drift diffusionとは 意味・読み方・使い方

Moreover, a drift area 80 having lower impurity concentration than that of the diffusion area 100 is formed between the diffusion area 100 and the lower area of the gate electrode 60.例文帳に追加

また拡散領域１００とゲート電極６０の下方領域との間に拡散領域１００より不純物濃度が低いドリフト領域８０が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 5 is formed through an insulating film 4 at a position covering from the body diffusion region to a drift region on the outside of the diffusion region.例文帳に追加

ボディ拡散領域上からこの拡散領域の外側のドリフト領域上まで覆う位置に、絶縁膜４を介して形成されたゲート電極５を備える。 - 特許庁

A first conductivity type source diffusion region 6 and a first conductivity type drain diffusion region 7 are formed, respectively, on the surface of the body diffusion region and the drift region corresponding to the opposite sides of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の両側に相当するボディ拡散領域の表面、ドリフト領域の表面にそれぞれ形成された第１導電型のソース拡散領域６、第１導電型のドレイン拡散領域７を備える。 - 特許庁

After an n^- diffusion region 60 becoming a drift region is formed on a p^- substrate 50, a part of the substrate 50 and the n^- diffusion region 60 are removed selectively to form a trench 51.例文帳に追加

ｐ^-基板５０にドリフト領域となるｎ^-拡散領域６０を形成した後に、基板５０およびｎ^-拡散領域６０の一部を選択的に除去してトレンチ５１を形成する。 - 特許庁

An N-type first impurity diffusion region that includes a drain region 12 and a drain-side drift region 7 and an N-type second impurity diffusion region that includes a source region 13 and a source-side drift region 8 are formed on a P-type well 10, with a channel region ch interposed therebetween.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０上に、チャネル領域ｃｈを隔てて、ドレイン領域１２及びドレイン側ドリフト領域７を含むＮ型の第一不純物拡散領域と、ソース領域１２及びそース側ドリフト領域８を含むＮ型の第二不純物拡散領域が形成されている。 - 特許庁

In an RESURF MOSFET, an n-type upper diffusion area 115 that has higher n-type impurity concentration than that in other parts of a drift area 102 is provided between a drain area 109 and a drift embedded area 114 on the surface of an n-type drift area 102.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦＭＯＳＦＥＴにおいて、Ｎ型ドリフト領域１０２の表面部におけるドレイン領域１０９とドリフト埋め込み領域１１４との間に、ドリフト領域１０２の他の部分と比べてより高いＮ型不純物濃度を有するＮ型上部拡散領域１１５が設けられている。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 7 is formed apart from a base region 5 in an n-type drift region 2 of the semiconductor device 100.例文帳に追加

半導体装置１００のＮ型ドリフト領域２内部に、ベース領域５に対し離間配置されるＰ型の拡散層７を形成する。 - 特許庁

To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current are reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively.例文帳に追加

配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