depth dependenceとは 意味・読み方・使い方

A plurality of depth dependency graphs by temperatures of photoluminescence intensity of a semiconductor wafer of good quality and a reference temperature dependence graph are generated, and a dominant wafer depth region of photoluminescence intensity is obtained for each of the depth dependency graphs by the temperatures to generate a measured temperature dependence graph.例文帳に追加

良品の半導体ウェーハのフォトルミネセンス強度について、複数の温度別深さ依存グラフおよび基準温度依存グラフを作成し、温度別深さ依存グラフ毎について、フォトルミネセンス強度の支配的なウェーハ深さ領域を求め、実測温度依存グラフを作成する。 - 特許庁

The points in each depth map are connected to give a 2D mesh, and each 2D mesh is then projected into 3D space in dependence upon the depths of the points in the mesh, thereby giving a 3D mesh 3610.例文帳に追加

各デプスマップ中の点を連結して２Ｄメッシュを与え、メッシュ中の点のデプスに従い、各２Ｄメッシュを３Ｄ空間に投影することで３Ｄメッシュ３６１０を与える。 - 特許庁

In such a case, the depth T of the grooves of a grating is so set as to be below the depth of the grooves corresponding to the maximum diffraction efficiency determined by λ/(2×Δn) and therefore, the dependence of the diffraction efficiency on an incident angle can be reduced.例文帳に追加

この場合に、偏光ホログラムでは、格子の溝の深さＴが、λ／（２×Δｎ）で求められる最大の回折効率に対応する溝の深さ未満となるように設定されているため、回折効率の入射角度依存性を低減することができる。 - 特許庁

To provide a design method for mask pattern in which an auxiliary pattern for improving a focal depth of an isolated pattern is arranged, with respect to a mask of performing exposure by using a light source having a direction dependence for resolution.例文帳に追加

解像特性に方向依存性を有する光源を用いて露光を行うマスクについて、孤立パターンの焦点深度を向上させる補助パターンを配置するマスクの設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide the coating liquid for the positive resist good in sensitivity, resolution, heat resistance, focal depth characteristic, the sectional form of a resist pattern, stability during time left unused, and dependence on a substrate, especially restrained from occurrence of defects after development.例文帳に追加

感度、解像性、耐熱性、焦点深度幅特性、レジストパターン断面形状、引置経時安定性及び基板依存性などのレジスト特性が良好である上、特に現像後のディフェクトの発生を抑制するポジ型レジスト塗布液を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist applicable to both a process using an antireflection film and a process not using the film, excellent in resist pattern shape, sensitivity, focal depth-width quality and post-exposure temporal stability and having no substrate dependence.例文帳に追加

反射防止膜を用いたプロセス及び用いないプロセスのいずれにも適用することができ、レジストパターン形状、感度、焦点深度幅特性及び引き置き経時安定性に優れ、かつ基板依存性のない化学増幅型ポジ型レジストを提供する。 - 特許庁