diode modelとは 意味・読み方・使い方

Then, the circuit simulation is executed after converting the data of the resistance element into the diode model of the stage number.例文帳に追加

そして、抵抗素子のデータをその段数のダイオードモデルに変換した後、回路シミュレーションが実行される。 - 特許庁

To provide a mounting stand for a light-emitting diode, which can raise as expected stage effect by an illumination part for direction even if a circuit board, loaded with a light-emitting diode, and is directly used after a model change.例文帳に追加

発光ダイオードを実装する回路基板をモデルチェンジ後にそのまま使用しても、演出用照明部による演出効果を期待通りに上げられる発光ダイオードの実装台を提供する。 - 特許庁

Preferably, when the Schottky diode is formed, a current value under application of -5 V reverse voltage is not more than 50 times as the theoretical current value calculated as a sum of the calculated values by a thermal-field emission model and by a thermoelectronic emission model.例文帳に追加

好ましくは、前記ショットキーダイオードを形成した場合、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値が、熱電界放出モデルおよび熱電子放出モデルの計算値の和として計算した理論電流値の５０倍以下となることを特徴とする自立基板。 - 特許庁

The scatter of the output of the light receiving photo diode 31 is corrected using a parameter set in advance in a parameter table 34 for each model.例文帳に追加

フォトダイオード３１の受光出力のばらつきは、パラメータテーブル３４に予め機種毎に設定してあるパラメータに従って修正する。 - 特許庁

The Schottky diode has an ideal factor (n value) of 1.0 to 1.3, and also has a current value during application of a reverse voltage of -5V, ≤50 times as large as a current value calculated with a TFE model.例文帳に追加

このショットキーダイオードは、理想因子（ｎ値）が１．０以上１．３以下で、且つ、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値がＴＦＥモデルで計算した電流値の５０倍以下である。 - 特許庁

A thermal resistance calculation section 140 obtains a thermal resistance including a thermal interference of the IGBT 20 or the diode 30, namely an object the temperature of which should be detected, based on the heat loss ratio calculated by the heat loss ratio calculation section 130 and a heat transfer model of the substrate that has been obtained in advance.例文帳に追加

この熱損失比算出部１３０により算出された熱損失比と予め求められた基体の熱伝達モデルとに基づき温度の検出対象とするＩＧＢＴ２０あるいはダイオード３０の熱干渉を含めた熱抵抗を熱抵抗算出部１４０により求める。 - 特許庁

The ratio of parasite capacity values in respective terminals is calculated by an inter-terminal capacity ratio calculating means 13 based on the potentials of the respective terminals at the time of operating a resistance element and an optimum stage number calculating means 14 calculates the number of stages of a diode model against the resistance element based on the ratio of the parasite capacity value.例文帳に追加

抵抗素子の動作時における各端子の電位に基づいて各端子における寄生容量値の比を端子間容量比計算手段１３により計算し、最適段数計算手段１４により、その寄生容量値の比に基づいてその抵抗素子に対するダイオードモデルの段数を計算する。 - 特許庁