「ild」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The ILD layer 219 comprises a dielectric material which does not contain at least boron.例文帳に追加

ＩＬＤ層２１９は少なくともホウ素を含まない誘電体材料を含む。 - 特許庁

METHOD FOR ELIMINATING VIA RESISTANCE SHIFT IN ORGANIC ILD (INTER-LEVEL DIELECTRIC SUBSTANCE)例文帳に追加

有機ＩＬＤ（インターレベル誘電体）内のバイア抵抗シフトを除去する方法 - 特許庁

Next, a trench 108 is formed on the IMD and a via 106 is formed on the ILD.例文帳に追加

次いで、トレンチ１０８がＩＭＤに、またビア１０６がＩＬＤに形成される。 - 特許庁

Afterwards, a layer insulating film (ILD) 110 and an intra-metal insulating film (IMD) 112 are deposited.例文帳に追加

その後層間絶縁膜（ＩＬＤ）１１０および金属内絶縁膜（ＩＭＤ）１１２が堆積される。 - 特許庁

An LD1 outputs corresponding light according to a drive current ILD and a bias current IB.例文帳に追加

ＬＤ１は、駆動電流ＩLDとバイアス電流ＩB とに従って、対応する光を出力する。 - 特許庁

An additional insulating substance layer may be added to form an ILD (Interlevel Dielectric) layer (isolation between levels).例文帳に追加

ＩＬＤ層（レベル間の分離）を形成するために、さらなる絶縁物質層を加えてもよい。 - 特許庁

An ILD 7 is formed on a silicon substrate 1 formed with the titanium silicide film 5, and the ILD 7 is selectively removed to form a contact hole H.例文帳に追加

チタンシリサイド膜５が形成されたシリコン基板１上にＩＬＤ７を形成し、このＩＬＤ７を選択的に除去してコンタクトホールＨを形成する。 - 特許庁

Furthermore, even if characteristics of a semiconductor laser LD is varied, a drive current Ild of the semiconductor laser LD is compensated, and the differential amplifier 11 has a function for suppressing noise to a low level, the semiconductor laser LD is modulated stably.例文帳に追加

また半導体レーザLDの特性が変化しても半導体レーザLDの駆動電流Ildが補正され、差動増幅器１１はノイズを少なく抑える機能があるので、半導体レーザLDを安定して変調できる。 - 特許庁

In a preferable embodiment, the ILD the via level is formed with a low-k SiCOH material, and the ILD for the line level is formed with a low-k polymer thermosetting material.例文帳に追加

好ましい実施形態では、ビア・レベルのＩＬＤを低ｋ ＳｉＣＯＨ材料で形成し、ライン・レベルのＩＬＤを低ｋポリマー熱硬化性材料で形成する。 - 特許庁

The poly urethane foam has a density of 23-37 kg/m^3, a 25% ILD (12ϕ) hardness of 15-25 N, a 65% ILD (12ϕ) hardness of 43-75N, and a 25% CLD hardness of 30-40 KPa.例文帳に追加

ポリウレタン発泡体は、密度２３〜３７ｋｇ／ｍ^３、２５％ＩＬＤ（１２φ）硬度１５〜２５Ｎ、６５％ＩＬＤ（１２φ）硬度４３〜７５Ｎ、２５％ＣＬＤ硬度３０〜４０ＫＰａとする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lower Interlayer Dielectric (ILD) layer having a top surface formed on a substrate.例文帳に追加

この半導体デバイスは、基板上に形成され、上部表面を有する下部層間誘電体（ＩＬＤ）層を含む。 - 特許庁

In alternative method, an integrated circuit thermistor is formed from a thermistor material region in an embossed region of interlayer dielectric (ILD).例文帳に追加

代替方法の集積回路サーミスタは、レベル間誘電体（ＩＬＤ）のエンボス領域内のサーミスタ材料の領域から形成される。 - 特許庁

Based on an emission level command signal VREF from a first input terminal 12, a drive current ILD is fed to a semiconductor laser 30.例文帳に追加

第１の入力端子１２からの発光レベル指令信号ＶREFに基づいて、半導体レーザ３０に駆動電流ＩLD を供給する。 - 特許庁

A central ILD layer overlies the intermediate conductor for electrically insulating and separating the intermediate conductor lines from the upper conductor lines.例文帳に追加

中央ＩＬＤ層を中間導体の下に形成して、下部導体ラインから中間導体ラインを電気的に絶縁し分離する。 - 特許庁

For example, a P channel MOS transistor 9 as a driving current source produces a driving current ILD according to a set current Ic.例文帳に追加

