「electron beam diffraction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To manufacture a lens mold with which a diffraction structure for aberration correction can be formed on the light converging surface side of an optical lens and further an optical element mold for an optical aberration correcting element etc., without decrease in diffraction efficiency nor a decrease in product value by using an electron beam drawing device.例文帳に追加

回折効率の低下や製品価値の低下を招かずに、光レンズの集光面側に収差補正用回折構造を形成することが可能なレンズ成形型、更には光学収差補正素子等の光学素子成形型を、電子ビーム描画装置による描画を用いて作製すること。 - 特許庁

To manufacture a lens molding die capable of forming a diffraction structure for aberration correction in an optical lens without causing deterioration of diffraction efficiency or deterioration of a product value, and an optical element molding die for an optical aberration correction element or the like by using drawing by the electron beam drawing device.例文帳に追加

回折効率の低下や製品価値の低下を招かずに、光レンズに収差補正用回折構造を形成することが可能なレンズ成形型、更には光学収差補正素子等の光学素子成形型を、電子ビーム描画装置による描画を用いて作製すること。 - 特許庁

To produce a lens molding die capable of forming a diffraction structure for correcting aberration on an optical lens without causing the reduction in diffraction efficiency and the reduction in a product value, and further, to produce a molding die for an optical element such as an optical aberration correction element using drawing by an electron beam drawing system.例文帳に追加

回折効率の低下や製品価値の低下を招かずに、光レンズに収差補正用回折構造を形成することが可能なレンズ成形型、更には光学収差補正素子等の光学素子成形型を、電子ビーム描画装置による描画を用いて作製すること。 - 特許庁

The substance identification part 4 retrieves the database for the retrieval to identify the substance, based on the lattice spacing transmitted from the electron beam diffraction image analytical part 3 and an element data transmitted from the EDX analytical part 2.例文帳に追加

物質同定部４は、電子線回折像解析部３から送信された格子面間隔データ、ＥＤＸ分析部２から送信された元素データをもとに検索用データベースを検索して物質を同定する。 - 特許庁

When using the time division drive method, a data signal side drive circuit 102 and a gate signal side drive circuit 103 are respectively configured by TFTs each having an extremely rapid operation speed and using a semiconductor film having an active layer showing an electron beam diffraction image corresponding to [110] orientation.例文帳に追加

また、時分割駆動方式を用いる際、データ信号側駆動回路１０２及びゲート信号側駆動回路１０３を、特異な結晶構造を有するシリコン膜を用いた極めて動作速度の速いＴＦＴで形成する。 - 特許庁

A host computer 9 displays an electron beam diffraction-image as a digital image of 256 gradations and uses a lattice constant as a parameter by simultation to perform fitting by using a predetermined program, thereby calculates the lattice constant of the semiconductor device 1.例文帳に追加

ホストコンピュータ９は、電子線回折像を２５６階調のディジタル画像として表示し、シミュレーションにより格子定数をパラメータとして所定のプログラムを用いてフィッティングを行い、半導体装置１の格子定数を算出する。 - 特許庁

To provide a technique capable of shortening a processing time when the lattice constant or lattice strain quantity of a crystal is measured and analyzed on the basis of a high-order Laue zone (HOLZ) line appearing in a converged electron beam diffraction (CBED) image.例文帳に追加

収束電子線回折（ＣＢＥＤ）像に現れる高次ラウエゾーン（ＨＯＬＺ）線に基づいて結晶の格子定数又は格子歪み量の測定・解析を行う場合において、処理時間を短縮することができる技術を提供する。 - 特許庁

In the method and the apparatus for ionizing cluster, a cluster ion beam source 5 is included, the cluster ion beam source has a wavelength control mechanism (diffraction grating, aperture slit) capable of controlling the wavelength of the light irradiated on the cluster in a wavelength range having the energy to cause ionization by inner shell electron, and the cluster is ionized in multivalent manner by utilizing Auger process.例文帳に追加

クラスターのイオン化方法または装置において、クラスターイオンビーム源５を備え、該クラスターイオンビーム源を、クラスターに照射される光の波長を内殻電子による電離が起きるエネルギー持つ波長範囲に制御可能とした波長制御機構（回折格子，アパチャースリット）を有する構成とし、オージェ過程を利用してクラスターを多価にイオン化するように構成する。 - 特許庁

To reduce warpages and curls of an optical wiring layer by relaxing stresses exerting on the optical wiring layer and to form optical elements such as a waveguide pattern, a mirror and a diffraction grating by using dry etching, a dicing saw and an electron beam exposure of the like to a minimum.例文帳に追加

光配線層にかかる応力を緩和し、光配線層のそりやまるまりを抑えることを第１の課題とし、ドライエッチングや、ダイシングソー、電子線露光などをなるべく用いずに導波路パターンや、ミラーや回折格子といった光学素子を形成することを第２の課題とする。 - 特許庁

A position relation between an external shape and the crystal orientation of a specimen is clarified by comparative measurement using a reference sample having a clear position relation between the external shape and the crystal orientation on the same sample coordinate, by using a back-scattered electron beam diffraction pattern method (EBSP method).例文帳に追加

後方散乱電子線回折パターン法（ＥＢＳＰ法）を用いて、同じ試料座標上で外形形状と結晶方位の位置関係が明確な基準試料を用いて比較測定する事で、被検体の外形形状と結晶方位の位置関係を明確にする。 - 特許庁

To provide a crystal orientation measuring method, capable of detecting a wrong crystal orientation generated systematically with a specific crystal orientation relation between a correct crystal orientation and a wrong crystal orientation measured by the crystal orientation measuring method for mapping the crystal orientation, by using an electron beam backward scattering diffraction image or a Kossel diffraction image, and correcting the wrong crystal orientation.例文帳に追加

電子線後方散乱回折像やコッセル回折像を用いて結晶方位をマッピングする結晶方位測定方法で測定した正しい結晶方位と誤った結晶方位との間に特定の結晶方位関係をもって生ずる系統的に発生する誤った結晶方位を検知し、誤った結晶方位を修正できる結晶方位測定方法を提供する。 - 特許庁

An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor.例文帳に追加

ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁

To accurately obtain mechanical characteristics at the time of plastic deformation of a polycrystalline material by rapidly and certainly estimating the non-uniform deformation state of the microscopic texture of the polycrystalline material when the polycrystalline material receives macroscopic deformation by a simple method using the crystal data of the polycrystalline material receiving no plastic deformation obtained by a back scattering electron beam diffraction (EBSD) method.例文帳に追加

後方散乱電子線回折（ＥＢＳＤ）法により得られた塑性変形を受けていない多結晶材料の結晶情報を用いて、多結晶材料が巨視的変形を受けた際の微視組織の不均一変形状態を、簡易な方法で迅速且つ確実に予測し、多結晶材料の塑性変形時の機械特性を正確に得る。 - 特許庁