excimer formationとは 意味・読み方・使い方

To provide a composition for the formation of an antireflection film which has a high antireflection effect, causes no intermixing with a resist layer and can be used in lithographic processes using irradiation light of ArF excimer laser (at 193 nm wavelength).例文帳に追加

反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミキシングを起こさない、ArFエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）の照射光を用いたリソグラフィープロセスにおいて使用できる反射防止膜形成組成物の提供。 - 特許庁

To uniform a crystal grain diameter in a part with a metallic film and in a part without it below a semiconductor film by annealing by excimer laser in formation of a semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜を形成する際において、エキシマレーザによるアニールによって半導体膜の下方に金属膜がある部分とない部分とで結晶粒径を揃えることである。 - 特許庁

To form an improved insulation film that causes a wafer surface to be damaged less and has less impurities by excimer beams under the presence of an organic oxide film formation gas.例文帳に追加

有機系酸化膜形成ガスの存在下エキシマ光により、ウエハ表面に損傷が少なく、かつ不純物が少ない良質な絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Next, a material gas for film formation such as tetraethocy orthosilicate 8 is introduced into the chamber, and the wafer is subjected to radiation of vacuum ultraviolet light from an excimer lamp 1 via a window 2 made of artificial quartz.例文帳に追加

次いで、成膜用の材料ガス、例えばテトラエトキシオルソシリケイト８を導入して、エキシマランプ１により、人工石英製の窓２を介して真空紫外光を照射する。 - 特許庁

To provide a novel π-σ conjugate polymer especially having a high degree of color purity of blue light emission suppressed in reduction of the degree of color purity of EL caused by formation of an excimer in spite of a π-σ conjugate fluoren-based polymer.例文帳に追加

π−σ共役系のフルオレン系ポリマーであるにも拘わらず、エキシマー形成によるＥＬの色純度悪化が抑制され、特に、青色発光の色純度の非常に高い新規なπ−σ共役ポリマーを提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition having a broad process window in contact hole formation in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, and capable of suppressing pit formation in flow baking, and to provide a method of forming a pattern using the same.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ションに於いて、コンタクトホール形成において広いプロセスウインドウをもち、かつフローベーク時のピット形成を抑制出来るレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition useful for a process using light with shorter wavelength than KrF excimer laser light, for example, F_2 excimer laser light (157 nm) or EUV (vacuum ultraviolet light 13 nm), allowing formation of resist pattern with high resolution and good shape of cross section, and to provide an alkali-soluble polysiloxane resin capable of providing a substrate provided with the resist layer.例文帳に追加

ＫｒＦエキシマレーザー以下の短波長光、例えば、Ｆ_２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）やＥＵＶ（真空紫外線１３ｎｍ）を光源とするプロセスに有用であり、高解像性で断面形状の良好なレジストパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材を提供できるアルカリ可溶性ポリシロキサン樹脂を提供すること。 - 特許庁

Also, near an excimer beam extracting window member close to a lamp, the illuminance of excimer beam is high, and the radical oxygen or ozone (O3) tends to accur, so that selectively suppressing the deposition of the oxide film of the window member, effectively suppressing the attenuation of light output with time, and hence preventing the formation of the oxide film on the wafer from being impaired.例文帳に追加

またランプに近いエキシマ光取出窓部材近傍では、エキシマ光の照度が高く、ラジカル酸素またはオゾン（Ｏ_３）がより発生し易いため、窓部材の酸化膜の堆積を選択的に抑制し、光出力の経時的減衰を効果的に抑制するので、これによりウエハ上の酸化膜形成が損なわれることもない。 - 特許庁