たとえば、駆動電流源としてのＰチャネルＭＯＳトランジスタ９は、設定電流Ｉｃに応じて駆動電流Ｉ_ＬＤを生成する。 - 特許庁

Thereby, a peak value of total current corrugation ILD decreases double at the time of one beam.例文帳に追加

これにより、トータルの電流波形ＩＬＤのピーク値を１ビームのときの２倍に低減させることができる。 - 特許庁

The drive current ILD allowed to flow into the LD 53 is increased in proportion with the drop of the forward voltage Vop of the LD 53 following temperature rise.例文帳に追加

また、温度上昇に伴うＬＤ５３の順電圧Ｖｏｐの低下に比例して、ＬＤ５３に流れる駆動電流ＩＬＤが増加する。 - 特許庁

An outside resistor Rm monitors a driving current ILD flowing through the collector of the transistor 29, and feeds it back to a gain control amplifier 17.例文帳に追加

外付け抵抗Ｒｍはトランジスタ２９のコレクタに流れる駆動電流Ｉ_LDをモニタし、利得制御増幅器１７にフィードバックしている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a sensor element (120) which is disposed in a semiconductor substrate (110) and a trench (150) which covers and surrounds inter-level insulators (ILD:140) disposed on the semiconductor substrate and the sensor element and is disposed in the ILD filled with a first insulator.例文帳に追加

半導体デバイスは、半導体基板（１１０）内に配置されるセンサ要素（１２０）と、半導体基板上に配置されるインターレベル絶縁体（ＩＬＤ：１４０）とセンサ要素を覆い且つ包囲し、第一絶縁材で充填されるＩＬＤに配置されるトレンチ（１５０）とを含む。 - 特許庁

Since the ILD 11 is protected by the etching stopper layer 15 even when the formed position of the first aluminum wiring 17 or a via hole (h) is somewhat deviated from the contact hole H, the over-etching of the ILD 11 can be prevented at the time of forming the via hole (h).例文帳に追加

コンタクトホールＨに対して、第１アルミ配線１７の形成位置やビアホールｈの形成位置が多少ずれてしまった場合でも、ＩＬＤ１１はエッチングストップ層１５によって保護されるので、ビアホールｈの形成時にＩＬＤ１１に対するオーバエッチングを防止することができる。 - 特許庁

A drive current output circuit 6 outputs a laser drive current ILD, corresponding to a hold voltage VH of a hold capacitor 5 connected with the output side of the transconductor 4.例文帳に追加

駆動電流出力回路６は、トランスコンダクタ４の出力側に接続されたホールド容量５の保持電圧ＶＨに応じたレーザー駆動電流ＩＬＤを出力する。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor memory device 1, a laminate ML is formed by alternately stacking a plurality of interlayer dielectrics ILD and a plurality of control gate electrodes CG.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１において、それぞれ複数の層間絶縁膜ＩＬＤ及び制御ゲート電極ＣＧを交互に積層させて積層体ＭＬを形成する。 - 特許庁

A photodiode 40, a current-voltage conversion amplifier 44, a comparator 14, and a first voltage-current conversion amplifier 22 form a feedback loop for controlling the current ILD to stabilize optical output from the semiconductor laser 30.例文帳に追加

フォトダイオード４０、電流−電圧変換アンプ４４、比較器１４、および第１の電圧−電流変換アンプ２２によってフィードバックループを形成し、電流ＩLDを制御して半導体レーザ３０の光出力を安定させる。 - 特許庁

A P channel MOS transistor 13 as a current switch supplies the driving current ILD produced by the transistor 9 to a semiconductor laser 15 according to a driving pulse signal CP.例文帳に追加

電流スイッチとしてのＰチャネルＭＯＳトランジスタ１３は、駆動パルス信号ＣＰに応じて、上記トランジスタ９で生成された駆動電流Ｉ_ＬＤを半導体レーザ１５に供給する。 - 特許庁

Since the polysilicon film 5 has higher mechanical strength and higher resistance against a mechanical shock than the ILD film 7, cracks can be suppressed when the semiconductor device is subjected to probe inspection.例文帳に追加

ポリシリコン膜５は、ＩＬＤ膜７よりも強度があり、衝撃に対する耐性が高いため、プローブ検査の際にクラックの発生を抑制することができる。 - 特許庁

Then, an etching stopper layer 15 is formed on the ILD 11 so as to cover the first aluminum wiring 17, and an IMD (inter metal dielectric) 21 is formed on the etching stopper layer 15.例文帳に追加

