electrical mobilityとは 意味・読み方・使い方

To provide an apparatus for measuring semiconductor electrical characteristics that not only computes the lifetime and diffusion length of carriers but also measures electrical characteristics of semiconductors, such as the mobility of carriers, directly without requiring high time resolution and advanced arithmetic functions.例文帳に追加

本発明は、単にキャリアの寿命や拡散長を求めるのではなく、直接的に半導体のキャリアの移動度等の電気特性を測定するものであって、高度な時間分解能や高度な演算機能を必要としない半導体電気特性の測定装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an amorphous organosilane laminate that is used for an organic thin-film transistor having anisotropy of electrical characteristicss even while maintaining large mobility of charges.例文帳に追加

大きい電荷移動度を維持しつつも、電気特性の異方性が小さい有機薄膜トランジスタのために使用できる非晶質オルガノシラン積層体を提供する。 - 特許庁

The surface mobility of minority carriers in the semiconductor wafer or sample 10 is determined as a function of the applied electrical bias and the value of the measured current.例文帳に追加

半導体ウエハまたはサンプル１０中の少数キャリアの表面移動度が、印加された電気バイアスと測定電流値の関数として決定される。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor material containing extremely less moisture to improve organic transistor's electrical characteristics, such as mobility and current on/off ratio.例文帳に追加

含有水分の極めて少ない有機半導体材料を提供し、有機トランジスタの移動度及び電流オン・オフ比等の電気物性を向上させることを可能にする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor display panel having high charge mobility and capable of achieving uniform electrical characteristics with respect to a large-area display device, and a method of manufacturing the thin film transistor display panel.例文帳に追加

高い電荷移動度を有し、大面積表示装置に対して均一な電気的特性を得ることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a porous body which has excellent electrical conductivity, thermal conductivity, substance mobility and strength, and is suitable for members for cells, fuel cells, heat exchangers, and chemical reaction equipment or the like.例文帳に追加

導電性、熱伝導性、物質移動性、強度に優れ、電池、燃料電池、熱交換器、化学反応機器用等の部材に適した多孔体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for controlling increase in an electrical resistance at an interface in a source/drain region or between a source/drain region and a silicide layer while improving carrier mobility by giving distortion to a channel region.例文帳に追加

チャネル領域に歪みを与えてキャリア移動度を向上させつつ、ソース・ドレイン領域またはソース・ドレイン領域とシリサイド層の界面における電気抵抗の増加を抑えることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Si semiconductor thin film having good film electrical characteristics such as mobility or the like, and capable of preventing a contamination of the film and a thin film transistor using this Si semiconductor thin film.例文帳に追加

移動度などの膜電気特性がよく、膜の汚染を防ぐ事の可能な、Ｓｉ系半導体薄膜の製造方法、このＳｉ系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