This device has a semiconductor chip 1, an insulating film formed on the surface of the semiconductor chip, a plurality of projection-like stress buffers 2 formed on the insulating film, projecting electrodes 3 covering at least tops of the stress buffers, and wires 4 for electrically connecting the projecting electrodes and the elementary electrodes of the semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップ１と、該半導体チップの表面に形成した絶縁膜と、該絶縁膜上に形成した複数個の突起状の応力緩和材２、該応力緩和材の少なくとも頂部を被覆した突起電極３と、該突起電極と前記半導体チップの素子電極を電気的に接続する配線４を有する。 - 特許庁

While a light source valve 22 is used as the light source of the elementary lighting fixture 20 which requires a large quantity of light, as the light source of the additional lighting fixture 60 which is lighted on and off repeatedly in response to the travelling condition of the vehicle, semiconductor light-emitting elements 64 fast in response speed and superior in endurance against repetition of lighting on and off are used.例文帳に追加

大きな照射光量を必要とする基本灯具ユニット２０の光源として光源バルブ２２を用いる一方、車両走行状況に応じて点消灯が繰り返される付加灯具ユニット６０については、その光源として、点消灯時の応答速度が速く、かつ点消灯の繰り返しに対する耐久性に優れた半導体発光素子６４を用いる。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a step of preparing wafer, having polysilicon pads 15 formed along scribe lines 21, a step of electrically testing the wafer by contacting a test needle for measuring test elementary groups to the pads 15, a step of dicing the wafer by a dicing blade to form a plurality of semiconductor chips 22, 23 and a step of mounting the semiconductor chips on a tape carrier package.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、スクライブライン２１にポリシリコンパッド１５が形成されたウエハを準備する工程と、ポリシリコンパッド１５にＴＥＧ測定のための測定用針を接触させてウエハの電気的な試験を行う工程と、ダイシングブレードを用いて前記ウエハをダイシングすることにより、複数の半導体チップ２２，２３を形成する工程と、前記半導体チップにＴＣＰ実装を行う工程と、を具備するものである。 - 特許庁