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JST科学技術用語日英対訳辞書での「ild」の意味

ILD


「ild」を含む例文一覧

該当件数 : 47



例文

Inter layer dielectric body (ILD) for a via level is preferably different from an ILD for a line level.例文帳に追加

ビア・レベルでの層間誘電体(ILD)は、ライン・レベルでのILDとは異なることが好ましい。 - 特許庁

An ILD layer 219 is formed on the memory device.例文帳に追加

ILD層219はメモリデバイス上に形成される。 - 特許庁

Several lower conductor lines surrounded by an insulator formed on the lower ILD layer are formed on the top surface of the lower ILD layer.例文帳に追加

下部ILD層上に形成された絶縁体によって囲まれる数個の下部導体ラインを、下部ILD層の上部表面上に形成する。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor device with an interlayer dielectric (ILD) etch stop layer for use in a subsequent contact hole process.例文帳に追加

後続するコンタクト・ホール工程で使用される層間絶縁(ILD)エッチング停止層を有する高電圧用トランジスタ・デバイスを提供する。 - 特許庁

An IMD layer 221 is formed on the ILD layer 219.例文帳に追加

IMD層221はILD層219上に形成される。 - 特許庁

The ILD layer 219 comprises a dielectric material which does not contain at least boron.例文帳に追加

ILD層219は少なくともホウ素を含まない誘電体材料を含む。 - 特許庁

例文

METHOD FOR ELIMINATING VIA RESISTANCE SHIFT IN ORGANIC ILD (INTER-LEVEL DIELECTRIC SUBSTANCE)例文帳に追加

有機ILD(インターレベル誘電体)内のバイア抵抗シフトを除去する方法 - 特許庁

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「ild」を含む例文一覧

該当件数 : 47



例文

Next, a trench 108 is formed on the IMD and a via 106 is formed on the ILD.例文帳に追加

次いで、トレンチ108がIMDに、またビア106がILDに形成される。 - 特許庁

Afterwards, a layer insulating film (ILD) 110 and an intra-metal insulating film (IMD) 112 are deposited.例文帳に追加

その後層間絶縁膜(ILD)110および金属内絶縁膜(IMD)112が堆積される。 - 特許庁

An LD1 outputs corresponding light according to a drive current ILD and a bias current IB.例文帳に追加

LD1は、駆動電流ILDとバイアス電流IB とに従って、対応する光を出力する。 - 特許庁

An additional insulating substance layer may be added to form an ILD (Interlevel Dielectric) layer (isolation between levels).例文帳に追加

ILD層(レベル間の分離)を形成するために、さらなる絶縁物質層を加えてもよい。 - 特許庁

An ILD 7 is formed on a silicon substrate 1 formed with the titanium silicide film 5, and the ILD 7 is selectively removed to form a contact hole H.例文帳に追加

チタンシリサイド膜5が形成されたシリコン基板1上にILD7を形成し、このILD7を選択的に除去してコンタクトホールHを形成する。 - 特許庁

Furthermore, even if characteristics of a semiconductor laser LD is varied, a drive current Ild of the semiconductor laser LD is compensated, and the differential amplifier 11 has a function for suppressing noise to a low level, the semiconductor laser LD is modulated stably.例文帳に追加

また半導体レーザLDの特性が変化しても半導体レーザLDの駆動電流Ildが補正され、差動増幅器11はノイズを少なく抑える機能があるので、半導体レーザLDを安定して変調できる。 - 特許庁

In a preferable embodiment, the ILD the via level is formed with a low-k SiCOH material, and the ILD for the line level is formed with a low-k polymer thermosetting material.例文帳に追加

好ましい実施形態では、ビア・レベルのILDを低k SiCOH材料で形成し、ライン・レベルのILDを低kポリマー熱硬化性材料で形成する。 - 特許庁

例文

The poly urethane foam has a density of 23-37 kg/m^3, a 25% ILD (12ϕ) hardness of 15-25 N, a 65% ILD (12ϕ) hardness of 43-75N, and a 25% CLD hardness of 30-40 KPa.例文帳に追加

ポリウレタン発泡体は、密度23〜37kg/m^3、25%ILD(12φ)硬度15〜25N、65%ILD(12φ)硬度43〜75N、25%CLD硬度30〜40KPaとする。 - 特許庁

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