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dummy elementとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ダミー要素
「dummy element」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 323件
In a semiconductor image pickup device, a dummy element is separated into a plurality of dummy elements 22, and the separated dummy elements 22 are connected in parallel to be used as a single dummy element.例文帳に追加
ダミー素子を複数のダミー素子２２に分割し，分割したダミー素子２２を並列接続して一個のダミー素子として使用する。 - 特許庁
Moreover, a dummy capacitive element 4 and a capacitive element 5 of dummy outermost periphery are located between the first capacitive element 1 and the second capacitive element 2.例文帳に追加
また、第１の容量素子１と第２の容量素子２の間にダミーの容量素子４と最外周のダミーの容量素子５を配置する。 - 特許庁
FLASH MEMORY ELEMENT HAVING DUMMY CELL AND METHOD FOR ERASING FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加
ダミーセルを有するフラッシュメモリ素子及びその消去方法 - 特許庁
The dummy cell 200 has the tunnel magnetoresistive element TMR and the access transistor ATR, and a similarly composed dummy access component ATRd and a dummy magnetoresistive element TMRd, and a dummy resistance adding part 205.例文帳に追加
ダミーセル２００は、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲおよびアクセストランジスタＡＴＲとそれぞれ同様に構成されたダミーアクセス素子ＡＴＲｄおよびダミー磁気抵抗素子ＴＭＲｄと、ダミー抵抗付加部２０５とを含む。 - 特許庁
The dummy layer of the semiconductor device comprises a semiconductor substrate 401, an element separation film 402 for composing a dummy active region 403 in the logic region on the semiconductor substrate 401, a first dummy pattern 404 formed on the element separation film 402, and a second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404.例文帳に追加
本発明による半導体素子のダミー層は、半導体基板(401)と、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)と、素子分離膜(402)上に形成された第１ダミーパターン(404)と、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)とを有する。 - 特許庁
By the method for forming the dummy layer of the semiconductor device, the element separation film 402 for composing the dummy active region 403 is formed in the logic region on the semiconductor substrate 401, the first dummy pattern 404 is formed on the element separation film 402, and the second dummy pattern 405a for surrounding the first dummy pattern 404 is formed.例文帳に追加
本発明による半導体素子のダミー層形成方法によれば、半導体基板(401)上のロジック領域に、ダミーアクティブ領域(403)を構成する素子分離膜(402)を形成し、素子分離膜(402)上に第１ダミーパターン(404)を形成し、第１ダミーパターン(404)を包囲する第２ダミーパターン(405a)を形成する。 - 特許庁
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「dummy element」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 323件
To provide a semiconductor device which is equipped with a dummy circuit element and wiring formed for using the same, wherein the dummy circuit element and the wiring are improved in availability.例文帳に追加
ダミー用回路素子やそのダミー用回路素子を利用するために形成した配線の利用性を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁
Consider adding a dummy element with a unique name.発音を聞く 例文帳に追加
一意な名前を持つダミーの要素を追加することを検討してください。 - PEAR
ELECTRON EMITTING ELEMENT HAVING DUMMY ELECTRODE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ダミー電極を備えた電子放出素子及びその製造方法 - 特許庁
Each plane pattern width of a dummy cell active region 38 and a dummy cell element isolation region 40 partitions the dummy cell active region 38, and is optimized in the dummy cell 14.例文帳に追加
ダミーセル部１４では、ダミーセル活性領域３８及びこれを区画するダミーセル素子分離領域４０の各々の平面パターン幅が最適化されている。 - 特許庁
The non-volatile semiconductor storage device includes an element isolation insulating layer 33 arranged in a first dummy cell region 121, an element isolation insulating layer 43 installed in a second dummy cell region 122, and an element isolation insulating layer 51 positioned on a boundary between the first dummy cell region 121 and the second dummy cell region 122.例文帳に追加
第１ダミーセル領域１２１に設けられた素子分離絶縁層３３と、第２ダミーセル領域１２２に設けられた素子分離絶縁層４３と、第１ダミーセル領域１２１と第２ダミーセル領域１２２との間の境界に位置する素子分離絶縁層５１とを備える。 - 特許庁
By arranging a first dummy pattern DP_1 having a relatively large area and a second dummy pattern DP_2 having a relatively small area in a dummy region FA, a dummy pattern can be arranged close to a boundary BL, between an element forming region DA and the dummy region FA.例文帳に追加
相対的に面積の大きい第１ダミーパターンＤＰ_１と相対的に面積の小さい第２ダミーパターンＤＰ_２とをダミー領域ＦＡに配置することによって、素子形成領域ＤＡとダミー領域ＦＡとの境界ＢＬ近くまでダミーパターンを配置することができる。 - 特許庁
A dummy pattern can be arranged to the vicinity of a boundary BL of an element-forming region DA and a dummy region FA, by arranging a first dummy pattern DP_1 having large area relatively and a second dummy pattern DP_2, having small area relatively at the dummy region FA.例文帳に追加
相対的に面積の大きい第１ダミーパターンＤＰ_１と相対的に面積の小さい第２ダミーパターンＤＰ_２とをダミー領域ＦＡに配置することによって、素子形成領域ＤＡとダミー領域ＦＡとの境界ＢＬ近くまでダミーパターンを配置することができる。 - 特許庁
The inverter element 1 and dummy element 10 form the same transistor configuration.例文帳に追加
そして、インバータ素子１とダミー素子１０とは、同じトランジスタ構成を有する。 - 特許庁
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