「electron beam diffraction」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SAMPLE FOR ELECTRON BEAM DIFFRACTION AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRON MICROSCOPE SAMPLE例文帳に追加

電子線回折用試料および電子顕微鏡試料の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING STRUCTURE OF MATERIAL USING CONVERGENT BEAM ELECTRON DIFFRACTION例文帳に追加

収束電子線回折を用いた材料の構造分析方法 - 特許庁

To provide a novel method for measuring physical property by using a convergent beam electron diffraction.例文帳に追加

収束電子回折を用いた、物性の新規な測定方法を提供する。 - 特許庁

The operation is carried out by a plurality of angles, a series of transmission electron images and the electron beam diffraction images are obtained, and based on the electron beam diffraction image, the projection direction for each of the series of the transmission electron images is decided.例文帳に追加

上記操作を複数の角度で行い、一連の透過電子像及び電子線回折像を取得し、その電子線回折像から上記一連の透過電子像の各々についての投影方向を決定する。 - 特許庁

To provide a reflection high-energy electron diffraction apparatus that can generate a reflection electron image diffraction pattern by using an electron beam having an extremely small current value at a nanoampere level.例文帳に追加

ｎＡレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。 - 特許庁

When an electron beam from the electron source is made incident, the emitting surfaces emit x-rays to the diffraction grating.例文帳に追加

出射面は、電子源からの電子線が入射することにより、回折格子へ向かうＸ線を出射する。 - 特許庁

The transmitted electron beam 3a is incident on an image detector 8 through a slit 6 and the image detector 8 obtains an electron beam diffraction image by the incident transmitted electron beam 3a.例文帳に追加

透過電子線３ａはスリット６を介して画像検出装置８に入射され、画像検出装置８は、入射された透過電子線３ａによって電子線回折像を得る。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING CRYSTAL AXIS RATIO BY CONVERGENT BEAM ELECTRON DIFFRACTION METHOD例文帳に追加

収束電子回折法による結晶軸比測定方法及び結晶軸比測定装置 - 特許庁

In the reflection high-energy electron diffraction apparatus 10, the electron beam 28 having an emission current value at a nanoampere level is emitted from the electron gun 15 toward the thin film.例文帳に追加

反射高速電子回析装置１０では、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜に向かって発射する。 - 特許庁

The exposed surfaces are irradiated with an electron beam by a TEM (Transmission Electron Microscope) to acquire a TEM image and an electron-beam diffraction image of the ferroelectric film, and element composition analysis etc., is carried out (step S2).例文帳に追加

その露出させた面に対し、ＴＥＭにより電子線を照射して、その強誘電体膜のＴＥＭ像や電子線回折像の取得、元素組成分析等を行う（ステップＳ２）。 - 特許庁

When a diffraction spot image appears on the electron beam diffraction image, it is determined that it is a periodic structure to find an intended visual field.例文帳に追加

電子線回折象に、回折スポット像が出現したら、周期構造であると判定し、目的とする視野を見つけ出したことになる。 - 特許庁

To provide an electron beam lithography device capable of writing the lattice pitch of a micro diffraction grating pattern with high accuracy.例文帳に追加

微細回折格子パターンの格子ピッチを高精度に描画できる電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

This system has an electron beam diffraction image analytical part 3 for calculating a lattice spacing from an electron beam diffraction image picked up by a TV camera 10 for observing the electron beam diffraction image, in an electron beam device, an EDX analytical part 2 connected to an EDX detector 9 to find a substance composition, and a substance identification part 4 provided with a database for retrieval for substance identification, and a database retrieval function.例文帳に追加

電子線装置に、電子線回折像観察用ＴＶカメラ１０によって取り込んだ回折像から格子面間隔を算出する電子線回折像解析部３、ＥＤＸ検出器９に接続され物質組成を求めるＥＤＸ分析部２、物質同定のための検索用データベースとデータベース検索機能を備えた物質同定部４を有する。 - 特許庁

To provide a transmission electron microscope capable of finding an observation area of an electron beam diffraction image without overlapping and omission.例文帳に追加

