electron crystalsとは 意味・読み方・使い方

The photoelectric conversion device has at least an electron accepting type charge transfer layer, an electron donating type charge transfer layer, and a light absorbing layer 16 present between these charge transfer layers, wherein either one of these charge transfer layers is a semiconductor layer 17 formed out of thin-chip-form crystals.例文帳に追加

電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層１６とを少なくとも有する光電変換装置であって、電荷輸送層のいずれかが薄片状結晶から成る半導体層１７である。 - 特許庁

The electron emission element 2 is provided with an epitaxial structure 5 including diamond crystals, and the epitaxial structure 5 has a shape capable of being housed in a column, having a bottom with a diameter of 100 μm and a height of 1,000 μm.例文帳に追加

電子放出素子２は、ダイヤモンド結晶を含むエピタキシャル構造体５を備え、エピタキシャル構造体５は、１００μｍの直径の底面と１０００μｍの高さとを有する円柱内に収容可能な形状を有する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a carrier motional frequency in a crystal and a carrier motional frequency between crystals by separation when evaluating electron transfer property such as the carrier motional frequency in a polycrystalline organic semiconductor thin film.例文帳に追加

多結晶性の有機半導体薄膜におけるキャリア移動頻度等の電子移動性を評価するに際し、結晶内におけるキャリア移動頻度と結晶間におけるキャリア移動頻度とを分離して評価する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a polycrystalline thin film and a method for producing a composite nanocrystal layer, with which variation in size of a great number of columnar crystals grown in a direction perpendicular to one surface of a substrate and variation in formation positions can be suppressed, and a field-emission electron source enhancing electron emission efficiency and a luminescent device enhancing luminous efficiency.例文帳に追加

基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。 - 特許庁

Two-dimensional photonic crystals are formed on a slab 21 having a quantum well structure obtained by alternately laminating a first semiconductor layer 211 and a second semiconductor layer 212 having partially overlapped electron band gaps by periodically forming pores 22 therein.例文帳に追加

電子のバンドギャップの一部が重複する第１半導体層２１１と第２半導体層２１２を交互に積層して成る量子井戸構造を有するスラブ２１に、周期的に空孔２２を形成することにより２次元フォトニック結晶を形成する。 - 特許庁

To provide a method capable of inexpensively manufacturing a Mg-doped p-type gallium nitride semiconductor which is excellent in crystal quality and low in resistance, without giving an after treatment, such as electron beam irradiation, annealing, etc, after the growth of crystals, and preventing a yield reduction of elements due to the after treatment.例文帳に追加

結晶成長後に電子線照射やアニーリング等の後処理を施さなくても、結晶品質が良好で低抵抗なＭｇドープのｐ型窒化ガリウム系半導体を低価格で得ることができ、後処理による素子の歩留まり低下を防ぐ方法を提供する。 - 特許庁

The flatness of a spacer 10 is enhanced by doping the spacer layer 10 with oxygen, when growing sequentially the crystals of a buffer layer 2, a channel layer 4, the spacer layer 10, an electron supply layer 5, and a contact layer 6 by supplying dopant material, group III material, group V material, and gas for dilution onto a heated substrate 1.例文帳に追加

加熱された基板１上にドーパント原料、III族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給し、バッファ層２、チャネル層４、スペーサ層１０、電子供給層５及びコンタクト層６を順次結晶成長させる際に、スペーサ層１０に酸素をドーピングすることにより、スペーサ層１０の平坦度が向上する。 - 特許庁

At a position facing a discharge space S between a front glass substrate 1 and a back glass substrate 6, a magnesium oxide layer 5 is provided containing crystal powder from which magnesium oxide crystals are selected to be excited by electron beams for cathode luminescence with a peak in a wavelength region of 200-300 nm.例文帳に追加

前面ガラス基板１と背面ガラス基板６の間の放電空間Ｓに面する位置に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体が選別された結晶体粉末を含む酸化マグネシウム層５が設けられている。 - 特許庁