段２３は、前記加熱温度分布における最大温度と最小温度の差が平均温度から１０％以内で電子ビームによる加熱蒸着を行う。 - 特許庁

Although deposition of the reaction product does not occur if an internal temperature is a pump preset temperature threshold or higher, there is the potential for deposition of the reaction product if the internal temperature is lower than the pump preset temperature threshold.例文帳に追加

内部温度がポンプ設定温度閾値以上であれば、反応生成物の堆積は生じることはないが、ポンプ設定温度閾値未満であれば堆積が生じる可能性がある。 - 特許庁

The temperature of a vapor deposition part 12a, where glass is vapor-deposited on a glass rod 12 being converted into a core rod is measured, and the temperature of the vapor deposition part 12a is controlled to be fixed at a prescribed temperature based on the measured temperature.例文帳に追加

コアロッドとなるガラス棒１２にガラスが蒸着する蒸着部１２ａの温度を測定し、測定温度に基づいて蒸着部１２ａの温度が所定温度で一定となるようにする。 - 特許庁

During the film deposition, the substrate temperature T2 to be detected by the temperature sensor 9 is fed back to perform the heater control, and the temperature of the substrate 10 is maintained at the optimum film deposition temperature.例文帳に追加

成膜中は温度センサ９で検出される基板温度Ｔ２をフィードバックしてヒータ制御を行い、基板１０の温度を成膜最適温度に保持する。 - 特許庁

This vapor deposition method comprises employing Mg or a Mg alloy as the vapor deposition material 3 and sublimating Mg in the vapor deposition material 3 at a temperature lower than a melting point of the vapor deposition material 3, to form the highly corrosion resistant Mg-film without melting the vapor deposition material 3 and vaporizing Fe and Ni.例文帳に追加

ＭｇまたはＭｇ合金を蒸着材３とし、この蒸着材３中のＭｇを蒸着材３の融点よりも低い温度で昇華させることで、蒸着材３を溶融せず、かつ、Ｆｅ，Ｎｉなどを気化させずに、耐食性が高いＭｇ膜を形成する。 - 特許庁

By adding a crystal deposition inhibiting substance such as a low crystalline sugar alcohol, the critical crystal deposition temperature can be lowered.例文帳に追加

結晶性の低い糖アルコールなどの結晶析出阻害物質を添加することにより、結晶析出限界温度を下げることも出来る。 - 特許庁

Since the film deposition can be performed at a low temperature in the aerosol deposition process, a solid lubricant is not damaged by heat.例文帳に追加

エアロゾルデポジション法では低温で成膜することができるので、固体潤滑剤が熱で損傷することがない。 - 特許庁

To provide a vapor phase film deposition system, a susceptor and a vapor phase film deposition method capable of optimizing the temperature conditions of a substrate.例文帳に追加

基板の温度条件を最適化することが可能な気相成膜装置、サセプタおよび気相成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of improving the temperature stability in a wafer surface when performing the sputtering film deposition and achieving the film deposition of uniform property.例文帳に追加

スパッタ成膜時のウェハ面内の温度安定性を向上させ、性質の均一な成膜が達成できるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To suppress temperature elevation in a substrate for vapor deposition when depositing a solder layer on an electrode by vacuum vapor deposition.例文帳に追加

電極上にはんだ層を真空蒸着により形成する際、被蒸着物の昇温を抑制する。 - 特許庁

The plurality of layers of the SiC thin films 2 to 5 are formed respectively at different film deposition temperatures, and the film deposition temperature is higher as it goes to the external side layer.例文帳に追加

複数層のＳｉＣ薄膜２〜５は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度である。 - 特許庁