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gallium sourceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ガリウム源
「gallium source」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
MICRO CAPILLARY TYPE GALLIUM LIQUID METAL ION SOURCE例文帳に追加
マイクロキャピラリー型Ga液体金属イオン源 - 特許庁
Gallium telluride as a gallium raw material is reacted with a nitride source under heating.例文帳に追加
テルル化ガリウムをガリウム原料として窒素源と加熱下で反応させる。 - 特許庁
The active gallium is reacted with the nitride source to produce the gallium telluride in high efficiency.例文帳に追加
このガリウムと窒素源とが反応して窒化ガリウムが高効率で製造される。 - 特許庁
A source electrode 21 is installed on the gallium nitride epitaxial layer 15.例文帳に追加
ソース電極21は、窒化ガリウムエピタキシャル層15上に設けられる。 - 特許庁
To provide an electric power source using a gallium nitride for a portable-type device.例文帳に追加
携帯型デバイス用の窒化ガリウムを用いた電源を提供する。 - 特許庁
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「gallium source」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
A metal halide lamp in which gallium halide, for example, is added is used as the light source.例文帳に追加
光源は、例えばガリウムのハロゲン化物を添加したメタルハライドランプを用いる。 - 特許庁
When the multilayer quantum well active layer 15 is grown by MOVPE method, triethyl gallium is employed as a gallium source.例文帳に追加
また、MOVPE法を用いて多重量子井戸活性層15を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。 - 特許庁
In the method for growing the gallium nitride single crystal in a vapor phase by supplying a gas containing a gallium source and a gas containing a nitrogen source, the single crystal is grown in the (000-1) direction at a partial pressure of the gallium source of ≤3×10^-4 atm and at a growth temperature of ≥950°C in the presence of hydrogen gas.例文帳に追加
反応容器内にガリウム源含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、窒化ガリウム単結晶を気相成長させる方法であって、水素ガス存在下、ガリウム源の分圧を3×10^−4atm以下、成長温度950℃以上とし、〈000−1〉方向に成長させる。 - 特許庁
A source region 15a is provided in the second region 15d of the gallium nitride based semiconductor region 15.例文帳に追加
ソース領域15aは、窒化ガリウム系半導体領域15の第2の領域15dに設けられている。 - 特許庁
A gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a non-C-plane as a surface (top face) to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase while keeping the non-C-plane surface by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping and allowing oxygen to infiltrate through the surface.例文帳に追加
C面以外の面を表面(上面)にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらC面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁
A resist pattern 2 for forming a source/drain electrode region 3 is formed on a n-type gallium nitride substrate 1.例文帳に追加
n型窒化ガリウム基板1上に、ソース/ドレイン電極領域3を形成するためのレジストパターン2を形成する。 - 特許庁
In the method of manufacturing a gallium nitride based particle by making at least an organic gallium compound and a nitrogen source react, a raw material gas including the organic gallium compound and the nitrogen source is irradiated by laser, and the reaction is performed by making the laser as a heat source.例文帳に追加
少なくとも有機ガリウム化合物含むと窒素源とを反応させて窒化ガリウム系粒子を製造する方法において、前記有機ガリウム化合物と前記窒素源とを含む原料ガスにレーザを照射して、前記レーザを熱源として前記反応を行う窒化ガリウム系粒子の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁
Otherwise, a gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a C-plane as the surface, producing a non-C-plane facet to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase in the c-axis direction while keeping the facet by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping, and allowing oxygen to infiltrate through the facet.例文帳に追加
または、C面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらC面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をc軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁
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