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horizontal trenchとは 意味・読み方・使い方
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「horizontal trench」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 30件
TRENCH HORIZONTAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
トレンチ横型半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
HORIZONTAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH GATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
トレンチゲートを有する横型半導体装置とその製造方法 - 特許庁
The horizontal IGBT13 and horizontal FWD14 are encircled by a trench separation region 19, which is an insulation region.例文帳に追加
横型IGBT13および横型FWD14を、絶縁領域であるトレンチ分離領域19で囲む。 - 特許庁
The trench structure may be used by a vertical conductive or a horizontal conductive device.例文帳に追加
トレンチ構造は、垂直伝導又は水平伝導装置で使用してもよい。 - 特許庁
TRENCH HORIZONTAL TYPE CONDUCTIVITY MODULATION SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加
トレンチ横型伝導度変調半導体装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁
To provide a horizontal trench MOSFET which reduces on-state resistance of the horizontal MOSFET and moreover suppresses the impairment of a breakdown voltage.例文帳に追加
横型MOSFETのオン抵抗を低減し、さらに耐圧の劣化を抑制することができる横型トレンチMOSFETを提供する。 - 特許庁
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「horizontal trench」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 30件
In addition, the flow of the high frequency signal in the horizontal direction is blocked by a trench separation insulation layer 121.例文帳に追加
また、トレンチ分離絶縁層121により、横方向における高周波信号の流れを遮断する。 - 特許庁
A heavily-doped region 18 is formed below the second substantially horizontal face of the trench in a substrate.例文帳に追加
高濃度ドープ領域18が基板内において、トレンチの第2の実質的に水平な面の下方に形成される。 - 特許庁
To reduce the on-resistance of a semiconductor device, having a horizontal MOSFET with a trench gate, and to reduce the number of manufacturing processes in the semiconductor device.例文帳に追加
トレンチゲートを有する横型のMOSFETを備えた半導体装置のオン抵抗を低減する。 - 特許庁
The transistor has a first diffusion layer which is extended in the horizontal direction from a spot above the gate of the transistor provided in the trench along the substrate on the outside of the trench, and a second diffusion layer connected to the capacitor provided in the lowermost part of the trench from the lower part of the gate.例文帳に追加
トランジスタは、トレンチ内の垂直方向のゲートの上方からトレンチ外部の基板に沿って水平方向に延びる第1の拡散層と、ゲートの下部からトレンチ低部のキャパシタに接続される第2の拡散層とを有する。 - 特許庁
To achieve further on resistance reduction in the horizontal trench MOSFET that has achieved on resistance reduction, without extending a device area.例文帳に追加
素子面積を増大させずにオン抵抗の低減を実現した横型MOSFETにおいて、更にオン抵抗を低減させる。 - 特許庁
In a horizontal trench MOSFET that has achieved on-resistance reduction by employing a trench structure, without extending a device area, a source layer 004 and a drain layer 005 are formed by injecting ions in multiple directions near both ends of the trench 008.例文帳に追加
トレンチ構造を用いることで素子面積を増大させずにチャネル幅を増大させ、オン抵抗の低減を実現した横型トレンチMOSFETにおいて、トレンチ008の両端付近に多方向イオン注入によりソース層004およびドレイン層005を形成する。 - 特許庁
A horizontal ledge appears adjacent to the trench, on the exposed surface of the substrate covered with the oxide by removal of the spacer.例文帳に追加
スペーサの除去により、トレンチに隣接して、酸化物で覆われた基板の露出した表面上に水平のレッジが現れる。 - 特許庁
A trench contains a first substantially horizontal face in a first depth and a second substantially horizontal face in a second depth which is deeper than the first depth.例文帳に追加
トレンチが第1の深さにある第1の実質的に水平な面22a、22bと、第1の深さよりも深い第2の深さにある、第2の実質的に水平な面19とを含む。 - 特許庁
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