gate source resistanceとは 意味・読み方・使い方

To sustain good gate withstand voltage characteristics while reducing the contact resistance between the source and the drain.例文帳に追加

良好なゲート耐圧特性を維持し、かつソースおよびドレインのコンタクト抵抗を小さくする。 - 特許庁

A resistance 52 and a zener diode 53 are connected between the gate and source of the FET 51.例文帳に追加

さらに、ＦＥＴ５１のゲート−ソース間には抵抗５２およびツェナーダイオード５３が接続されている。 - 特許庁

The converter operates as a variable resistor varying a resistance value between a source and drain according to a gate voltage.例文帳に追加

ゲート電圧に応じてソース・ドレイン間の抵抗値が変化する可変抵抗器として動作する。 - 特許庁

A resistance adjustment circuit 1 using a potentiometer 21 (a resistance selection circuit) is built in between a voltage source 5 and a gate driver 6.例文帳に追加

電圧源５とゲートドライバ６との間に、ポテンショメータ２１（抵抗選択回路）を用いた抵抗調節回路１を組み入れる。 - 特許庁

To reduce the resistance of a source contact, by forming a proper ohmic junction between a source electrode and a source region in a trench gate MISFET.例文帳に追加

トレンチゲート型ＭＩＳＦＥＴにおいて、ソース電極とソース領域との間に良好なオーミック接合を形成することにより、ソースコンタクトを低抵抗化する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is superior in high-frequency characteristics, wherein the alignment deviation between a conductive layer used as a gate electrode and a source/drain is not present, irregurality in source resistance and gate capacitance can be prevented, the gate resistance is reduced, and irregularity in the source-drain current is small.例文帳に追加

ゲート電極に用いられる導電層とソース／ドレイン領域との合わせずれがないため、ソース抵抗とゲート容量のバラツキを防ぐことができ、ゲート抵抗を小さし、ソース−ドレイン電流のバラツキが小さい高周波特性の優れた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving the ESD resistance between a gate and a source without increasing on-state resistance.例文帳に追加

オン抵抗を増大させることなく、ゲート−ソース間のＥＳＤ耐量を向上させることのできる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Cells and a first one of source electrode layers can be disposed below the gate pad portion, so that the deviation in resistance in the source electrode layers can be decreased.例文帳に追加

ゲートパッド部下方にセルおよび１層目のソース電極層を配置でき、ソース電極層内の抵抗の偏りを小さくできる。 - 特許庁