電子線回折像の観察領域を重複及び欠落なしに、見つけ出すことができる透過型電子顕微鏡装置を提供する。 - 特許庁

A method for analyzing the structure of a porous material allows small angle electron beam scattering to form a small angle electron beam scattering image 15 through image formation of a small angle electron beam scattering portion emerging at the central part of the electron beam diffraction image of the porous material.例文帳に追加

本発明の多孔質材料の構造解析方法は、小角電子線散乱により多孔質材料の電子線回折像の中央部に現れる小角電子線散乱部分を結像させることで小角電子線散乱像１５を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Continuously, the substrate S for the diffraction optical element is prepared, and a diffraction optical element pattern is drawn by electron beam exposure after resist film formation.例文帳に追加

続いて、この回折光学素子用の基板Ｓを用意し、レジスト成膜後に電子ビーム露光により回折光学素子パターンを描画する。 - 特許庁

A crystal arrangement direction of the sample in a scanning transmission image and a direction of an electron beam diffraction image are to be coincided with each other in crystal orientation direction alignment using the scanning transmission image and the electron beam diffraction image.例文帳に追加

本発明は、走査透過像と電子線回折像を用いた結晶方位合せにおいて、走査透過像における試料の結晶配列方向と、電子線回折像の方向を一致させることに関する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a blazed diffraction grating for the charged particle beam in electron beam lithography, that can manufacture a high precision blazed diffraction grating, having desired cross section by making the number of the charged particle beam scanning in each step, change based on a predetermined rule.例文帳に追加

本発明は、ＥＢ描画装置等の荷電粒子ビームを用いたブレーズド型回折格子の作製方法において、格子深さの制御を従来より厳密に行えるようにするものである。 - 特許庁

Using a plurality of optical elements in a transmission electron microscope 500, an unscattered electron beam is adjusted to deflect to prevent incidence of the electron beam onto a contrast enhancing element 518 disposed in the diffraction plane.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡５００の複数の光学素子を用いることにより非散乱電子ビームを偏向して、回折平面に配置されたコントラスト向上素子５１８に該電子ビームが照射されないように調節する。 - 特許庁

The book includes discussion of recent progress, especially in the area of convergent-beam electron diffraction, electron tomography, holograpy and the high resolution of crystal lattices. 例文帳に追加

その本は最近の進展に関する議論、特に収束電子回折、電子線トモグラフィー、ホログラフィーおよび、結晶格子の高分解能の分野を含む。 - 科学技術論文動詞集

A transmission electron image is obtained by radiating the electron beam to an evaluation site of the sample having the evaluation site where the structure is to be evaluated, and a single crystal site integrally joined with the evaluation site, and the electron beam diffraction image is obtained by radiating the electron beam to the single crystal site without changing a radiation angle of the electron beam.例文帳に追加

前記構造を評価すべき評価部位と、前記評価部位一体的に結合した単結晶部位とを有する試料の前記評価部位に前記電子線を照射して透過電子像を取得すると共に前記電子線の照射角度を変化させずに前記単結晶部位に前記電子線を照射して電子線回折像を取得する。 - 特許庁

A separator 4 for separating an irradiated electron beam 101 and a reflected electron beam 102 of the mirror electron microscope is positioned between an objective lens 5 and an intermediate lens 8, and a restriction diaphragm 14 is positioned in a position 43 where the intermediate lens 8 projects an electron beam diffraction image of the reflected electron beam 102 formed in a focus position 41 of the objective lens 5.例文帳に追加

ミラー電子顕微鏡の照射電子線１０１と反射電子線１０２を分離させるセパレータ４を対物レンズ５と中間レンズ８の間に配置し、反射電子線１０２の対物レンズ５の焦点位置４１に形成される電子線回折像が中間レンズ８により投影される位置４３に制限絞り１４を配置する。 - 特許庁

When detecting an ordinary observation image by the electron beam without spectral diffraction, the electron beam from the projecting lens part 7 is incident on the beam incident portion 11c of the electron spectrometer 11 and irradiates the image detection part 10 via the opening provided in the beam incident portion 11c.例文帳に追加

