graphite susceptorとは 意味・読み方・使い方

The susceptor comprises a graphite material covered with silicon carbide and at least a portion of a part on which the wafer is placed is composed of tantalum carbide or a graphite material covered with tantalum carbide.例文帳に追加

ウェハを載置する部分の少なくとも一部が、炭化タンタル又は炭化タンタル被覆黒鉛材である、炭化珪素被覆黒鉛材のサセプタである。 - 特許庁

The susceptor has a graphite main body, which has an upper surface for supporting at least one substrate.例文帳に追加

サセプタは、グラファイト本体を有し、グラファイト本体は少なくとも１つの基板を支持するための上面を有している。 - 特許庁

By combining a graphite member 2a coated with a TaC film 4a and a graphite member 2b coated with a SiC film 3a, an integrated susceptor is used.例文帳に追加

ＴａＣ被膜４ａによって被覆された黒鉛部材２ａと、ＳｉＣ被膜３ａによって被覆された黒鉛部材２ｂとを組み合わせ、一体化したサセプタを用いる。 - 特許庁

The bottom surface of a reaction pipe 10 is airtightly loaded with a susceptor 15.The susceptor 15 is used as a substrate retention tool that passes through an opening part on the bottom surface for exposing the bottom part, and is made of graphite.例文帳に追加

反応管１０の底面上には、該底面の開口部を貫通してその底部を露出させた基板保持具としての黒鉛よりなるサセプタ１５が気密に填め込まれている。 - 特許庁

When growing silicon single crystal by the Czochralski method, the manufacturing method comprises mounting a heat shielding member that is composed of graphite and a heat insulating material into the chamber, and heating the inside of the chamber in a state where a graphite susceptor is removed, then carrying out a single crystal-pulling operation by charging the graphite susceptor and a quartz crucible filled with polycrystal silicon into the chamber.例文帳に追加

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際、チャンバに黒鉛及び断熱材からなる熱遮蔽部材を取り付け、かつ黒鉛質サセプタを取り除いた状態でチャンバ内を加熱し、その後に黒鉛質サセプタ及び多結晶シリコン充填石英るつぼをチャンバ内に装填して単結晶引上げ操作を行う。 - 特許庁

To provide an induction heating device enabling temperature distribution control of a horizontal plane of graphite, even if a horizontal magnetic flux is given a susceptor.例文帳に追加

サセプタに対して水平磁束を与える場合であってもグラファイト水平面の温度分布制御を可能とする誘導加熱装置を提供する。 - 特許庁

Material gas 30 is supplied from a supply port 7 to a region between a susceptor 5 and a graphite plate 9 in a reaction furnace 2, such that it goes around in a laminate flow in a direction along an inner wall of the reaction furnace 2 in a planar direction of an SiC wafer 20 placed on the susceptor 5.例文帳に追加

材料ガス３０を、反応炉２内のサセプタ５とグラファイト板９の間の領域に、サセプタ５上に載置されたＳｉＣウェハ２０の平面方向で反応炉２の内壁に沿う方向に層流で周回するように供給口７から供給する。 - 特許庁