excessive chargesとは 意味・読み方・使い方

To prevent the generation of so-called white scratches due to a leak age current based on the discharge of electric charges from the boundary level of a gate insulation film and a channel area and to prevent the generation of smears due to excessive light generation electric charges.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とチャネル領域の界面準位からの電荷の放出に基づくリーク電流に起因する所謂白キズの発生を防止し、かつ過剰な光発生電荷に起因するスミアの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a method for increasing the total amount of injection of electric charges for a floating gate by preventing excessive large electric field from being applied to a tunnel oxide film and a capacitance insulation film in a test of an electric charges holding characteristic of a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の電荷保持特性の検査において、トンネル酸化膜や容量絶縁膜に過剰に大きい電界が印加されないようにして、浮遊ゲートへの電荷注入総量を多くする方法を提供する。 - 特許庁

When transfer charges overflow to an OB part after the excessive light is incident on the CCD, the charges overflowed to the OB part are discharged to a reset drain RD by phase inversion of the reset pulse FR, and the pseudo-OB level whose level is nearly equal to the black level is generated.例文帳に追加

過大光がＣＣＤに入射してＯＢ部に転送電荷があふれた場合に、リセットパルスＦＲの位相反転によって、ＯＢ部に溢れ出した電荷がリセットドレインＲＤに排出され、黒レベルと略等しい擬似ＯＢレベルが生成される。 - 特許庁

When excessive light is incident upon a CCD, transferred electric charges overflow an OB section, the electric charges are discharged to a reset drain RD following the phase inversion of the reset pulse FR to generate a pseudo-OB level substantially equal to the black level.例文帳に追加

過大光がＣＣＤに入射してＯＢ部に転送電荷があふれた場合に、リセットパルスＦＲの位相反転によって、ＯＢ部に溢れ出した電荷がリセットドレインＲＤに排出され、黒レベルと略等しい擬似ＯＢレベルが生成される。 - 特許庁

The small drift areas 14' and 14" are so arranged that when a reverse bias is applied between both ends of the p+ area 12 and n+ area 13, excessive electric charges change linearly with the distance from the p+ area 12 to generate excessive electric charges in one small drift area 14" to the other drift area 14'.例文帳に追加

逆電圧バイアスがｐ＋領域１２およびｎ＋領域１３の両端間に印加された場合に、過剰な電荷がドリフト小領域１４”の１つの内に他のドリフト小領域１４’に対して形成されるように、この過剰な電荷はｐ＋領域１２から距離とともにほぼ直線的に変化するように、ドリフト小領域１４’、１４”は配置される。 - 特許庁

A two-terminal element 100 obtained by strapping a gate electrode 104 and a source electrode 108 for a thin film transistor is provided for each the pixel electrodes 12 so as to emit the excessive electric charges of the pixel electrodes 12.例文帳に追加

画素電極１２…毎に、薄膜トランジスタのゲート電極１０４とソース電極１０８とが短絡されてなる二端子素子１００が画素電極１２の過剰電荷を放出すべく設けられる。 - 特許庁

Consequently, the FD part 124 is prevented from becoming saturated with the electric charges overflowing from the photodiode 122 and a voltage can be obtained which linearly changes with the quantity of incident light even when the incident light is excessive.例文帳に追加

これにより、フォトダイオード１２２から溢れた電荷によりＦＤ部１２４が飽和しないようにでき、過大な入射光の場合にも入射光量に対し直線的に変化する電圧を得ることができる。 - 特許庁

A protective means connected to the sensing pad electrode SP for releasing excessive electric charges impressed or stored on the sensing pad electrode SP, a protective diode Di for instance, is formed on the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

センシングパッド電極ＳＰに接続され、センシングパッド電極ＳＰに印加または蓄積された過剰な電荷を逃がす保護手段、たとえば保護ダイオードＤｉが、半導体基板２に形成されている。 - 特許庁