また、分光されない電子ビームによる通常の観察像を検出する際には、投影レンズ部７からの電子ビームは電子分光器１１のビーム入射部位１１ｃに入射後、ビーム入射部位１１ｃに設けられた開口部を介してそのまま像検出部１０に照射される。 - 特許庁

A group in which pixels brighter than a brightness threshold are adjacent to each other is determined from the electron beam diffraction image to be a spot.例文帳に追加

電子線回折像から、明るさの閾値より明るい画素が隣接している集団をスポットであると判定する。 - 特許庁

An electron beam apparatus has an electron beam diffraction image analyzing part 3 for calculating lattice spacing based on a diffraction image taken in by a TV camera 10 for observing the electron beam diffraction image, an EDX analyzing part 2 connected to an EDX detector 9 to find a substance composition, and a substance identifying part 4 provided with a database for retrieval for identifying the substance and a database retrieving function.例文帳に追加

電子線装置に、電子線回折像観察用ＴＶカメラ１０によって取り込んだ回折像から格子面間隔を算出する電子線回折像解析部３、ＥＤＸ検出器９に接続され物質組成を求めるＥＤＸ分析部２、物質同定のための検索用データベースとデータベース検索機能を備えた物質同定部４を有する。 - 特許庁

To specify a main spot from an electron beam diffraction image precisely to determine the position of the main spot and then measure a distance between spots.例文帳に追加

電子線回折像から、メインスポットを正確に特定し、メインスポットの位置を正確に特定して、スポット間距離を計測する。 - 特許庁

To provide an observation technology by a phase retrieval type electron microscope, making the intensity distribution of a parallel electron beam with a microscopic diameter in measuring a real image and an electron diffraction pattern bright and uniform.例文帳に追加

実像と電子回折像を測定する際の微小径かつ平行な電子線を、明るくかつ均一な強度分布にする位相回復方式の電子顕微鏡による観察技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a diffraction grating by direct plotting using charged particle beam such as electron beam or ion beam and in detail, a method of precisely plotting the diffraction grating having an optional spatial frequency without depending on beam irradiation position control resolution of the plotting device.例文帳に追加

本発明は、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームを用いた、直接描画による回折格子の形成方法に係り、さらに詳しくは、描画装置のビーム照射位置制御分解能によらず、任意の空間周波数の回折格子を精度良く描画する方法に関するものである。 - 特許庁

The known method includes using a scanning transmission electron microscope, and also using a scanned diffraction beam of the STEM.例文帳に追加

知られた方法は、走査透過電子顕微鏡を使用することを伴うと共に、ＳＴＥＭの回折の走査されたビームを使用する。 - 特許庁

Further, the direction of the electron beam diffraction image is changed with an action of an electromagnetic lens, for instance, by changing current conducted to a plurality of projection lenses.例文帳に追加

また、例えば、複数の投射レンズに通電する電流を変化させ、電磁レンズの作用によって電子線回折像の方向を変化させる。 - 特許庁

Diffraction images of the evaluated sample and the standard sample formed by an electron beam E2 transmitted through/diffracted the joined body are detected in this method.例文帳に追加

そして、接合体を透過・回折した電子ビームＥ２により形成される被評価試料及び標準試料の回折像を検出する。 - 特許庁

While forming apertures 19 in a cap layer 16 only in a diffraction grating part 2 by an electron beam (EB) exposure method, a plurality of groove-like recesses 17 are formed in the surface of a diffraction grating layer 15.例文帳に追加

電子ビーム（ＥＢ）露光法により、回折格子部２内においてのみ、キャップ層１６に開口部１９を形成しながら回折格子層１５の表面に複数の溝状の凹部１７を形成する。 - 特許庁

To appropriately define coordinates of respective spots in a nano electron beam diffraction pattern to calculate a lattice plane distance with sufficient accuracy.例文帳に追加

本発明の課題は、ナノ電子線回折パタンにおける各スポットの座標を適切に定義し、格子面距離を精度良く算出することを目的とする。 - 特許庁

The interference fringe and the diffraction grating pattern are plotted by an electron beam lithographing device based on an image data generated by calculation by a computer.例文帳に追加

