electron beam diodeとは 意味・読み方・使い方

To provide an electron emission element for suppressing beam diffusion to reduce another color-emission and suppressing diode type electron emission caused by an anode field, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は，ビーム拡散を抑制して他色発光を減らし，アノード電界によるダイオード型電子放出を抑制するための電子放出素子とその製造方法に関する。 - 特許庁

Otherwise, the light-emitting diode chip is sealed into the photosensitive resin including oligomer or reactive monomer, which is then, cured at a room temperature by irradiating with an electron beam.例文帳に追加

又は、オリゴメール又は反応性モノマーの一つを含む感光性樹脂に、発光ダイオードチップの封止後、電子ビームを照射して室温下で硬化させる。 - 特許庁

The electron beam irradiation and annealing are executed at the semiconductor device to shorten the lifetime of the device, or a resistor is inserted in series with the parasitic diode so as to suppress the current flowing to the parasitic diode.例文帳に追加

半導体装置に電子線照射およびアニール処理を施すことによりライフタイムを短くする、あるいは寄生ダイオードに直列に抵抗を挿入することにより寄生ダイオードを流れる電流を抑える。 - 特許庁

A method of forming a Schottky barrier diode (SBD) includes a step of forming a titanium film 8 and an aluminum film 9 on the nitride semiconductor device 2 by electron-beam evaporation.例文帳に追加

本発明に従うSBDを形成する方法は、窒化物半導体２の上にチタン膜８及びアルミニウム膜９を電子ビーム蒸着法で形成する工程を有する。 - 特許庁

In the Figure, a reference character 1a shows the current-voltage characteristics of the parasitic diode of the semiconductor device according to the present invention for executing an electron beam irradiation and annealing, and 1b is the current-voltage characteristics of the parasitic diode of a conventional semiconductor device.例文帳に追加

１ａは電子線照射およびアニール処理を施した本発明に係る半導体装置の寄生ダイオードの電流−電圧特性であり、１ｂは従来の半導体装置の寄生ダイオードの電流−電圧特性である。 - 特許庁

As a result, initial small light is made incident on from a laser diode 1c, thereby exciting the electron of the core of the optical fiber 1d, and increasing accumulated exciting energy and hence the gain of the amplitude of the initial small light and the intensity of laser beam LB output from the optical fiber 1d.例文帳に追加

これにより、種光がレーザダイオード１ｃから入射されることにより光ファイバ１ｄのコアの電子が励起されて蓄積される励起エネルギが大きくなり、種光の増幅のゲインが大きくなって、光ファイバ１ｄから出力されるレーザ光ＬＢの強度が強くなる。 - 特許庁