diffused metal-oxide semiconductorとは 意味・読み方・使い方

To provide a signal transfer circuit of which the cost is reduced, by reducing the number of used LDMOSs (laterally diffused metal oxide semiconductor) that becomes hindrance to cost reduction.例文帳に追加

コストダウンの障害となるＬＤＭＯＳ（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）の使用数を削減しコストダウンを図れる信号伝達回路を提供する。 - 特許庁

THIN SILICON-ON-INSULATOR DOUBLE-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜シリコン・オン・インシュレータ二重拡散金属酸化物半導体トランジスタ - 特許庁

To provide a semiconductor device having a lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor with high breakdown voltage that can achieve reduction in on-resistance.例文帳に追加

オン抵抗の低減を実現できる、高耐圧のＬＤＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having a complementary LDMOS (Laterally diffused Metal Oxide Semiconductor) transistor and a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) transistor mounted together thereon, while suppressing variations of characteristics for every transistor.例文帳に追加

相補型ＬＤＭＯＳトランジスタとＣＭＯＳトランジスタとを混載した半導体装置を、トランジスタ毎の特性のばらつきを抑制して製造する。 - 特許庁

To achieve a DMOST (double-diffused metal oxide semiconductor transistor) capable of achieving a low leakage current at high frequencies and high voltages, and also realizing a small-size and low-cost.例文帳に追加

低コストで製造できる、高周波数、高電圧で、漏れ電流が低く、小型化されたＤＭＯＳＴを実現する。 - 特許庁

In a semiconductor device including a thin film of a metal oxide used as a gate insulating film or the like, and a manufacturing method thereof; the semiconductor device is formed on a substrate made of a group IV semiconductor substance, and thermally treated using a metal oxide at a first temperature, so that it includes a thin film comprising the group IV semiconductor substance from the substrate that has thoroughly been diffused into the metal oxide.例文帳に追加

ゲート絶縁膜等に適用する金属酸化物の薄膜を含む半導体装置及びその製造方法において、前記半導体装置は、４族半導体物質の基板上に形成され、金属酸化物及び第１温度で熱処理を行って、前記基板から前記金属酸化物に充分に拡散させた前記４族半導体物質で構成される薄膜を含む。 - 特許庁

Then, the semiconductor device 1 has, in an LDMOS region 5, an LDMOSFET (Lateral Double diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) composed of a body region 8, a drain buffer region 9, a source region 11, a gate electrode 14 etc.例文帳に追加

そして、半導体装置１は、ＬＤＭＯＳ領域５に、ボディ領域８、ドレインバッファ領域９、ソース領域１１およびゲート電極１４などからなるＬＤＭＯＳＦＥＴを備えている。 - 特許庁