electron cross sectionとは 意味・読み方・使い方

When the cross section is exposed, a scanning electron microscope is used for measuring dimensions of the feature.例文帳に追加

各断面が暴露される際、フィーチャの該当寸法を測定するために、走査電子顕微鏡が使用される。 - 特許庁

To provide an evaluation implement capable of measuring correctly electron conductivity in a direction of cross section, especially for electron conductors of thin film.例文帳に追加

特に薄膜の電子伝導体に対し、断面方向における電子伝導性を正確に測定することができる評価治具を提供することにある。 - 特許庁

This is an electron beam exposing device to radiate the electron beams to a specimen, and has an electron beam generating part to generate the electron beam and has a current detecting part to detect the current of the electron beam with a mark part which is smaller than the area of the cross section of the electron beam in the specimen, by the electron beam radiated to the mark part.例文帳に追加

試料に電子ビームを照射する電子ビーム露光装置であって、電子ビームを発生する電子ビーム発生部と、試料における電子ビームの断面の面積より小さいマーク部を有し、マーク部に電子ビームが照射されることにより、電子ビームの電流を検出する電流検出部とを備える。 - 特許庁

SCANNING ELECTRON MICROSCOPE, ITS DYNAMIC FOCUS CONTROL METHOD AND SHAPE IDENTIFYING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE SURFACE AND CROSS SECTION例文帳に追加

走査電子顕微鏡、そのダイナミックフォーカス制御方法および半導体デバイスの表面および断面形状の把握方法 - 特許庁

In order to observe a worked cross section being worked by an FIB, the axis of the electron optics system of a scanning electron microscope(SEM) 40 is set vertical to the axis of the ion-optics system of an FIB device 20.例文帳に追加

ＦＩＢで加工中の加工断面を観察するために、ＦＩＢ装置２０のイオン光学系の軸に対しＳＥＭ４０の電子光学系の軸を垂直にした。 - 特許庁

The conductive support layer 3 is arranged in an opening part of an insulating layer 4, and includes an arc having an upward projecting cross section of a tip, and having a downward projecting cross section of the electron emitting part 7.例文帳に追加

また、前記導電性支持層３が絶縁層４の開口部に配置され、先端部の断面が上に凸で、電子放出部７の断面が下に凸のある弧を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Further, the observation method for observing the cross section of the semiconductor device includes a process for observing the cross section of the specific place of the semiconductor device by a scanning microscope and a process for forming the protective film of an amorphous structure to the cross section and further observing the cross section by the transmission type electron microscope through the protective film.例文帳に追加

また、半導体デバイスの断面を観察する観察方法において、前記半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察する工程と；前記断面に非晶質構造の保護膜を形成し、当該保護膜を透して透過型電子顕微鏡によって前記断面を更に観察する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sample for cross-section observation by a scanning electron microscope that is appropriate to smooth cross-section formation of 10-100 μm order, does not require a skilled technique of a worker, has high processing position accuracy, and accurately forms a cross section at a desired specific position.例文帳に追加

１０μｍ〜１００μｍオーダーの平滑な断面形成に適し、作業者の熟練の技術を必要とせず、かつ加工位置精度に優れ、所望の特定位置に正確に断面を形成できる、走査電子顕微鏡による断面観察用サンプルの作製方法を提供する。 - 特許庁