gate agentとは 意味・読み方・使い方

A transparent insulator film A131 obtained from a coating agent is formed as a gate insulating film to be disposed between a gate electrode and a semiconductor layer.例文帳に追加

ゲート電極と半導体層との間に配置されるゲート絶縁膜として、コーティング剤から得られた透明絶縁体膜Ａ１３１を形成する。 - 特許庁

A Q.931 controller 11 of the gate device A outputs the data request to an agent 26, and the agent 26 outputs management data to the Q.931 controller 11.例文帳に追加

ゲート装置ＡのＱ．９３１コントローラ１１は、データ要求をエージェント２６へ出力し、エージェント２６は管理データをＱ．９３１コントローラ１１へ出力する。 - 特許庁

A coating agent is injected in the gaps 53-55 from the coating agent injection port 35 through the gate 36 to form the coating layer covering the surface 4 of the base material 2 and a part of the rear surface 5 continued to the surface 4.例文帳に追加

前記隙間53〜55内に被覆剤注入口35からゲート36を介して被覆剤を注入し、基材２の表面４及び表面４に連続する裏面５の一部を覆う被覆層を形成する。 - 特許庁

To provide an automatic ticket gate capable of examining tickets in a transport transferring agent in charge of transport transfer based on tickets or season tickets which are usable for a transport transfer requesting agent requesting transport transfer.例文帳に追加

振替輸送を依頼する振替輸送依頼機関で利用可能な乗車券又は定期券に基づき、振替輸送を引き受ける振替輸送機関における改札処理が可能な自動改札機を提供すること。 - 特許庁

The organic thin-film transistor has a gate electrode, a gate insulating film, an organic semiconductor film, a source electrode, and a drain electrode on a substrate, wherein a gate insulating film, obtained from a photocurable composition containing a polysiloxane compound having a radical polymerizable group and an optical radical generating agent, is used as the gate insulating film.例文帳に追加

基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を備える有機薄膜トランジスタにおいて、当該ゲート絶縁膜として、ラジカル重合性基を有するポリシロキサン化合物と光ラジカル発生剤とを含有する光硬化性組成物から得られたゲート絶縁膜を用いる。 - 特許庁

To provide an etching agent composition for a thin film having high permittivity to be used in manufacturing processes of a semiconductor device which uses a thin film having high permittivity, specifically, a semiconductor device which uses an extremely thin gate insulation film layer and a gate electrode which are essential to increase of integration and rapid operation of a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）の高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁

Further, a nitride film is deposited, the thickness is measured by forming an extremely thin lamination gate insulation film with a thickness of approximately 2 nm, and the etchback treatment of the nitride film is made by using an etching agent with a slow etching speed when the thickness of the lamination gate insulation film exceeds specifications, thus keeping the thickness within specifications.例文帳に追加

さらに、窒化膜を堆積して、例えば２ｎｍ程度の極薄の積層ゲート絶縁膜を形成してその厚みを測定し、積層ゲート絶縁膜の厚みがスペックをオーバーしていると、エッチング速度の小さいエッチング剤を用いて窒化膜のエッチバック処理を施し、厚みをスペック内に収める。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a high dielectric thin film, an ultrathin gate insulation layer which is indispensable to high integration and acceleration of MOSFET in particular, and a high dielectric thin film etching agent composition used in the manufacturing process of a semiconductor device with a gate electrode.例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