flush gateとは 意味・読み方・使い方

Water, hydrogen ions or the like can be inhibited or prevented from diffusing to the floating gate electrode FG by providing such an insulation film 4a, thereby improving data holding characteristics of a flush memory.例文帳に追加

このような絶縁膜４ａを設けたことにより、水や水素イオン等が浮遊ゲート電極ＦＧに拡散するのを抑制または防止できるので、フラッシュメモリのデータ保持特性を向上させることができる。 - 特許庁

In succession, a part of the polysilicon film 18 protruding upwards from the surface of the semiconductor substrate 15 is oxidized, thereby, a gate electrode 1 whose uppermost surface is set flush with the surface of the semiconductor substrate 15, is formed.例文帳に追加

続いて、ポリシリコン膜１８のうち、半導体基板１５の表面よりも上方に突出した部分を酸化することで、最上部表面が半導体基板１５の表面と同じ位置であるゲート電極１を形成する。 - 特許庁

A projecting shape part 19 having a backward projecting face continuous to a rear bumper 5 in a closed state in a substantially flush manner in the vertical direction and the vehicle width direction is integrally projected from the lower end of a rear gate 3 backward of a vehicle body.例文帳に追加

閉状態でリヤバンパー５と上下方向及び車幅方向にほぼ面一に連続する後方突出面部１９ｂを有する突出形状部１９を、リヤゲート３下端部に車体後方に向かって一体に突設する。 - 特許庁

A part of an electron charge storage layer 7 on a first gate insulating film 22 is partially overlapped on said first part in the isolation region to be formed in a self-aligning manner to the second part, and has a flat top surface flush with the top surface of the second part.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜２２上の電荷蓄積層７は、一部分が素子分離領域の前記第１の部分上にオーバーラップして第２の部分と自己整合的に形成され、第２の部分の上面と一致された平坦な上面を有している。 - 特許庁

This trench gate type semiconductor device is constituted to include the protection film 2 formed on an interlayer insulating film 37, an emitter electrode 38 and a gate electrode 39 formed to make respective upper faces flush with one another, and an emitter electrode 3 formed on the protection film 2 and connected to the emitter electrode 38 via a through hole 6 formed in the protection film 2.例文帳に追加

それぞれの上面が面一になるように形成された層間絶縁膜３７、エミッタ電極３８、及びゲート電極３９の上に形成される保護膜２と、保護膜２の上に形成され保護膜２に形成されるスルーホール６を介してエミッタ電極３８に接続されるエミッタ電極３とをさらに備えてトレンチゲート型の半導体装置を構成する。 - 特許庁

When removal of the first metal film 13A consisting essentially of aluminum whose etching progress speed is higher is ended, etching is completed, so that the first metal film 13A is not excessively removed and an outer side surface of a first layer 13a and an outer side surface of a second layer 13b of a gate electrode 13 are continued in nearly a flush state.例文帳に追加

エッチング進行速度の速いアルミニウムを主成分とする第１金属膜１３Ａの除去が済めば、エッチングが完了するので、第１金属膜１３Ａが過剰に除去されることがなく、ゲート電極１３の第１層１３ａの外側面と第２層１３ｂの外側面は、ほぼ面一状に連なる。 - 特許庁

A piled-up silicon compound layer 12i provided on a P-type source/drain diffused layer 12g of a P-channel MOSFET 12 is formed, in such a way that the boundary between the layers 12i and 12g becomes nearly flat and is nearly flush with the boundary between an N-type well area 12b and a gate insulating film 12c.例文帳に追加

たとえば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２のＰ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇ上に設けられる、Ｃｏシリサイド膜からなる積み上げ構造のシリコン化合物層１２ｉを、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面が、略平坦で、かつ、Ｎ型ウェル領域１２ｂとゲート絶縁膜１２ｃとの界面と略同じ高さとなるようにする。 - 特許庁