electron beam diffractionとは 意味・読み方・使い方

To provide a novel method for measuring physical property by using a convergent beam electron diffraction.例文帳に追加

収束電子回折を用いた、物性の新規な測定方法を提供する。 - 特許庁

The operation is carried out by a plurality of angles, a series of transmission electron images and the electron beam diffraction images are obtained, and based on the electron beam diffraction image, the projection direction for each of the series of the transmission electron images is decided.例文帳に追加

上記操作を複数の角度で行い、一連の透過電子像及び電子線回折像を取得し、その電子線回折像から上記一連の透過電子像の各々についての投影方向を決定する。 - 特許庁

To provide a reflection high-energy electron diffraction apparatus that can generate a reflection electron image diffraction pattern by using an electron beam having an extremely small current value at a nanoampere level.例文帳に追加

ｎＡレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。 - 特許庁

When an electron beam from the electron source is made incident, the emitting surfaces emit x-rays to the diffraction grating.例文帳に追加

出射面は、電子源からの電子線が入射することにより、回折格子へ向かうＸ線を出射する。 - 特許庁

The transmitted electron beam 3a is incident on an image detector 8 through a slit 6 and the image detector 8 obtains an electron beam diffraction image by the incident transmitted electron beam 3a.例文帳に追加

透過電子線３ａはスリット６を介して画像検出装置８に入射され、画像検出装置８は、入射された透過電子線３ａによって電子線回折像を得る。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING CRYSTAL AXIS RATIO BY CONVERGENT BEAM ELECTRON DIFFRACTION METHOD例文帳に追加

収束電子回折法による結晶軸比測定方法及び結晶軸比測定装置 - 特許庁

In the reflection high-energy electron diffraction apparatus 10, the electron beam 28 having an emission current value at a nanoampere level is emitted from the electron gun 15 toward the thin film.例文帳に追加

反射高速電子回析装置１０では、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜に向かって発射する。 - 特許庁

The exposed surfaces are irradiated with an electron beam by a TEM (Transmission Electron Microscope) to acquire a TEM image and an electron-beam diffraction image of the ferroelectric film, and element composition analysis etc., is carried out (step S2).例文帳に追加

その露出させた面に対し、ＴＥＭにより電子線を照射して、その強誘電体膜のＴＥＭ像や電子線回折像の取得、元素組成分析等を行う（ステップＳ２）。 - 特許庁