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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英・英日専門用語 > excessive chargesの意味・解説 

excessive chargesとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 法外な代金[料金]


日英・英日専門用語辞書での「excessive charges」の意味

excessive charges


「excessive charges」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 38



例文

excessive charges発音を聞く 例文帳に追加

法外な料金 - 日本語WordNet

excessive charges発音を聞く 例文帳に追加

法外な代金[料金]. - 研究社 新英和中辞典

When the amount of signal charges of the transfer register 140A becomes at least a definite threshold value (Qc), an excessive amount of the signal charges is discharged to the outside.例文帳に追加

転送レジスタ140Aの信号電荷が一定の閾値(Qc)以上になった場合に、その信号電荷の超過分を外部に排出する。 - 特許庁

When excessive light impinges on the CCD to cause leakage of excessive charges from an effective pixel region to an OB region during an OB period, reset processing is performed.例文帳に追加

過大光がCCDに入射し、OB期間に有効画素領域からOB領域に余剰電荷が漏れ込んだ場合はリセット処理を行なう。 - 特許庁

In this way, excessive supply of charges to a gate of the FET Q1 at the time of input of AC voltage of the AC200V system is prevented.例文帳に追加

これにより、AC200V系の交流電圧入力時でのFETQ1のゲートへの過剰電荷供給がなくなる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of suppressing the generation of a blooming signal by providing a path of excessive electric charges with a simple structure, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

単純な構造の過剰電荷の通路を設け、ブルーミング信号の発生を抑制する固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To obtain a driving method for a solid-state imaging element and a solid-state imaging apparatus in which excessive charges can be swept out to a substrate with a little power consumption.例文帳に追加

少ない消費電力で余分な電荷を基板へ掃き出しできる固体撮像素子の駆動方法及び固体撮像装置を得る。 - 特許庁

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Weblio英和対訳辞書での「excessive charges」の意味

excessive charges

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「excessive charges」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 38



例文

Because right before the phone call from the social worker a lawyer from the public defender's office threatened to bring you up on charges of excessive force.例文帳に追加

ソーシャルワーカーからの電話の前には あの弁護士から 過剰暴行で あなたを法廷に出頭させるって 脅されたわ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

To prevent the generation of so-called white scratches due to a leak age current based on the discharge of electric charges from the boundary level of a gate insulation film and a channel area and to prevent the generation of smears due to excessive light generation electric charges.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とチャネル領域の界面準位からの電荷の放出に基づくリーク電流に起因する所謂白キズの発生を防止し、かつ過剰な光発生電荷に起因するスミアの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a method for increasing the total amount of injection of electric charges for a floating gate by preventing excessive large electric field from being applied to a tunnel oxide film and a capacitance insulation film in a test of an electric charges holding characteristic of a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の電荷保持特性の検査において、トンネル酸化膜や容量絶縁膜に過剰に大きい電界が印加されないようにして、浮遊ゲートへの電荷注入総量を多くする方法を提供する。 - 特許庁

When transfer charges overflow to an OB part after the excessive light is incident on the CCD, the charges overflowed to the OB part are discharged to a reset drain RD by phase inversion of the reset pulse FR, and the pseudo-OB level whose level is nearly equal to the black level is generated.例文帳に追加

過大光がCCDに入射してOB部に転送電荷があふれた場合に、リセットパルスFRの位相反転によって、OB部に溢れ出した電荷がリセットドレインRDに排出され、黒レベルと略等しい擬似OBレベルが生成される。 - 特許庁

When excessive light is incident upon a CCD, transferred electric charges overflow an OB section, the electric charges are discharged to a reset drain RD following the phase inversion of the reset pulse FR to generate a pseudo-OB level substantially equal to the black level.例文帳に追加

過大光がCCDに入射してOB部に転送電荷があふれた場合に、リセットパルスFRの位相反転によって、OB部に溢れ出した電荷がリセットドレインRDに排出され、黒レベルと略等しい擬似OBレベルが生成される。 - 特許庁

The small drift areas 14' and 14" are so arranged that when a reverse bias is applied between both ends of the p+ area 12 and n+ area 13, excessive electric charges change linearly with the distance from the p+ area 12 to generate excessive electric charges in one small drift area 14" to the other drift area 14'.例文帳に追加

逆電圧バイアスがp+領域12およびn+領域13の両端間に印加された場合に、過剰な電荷がドリフト小領域14”の1つの内に他のドリフト小領域14’に対して形成されるように、この過剰な電荷はp+領域12から距離とともにほぼ直線的に変化するように、ドリフト小領域14’、14”は配置される。 - 特許庁

A two-terminal element 100 obtained by strapping a gate electrode 104 and a source electrode 108 for a thin film transistor is provided for each the pixel electrodes 12 so as to emit the excessive electric charges of the pixel electrodes 12.例文帳に追加

画素電極12…毎に、薄膜トランジスタのゲート電極104とソース電極108とが短絡されてなる二端子素子100が画素電極12の過剰電荷を放出すべく設けられる。 - 特許庁

例文

Consequently, the FD part 124 is prevented from becoming saturated with the electric charges overflowing from the photodiode 122 and a voltage can be obtained which linearly changes with the quantity of incident light even when the incident light is excessive.例文帳に追加

これにより、フォトダイオード122から溢れた電荷によりFD部124が飽和しないようにでき、過大な入射光の場合にも入射光量に対し直線的に変化する電圧を得ることができる。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る


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