干渉縞や回折格子パターンは、コンピュータによる演算に基いて生成された画像データに基き、電子線描画装置によって描画される。 - 特許庁

A one-dimensional diffraction grating is positioned such that the direction of the grating is horizontal to the scanning direction of the electron beam, and the electron beam is scanned horizontally while shifting the scanning vertically so as to coincide with the pitch dimension of the grating.例文帳に追加

電子ビームの走査方向に対して格子の方向を水平方向になるように一次元回折格子を配置させ、かつ格子のピッチ寸法に一致するように電子ビーム走査を垂直方向に移動させながら水平に走査する。 - 特許庁

By using two electron beam biprisms in two stages in the optical axis direction, not only the Fresnel diffraction can be avoided, but also the interference fringe spacing s and the interference region width W are independently controlled by controlling the respective electrode voltage of the electron beam biprism.例文帳に追加

２つの電子線バイプリズムを光軸方向に２段に用いることにより、フレネル回折を回避できるだけでなく、干渉縞間隔ｓと干渉領域幅Ｗを、それぞれの電子線バイプリズム電極電圧を制御して、独立にコントロールする。 - 特許庁

To increase a ratio of x rays made incident on a diffraction grating and an image sensor in a system for diffracting characteristic x-rays from a sample irradiated with an electron beam by the diffraction grating and sampling a spectrum by the image sensor.例文帳に追加

電子線を照射した試料からの特性Ｘ線を回折格子により回折させてイメージセンサでスペクトルを採取するシステムにおいて、回折格子やイメージセンサに入射するＸ線の比率を大きくする。 - 特許庁

A sample stage is moved at electron beam diffraction mode in a unity of a value obtained by dividing hole diameter of a visual field stop by an image magnifying power at the hole of the visual field stop.例文帳に追加

電子線回折モードにて、視野絞りの孔径を視野絞りの孔における像の拡大率によって除算した値を単位として、試料ステージを移動させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing optical element capable of proper alignment in marking a pattern of a diffraction grating by means of an electron beam lithographic device.例文帳に追加

電子ビーム露光装置を用いて回折格子のためのパターンを描画する際に良好なアライメントが可能になる半導体光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

Normally, intensity distribution of an electron beam is not of a rectangular distribution that faithfully corresponds to (a) because of diffraction phenomenon, but has a distribution containing a specified widening as in (b).例文帳に追加

通常は、回折現象のため、電子線の強度分布は（ａ）に忠実に対応するような矩形分布とならず、（ｂ）のように所定の広がりを持った分布となる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a distributed feedback semiconductor laser capable of reducing the effect of movement error of the stage of an electron beam drawing device on a diffraction grating.例文帳に追加

電子ビーム描画装置のステージの移動誤差が回折格子に与える影響を小さくできる分布帰還型半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for electron-beam lithography by which a diffraction structure shape in a state overhung is formed according to the curved surface structure of a base material and a finer grating pitch is realized, and to provide a base material plotted by the same and electron beam lithographic equipment.例文帳に追加

本発明は、基材の曲面構造に応じてオーバーハングした状態の回折構造の形状を構成することができ、かつ、より微細な格子ピッチにも対応することのできる電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

For example, a light receiving surface of a TV camera for photographing the electron beam diffraction image is directly and indirectly rotated by operating in linking with the crystal arrangement direction of the sample of the scanning transmission image.例文帳に追加

例えば、走査透過像の試料の結晶配列方向に連動して、電子線回折像を撮影するＴＶカメラの受光面を直接あるいは間接的に回転させる。 - 特許庁

To provide an electron beam lithography capable of performing correction of canceling working errors accumulated in other processes and plotting a diffraction structure by which a prescribed optical performance is obtained.例文帳に追加

他工程にて蓄積した加工誤差を解消する補正を行い、所定の光学的性能が得られる回折構造を描画することができる電子ビーム描画方法を提供する。 - 特許庁

To perform measurements on wide energy regions in the system which diffracts, with a diffraction grating, the characteristic X-ray from a sample irradiated with an electron beam and collects spectra with an image sensor.例文帳に追加

電子線を照射した試料からの特性Ｘ線を回折格子により回折させてイメージセンサでスペクトルを採取するシステムにおいて、幅広いエネルギー領域の測定を行う。 - 特許庁