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growth planeとは 意味・読み方・使い方
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「growth plane」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 182件
GROWTH FOUNDATION BED USED FOR GREENING HORIZONTAL PLANE AND LOW SLOPE AND GREENING BODY LINKING TO THE GROWTH FOUNDATION例文帳に追加
平面又は緩傾斜面の緑化に用いる生育基盤及び該生育基盤に結合する緑化体 - 特許庁
(1) The SiC seed crystal 12 has a main growth plane composed of a plurality of sub-growth planes.例文帳に追加
(1)SiC種結晶12は、複数個の副成長面からなる主成長面を備えている。 - 特許庁
The crystal growth rate is the crystal growth rate, in the direction orthogonal to the r-plane.例文帳に追加
また、下記の結晶成長速度は、r面に垂直な方向の結晶成長速度である。 - 特許庁
As shown in Fig. (a), a substrate 1 having a growth plane having a recess-projection surface is used.例文帳に追加
(a)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板1を用いる。 - 特許庁
As shown in Fig.(a), a substrate 1 is used having a growth plane having a concavo-convex surface.例文帳に追加
(a)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板1を用いる。 - 特許庁
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「growth plane」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 182件
(2) A main direction having the plurality of sub-growth planes is present in an arbitrary direction from the uppermost part of the {0001} plane on the main growth plane of the SiC seed crystal 12 toward the outer periphery of the main growth plane.例文帳に追加
(2)SiC種結晶12の主成長面上にある{0001}面最上位部から主成長面の外周に向かう任意の方向の中に、複数個の副成長面を有する主方向が存在する。 - 特許庁
The reason why the seed crystal is held at the m-plane is that the m-plane has a crystal growth speed slower than that of the a-plane and the desired c-plane growth is not hindered.例文帳に追加
この様に、種結晶をm面で支持する理由は、m面がa面よりも結晶成長速度が遅いことと、所望のc面成長を阻害させないためである。 - 特許庁
The GaN substrate 30 has a growth plane 30a having an off angle against m plane or a plane.例文帳に追加
GaN基板30は、その成長面30aが、m面若しくはa面に対してオフ角を有する面である。 - 特許庁
The growth plane 30a of the GaN substrate is m plane or a plane having an off angle.例文帳に追加
このGaN基板30においては、成長面30aがオフ角を有するm面若しくはa面となっている。 - 特許庁
The projection formed on the 111 plane among the crystalline planes is constituted by a trigonal pyramid-shaped growth trace or by laminating the trigonal pyramid-shaped growth traces, and the projection formed on the 100 plane among the crystalline planes is constituted by a square pyramid-shaped growth trace.例文帳に追加
結晶面のうち(111)面に形成された突起は三角錐状の成長痕または三角錐状の成長痕が積層されたものとし、結晶面のうち(100)面に形成された突起は四角錐状の成長痕とする。 - 特許庁
A gallium nitride epitaxial layer is formed on the gallium polarity plane 10_Ga, by transportation into an epitaxial growth device (organic metal vapor-phase growth device).例文帳に追加
エピタキシャル成長装置(有機金属気相成長装置)に搬入し、ガリウム極性面10_Gaに窒化ガリウムエピタキシャル層を形成する。 - 特許庁
To provide a method for growing a GaN crystal having a flat crystal growth plane with a high crystal growth speed.例文帳に追加
結晶成長面が平坦で結晶成長速度が高いGaN結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁
Since growth rate differs depending on crystal plane, a film thickness t2 is formed larger than a film thickness t1.例文帳に追加
結晶面によって成長レートが異なるので、膜厚t1よりも膜厚t2を厚く形成できる。 - 特許庁
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