例文 (5件) |
elementary semiconductorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
By irradiating a GaN substrate 4 with negative muon and pion elementary particles, impurities can be doped into a semiconductor to convert it into P type.例文帳に追加
負のミュオン・パイオン素粒子をGaN基板4へ照射することによって不純物を半導体へドーピングし、P型化することができる。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit is constituted of an elementary logic cell (2) functioning as the component of a logic circuit and dummy cells (1, 21) including no function as the component of a logic circuit.例文帳に追加
論理回路の部品として機能する基本論理セル(2)と、論理回路の部品としての機能を含まないダミーセル(1、21)とを具備する半導体集積回路を構成する。 - 特許庁
This device has a semiconductor chip 1, an insulating film formed on the surface of the semiconductor chip, a plurality of projection-like stress buffers 2 formed on the insulating film, projecting electrodes 3 covering at least tops of the stress buffers, and wires 4 for electrically connecting the projecting electrodes and the elementary electrodes of the semiconductor chip.例文帳に追加
半導体チップ1と、該半導体チップの表面に形成した絶縁膜と、該絶縁膜上に形成した複数個の突起状の応力緩和材2、該応力緩和材の少なくとも頂部を被覆した突起電極3と、該突起電極と前記半導体チップの素子電極を電気的に接続する配線4を有する。 - 特許庁
While a light source valve 22 is used as the light source of the elementary lighting fixture 20 which requires a large quantity of light, as the light source of the additional lighting fixture 60 which is lighted on and off repeatedly in response to the travelling condition of the vehicle, semiconductor light-emitting elements 64 fast in response speed and superior in endurance against repetition of lighting on and off are used.例文帳に追加
大きな照射光量を必要とする基本灯具ユニット20の光源として光源バルブ22を用いる一方、車両走行状況に応じて点消灯が繰り返される付加灯具ユニット60については、その光源として、点消灯時の応答速度が速く、かつ点消灯の繰り返しに対する耐久性に優れた半導体発光素子64を用いる。 - 特許庁
This manufacturing method comprises a step of preparing wafer, having polysilicon pads 15 formed along scribe lines 21, a step of electrically testing the wafer by contacting a test needle for measuring test elementary groups to the pads 15, a step of dicing the wafer by a dicing blade to form a plurality of semiconductor chips 22, 23 and a step of mounting the semiconductor chips on a tape carrier package.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置の製造方法は、スクライブライン21にポリシリコンパッド15が形成されたウエハを準備する工程と、ポリシリコンパッド15にTEG測定のための測定用針を接触させてウエハの電気的な試験を行う工程と、ダイシングブレードを用いて前記ウエハをダイシングすることにより、複数の半導体チップ22,23を形成する工程と、前記半導体チップにTCP実装を行う工程と、を具備するものである。 - 特許庁
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