grain boundary compositionとは 意味・読み方・使い方

When sintering, Ag contained in the radiation portion 14 is diffused to the grain boundary of ZnO of the main composition of the varistor element 15 near the interface between a face 14a and 15a.例文帳に追加

また、焼成の際、放熱部１４に含まれるＡｇは、面１４ａと面１５ｂとの界面付近においてバリスタ素体１５の主成分であるＺｎＯの粒界に拡散する。 - 特許庁

To provide an insulating film which is suitable for mass-production, less contaminated, composition-controlled, dense, extremely small in defect and grain boundary, and structure-controlled along the depth, and has excellent insulation characteristics.例文帳に追加

量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor ceramic composition having low ambient temperature resistivity of ≤50 Ω cm and having excellent jump characteristics, in the semiconductor ceramic composition in which a part of Ba of BaTiO_3 is substituted by Bi-Na and which has a P-type semiconductor in the grain boundary.例文帳に追加

ＢａＴｉＯ_３のＢａの一部がＢｉ−Ｎａで置換され、結晶粒界にＰ型半導体を有する半導体磁器組成物に関して、室温抵抗率が5０Ω・ｃｍ以下と低く、且つジャンプ特性に優れた半導体磁器組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

At the time of manufacturing the strontium titanate-based grain-boundary-insulated semiconductor ceramic containing a semiconducting agent, the rate of titanium atoms in a composition from which a component electrically insulating crystal grain boundaries and the semiconducting agent are removed is made larger than the stoichiometric ratio of the composition and, in addition, the 20-80% of strontium atoms is replaced with calcium atoms.例文帳に追加

半導体化剤を含有したチタン酸ストロンチウム系の粒界絶縁型半導体セラミックスを作製するにあたり、結晶粒界を電気的に絶縁している成分及び半導体化剤をそれぞれ除いた組成でのチタン原子の割合を化学量論比よりも多くし、かつ、ストロンチウム原子の２０〜８０％をカルシウム原子で置換することによって解決した。 - 特許庁

The strontium titanate-based grain-boundary-insulated semiconductor ceramic containing a semiconducting agent is manufactured in a state where the rate of titanium atoms in a composition from which a component electrically insulating crystal grain boundaries and the semiconducting agent are removed is made larger than the stoichiometric ratio of the composition and, in addition, the ≤10% of strontium atoms is replaced with magnesium atoms.例文帳に追加

半導体化剤を含有したチタン酸ストロンチウム系の粒界絶縁型半導体セラミックスを作製するにあたり、結晶粒界を電気的に絶縁している成分及び半導体化剤をそれぞれ除いた組成でのチタン原子の割合を化学量論比よりも多くし、かつ、ストロンチウム原子の１０％以下をマグネシウム原子で置換することによって解決した。 - 特許庁

This Al oxide-dispersed Fe-based sintered alloy excellent in wear resistance has a componential composition composed of, by molar ratio, 10 to 45% Al and 3 to 30% O, and the balance Fe with inevitable impurities and a structure in which cross-sectional linear Fe-Al multiple oxides are dispersed into the grain boundary of the base.例文帳に追加

モル比でＡｌ：１０〜４５％、Ｏ：３〜３０％、残部：Ｆｅおよび不可避不純物からなる成分組成、並びに素地の結晶粒界に断面線状のＦｅとＡｌの複合酸化物が分散している組織を有する耐摩耗性に優れたＡｌ系酸化物分散Ｆｅ基焼結合金。 - 特許庁

The cathode active substance for a nonaqueous electrolyte battery contains primary particles which has an olivine type crystal structure and in which an Al compound exists at least in a part of a crystal grain boundary of poly-crystalline particles as shown in a chemical composition of LiFePO_4.例文帳に追加

オリビン型結晶構造を有し且つ化学組成が下記一般式（１）ＬｉＦｅＰＯ_4 （１）で表される多結晶粒子の結晶粒界の少なくとも一部にＡｌ化合物が存在してなる一次粒子を含有することを特徴とする非水電解質電池用の正極活物質による。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device has the steps of depositing a nucleus generation film of a metal composition having a high melting point using a material gas including halogen element, depositing a silicon film on the nucleus generation film and a grain boundary, and depositing a bulk layer of a metal composition having a high melting point by burying the nucleus generation film and the silicon film using the material gas including halogen element.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ハロゲン元素を含む原料ガスを用いて高融点金属化合物の核形成膜を堆積するステップと、核形成膜の表面及び粒界にシリコン膜を堆積するステップと、ハロゲン元素を含む原料ガスを用い、核形成膜及びシリコン膜を埋め込んで高融点金属化合物のバルク層を堆積するステップとを有する。 - 特許庁