gate apertureとは 意味・読み方・使い方

A gate part for injection molding 21 is provided at an inner edge of the upper end aperture of the cap body 2.例文帳に追加

キャップ本体２の上端開口部の内縁部に射出成形用のゲート部２１を設ける。 - 特許庁

In addition, a gate 26 (27) provided with an aperture is installed in the channel 8 and the dimension of the aperture is set on the basis of the length of the channel 8 which is arranged in a downstream of the gate 26 (27).例文帳に追加

また、流路８に開口部を備えたゲート２６（２７）を設け、その開口部の大きさはゲート２６（２７）の下流に配置された流路８の長さに基づいて設定されるようにする。 - 特許庁

An inner diameter of the opening 41a formed at the aperture electrode 41 is set not less than an interval between the gate electrode 31 and the aperture electrode 41.例文帳に追加

アパーチャ電極４１に形成された開口４１ａの内径は、ゲート電極３１とアパーチャ電極４１との間隔以上に設定されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a layer arranged on a semiconductor substrate, having an aperture, and containing Si and Ge, and a gate arranged corresponding to the aperture.例文帳に追加

半導体装置が，半導体基板上に配置され，開口を有し，かつＳｉおよびＧｅを含む層と，この開口に対応して配置されるゲートとを有する。 - 特許庁

An aperture electrode 41 is disposed between a gate electrode 31 and an electrode 35, that is, further toward the side of an ionizing chamber 1 from the gate electrode 31.例文帳に追加

ゲート電極３１と電極３５との間、即ちゲート電極３１よりもイオン化室１側には、アパーチャ電極４１が配置されている。 - 特許庁

An aperture part 15 is provided at an alignment layer 14 in a region corresponding to a gate electrode 4.例文帳に追加

ゲート電極４に対応する領域における配向膜１４には開口部１５が設けられている。 - 特許庁

Next, after a channel 4 and a gate insulating film 5 are sequentially formed respectively in the desired thickness on the insulating layer 6 and source-drain material film 12 within the aperture 13, a gate material film 14 is formed on the gate insulating film 5 to fill the inside of the aperture 13.例文帳に追加

次いで、開口部１３内の絶縁層６およびソース・ドレイン材料膜１２上に、所望の膜厚のチャネル４およびゲート絶縁膜５を順に形成した後、ゲート絶縁膜５上であって開口部１３内を埋め込むゲート材料膜１４を形成する。 - 特許庁

After a resist layer R2 having an aperture H2 having an opening diameter L2 is formed (S5), a gate electrode 21 is formed to a part of the aperture H2 with the lift-off method (S6).例文帳に追加

開口径Ｌ２の開口部Ｈ２を有するレジスト層Ｒ２を形成したのち（Ｓ５）リフトオフにより開口部Ｈ２の部位にゲート電極２１を形成する（Ｓ６）。 - 特許庁