graded compositionとは 意味・読み方・使い方

Since the spontaneous polarization of Al_XGa_1-XN depends on the composition, negative charges are generated in the Al_XGa_1-XN first graded layer 104 and positive charges are generated in the Al_XGa_1-XN second graded layer 105.例文帳に追加

Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮの自発分極が組成に依存するため、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第１グレーデッド層１０４には負の荷電が発生し、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第２グレーデッド層１０５には正の荷電が発生する。 - 特許庁

The second semiconductor layer is formed of a semiconductor alloy, having a composition graded in a direction substantially perpendicular to the first surface of the first semiconductor layer.例文帳に追加

第２半導体層は、第１半導体層の第１の面にほぼ垂直な方向に勾配付けされた組成を有する半導体合金から形成される。 - 特許庁

The graded composition superlattice layer 20 is formed by laminating p-type ZnTe layers 20a, 20c, 20e, 20g, 20i and p-type ZnSe layers 20b, 20d, 20f, 20h, 20j alternately.例文帳に追加

組成傾斜超格子層２０はｐ型ＺｎＴｅ層２０ａ，２０ｃ，２０ｅ，２０ｇ，２０ｉとｐ型ＺｎＳｅ層２０ｂ，２０ｄ，２０ｆ，２０ｈ，２０ｊとを交互に積層して形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GRADED-INDEX OPTICAL MEMBER, POLYMERIZABLE COMPOSITION FOR FORMATION OF OPTICAL MEMBER, AND OPTICAL MEMBER例文帳に追加

屈折率分布型光学部材の製造方法、光学部材形成用重合性組成物および光学部材 - 特許庁

Further, one or more additional layers that include a graded composition can be included in the heterostructure outside of the light generating structure.例文帳に追加

さらに、傾斜組成を含む１つ以上の追加層が、光発生構造の外側のヘテロ構造に含まれ得る。 - 特許庁

To easily manufacture an alloy member having partially graded composition and difficult to work due to impossibility of cold work.例文帳に追加

冷間加工ができないため製造が困難である部分傾斜成分組成難加工性合金部材を容易に製造できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor laser device having the buried-hetero structure is manufactured by burying both sides of a mesa structure by a Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and subsequently by a Ru-doped InGaP graded layer 303 whose composition is graded from InGaP to InP, and then, by a Ru-doped InP layer 304.例文帳に追加

埋め込みヘテロ構造を有する半導体レーザ素子は、メサ構造の両側をＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２で埋め込み、続いてＩｎＧａＰからＩｎＰへ組成が傾斜するＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３で埋め込んだ後、ＲｕドープＩｎＰ層３０４で埋め込むことによって作製される。 - 特許庁

The light-receiving element includes an InAsP graded buffer layer 20 which is located on the InP substrate 1 and contains arsenic of which the composition ratio is increased step by step in the direction of going away from the InP substrate, a GaInNAs light-receiving layer 3 located on the InAsP graded buffer layer 20, and an InAsP layer located on the GaInNAs light-receiving layer 3.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１上に位置し、該ＩｎＰ基板から遠ざかる方向に段階的に砒素の組成を増やしたＩｎＡｓＰグレーディッドバッファ層２０と、ＩｎＡｓＰグレーディッドバッファ層２０上に位置するＧａＩｎＮＡｓ受光層３と、該ＧａＩｎＮＡｓ受光層３上に位置するＩｎＡｓＰ層を備える。 - 特許庁