次に、この第１アルミ配線１７を覆うようにＩＬＤ１１上にエッチングストップ層１５を形成し、さらに、このエッチングストッパ層１５上にＩＭＤ２１を形成する。 - 特許庁

A sample-hold circuit 20 is set at a sample mode, when the second input terminal 52 is on and current difference between the drive current ILD and a fixed current IM is sampled, thus determining a bias current IC.例文帳に追加

第２の入力端子５２がオンのときサンプルホールド回路２０をサンプルモードに設定し、駆動電流ＩLD と固定電流ＩM との電流差をサンプリングし、バイアス電流ＩC に定める。 - 特許庁

An operational amplifier 42 compares the peak voltage Vout-p with a reference peak voltage Vpeak for determining the peak value, and controls the drive current ILD according to a comparison result.例文帳に追加

オペアンプ４２は、ピーク電圧Ｖout-p とピーク値を決定する基準ピーク電圧Ｖpeakとを比較し、比較結果に従って駆動電流ＩLDを制御する。 - 特許庁

To provide a composition and method for polishing an insulating layer in ILD and STI processes, exhibiting an improved removal rate of insulating layer, as well as improved storage stability.例文帳に追加

改善された絶縁層除去速度及び、改善された貯蔵安定性を示す、ＩＬＤ及びＳＴＩプロセスにおいて絶縁層を研磨する組成物及び方法を提供する。 - 特許庁

That is, this pad material for a sheet consists of soft polyurethane foam which has 28 to 37 kg/m^3 core density, 70 to 76% impact resilience, and 147 to 294 N/314 cm^2 hardness (25%-ILD).例文帳に追加

すなわち、コア密度が２８〜３７ｋｇ／ｍ^３ 、反発弾性が７０〜７６％、かつ硬さ（２５％−ＩＬＤ）が１４７〜２９４Ｎ／３１４ｃｍ^２ である軟質ポリウレタンフォームからなることを特徴とするシート用パッド材である。 - 特許庁

A through-hole H extending in the stacking direction is formed in the laminate ML, and a part of the interlayer dielectric ILD facing the through-hole H through the through-hole H is etched to remove the portion to form a removed portion A.例文帳に追加

そして、積層体ＭＬに積層方向に延びる貫通ホールＨを形成し、貫通ホールＨを介して層間絶縁膜ＩＬＤにおける貫通ホールＨに面した部分をエッチングして除去し、除去部分Ａを形成する。 - 特許庁

The optical transmitter includes the light emitting element LD for converting inputted electric signals IN to optical signals and a drive circuit DC for controlling an element current (ILD) distributed to the light emitting element LD on the basis of the electric signals.例文帳に追加

入力される電気信号ＩＮを光信号に変換する発光素子ＬＤと、当該電気信号に基づいて発光素子ＬＤに通流する素子電流（ＩLD）を制御する駆動回路ＤＣとを備える。 - 特許庁

In addition, a noise which is produced by the transistor 13 and is superimposed with the driving current ILD is removed by a capacitor 21.例文帳に追加

また、キャパシタ２１によって、上記トランジスタ１３で発生されて、上記駆動電流Ｉ_ＬＤに重畳されるノイズを除去する構成とされている。 - 特許庁

To provide a cleaning solution for lithography, the liquid having excellent corrosion suppression function in relation to an ILD (interlayer dielectric) material and excellent removal performance in relation to a resist film and a bottom antireflection coating film, and to provide a method for forming a wiring line by using the cleaning solution for lithography.例文帳に追加

ＩＬＤ材料に対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜及び下層反射防止膜の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming the multilayer interconnection in which the multilayer interconnection 50 is formed on a semiconductor substrate 1, a first aluminum wiring 17 is formed on an ILD (inter layer dielectric) 11 so that the wiring 17 may come into contact with the upper surface of a first plug electrode 13 after the electrode 13 is formed in a contact hole H.例文帳に追加

半導体基板１に多層配線５０を形成する方法であって、コンタクトホールＨ内に第１プラグ電極１３を形成した後、この第１プラグ電極１３の上面と接触するようにＩＬＤ１１上に第１アルミ配線１７を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming contact holes of a semiconductor device capable of improving the characteristics of the semiconductor element, by preventing lifting phenomena caused by a difference in stress between a nitride film used as a hard mask and an oxide film used as an ILD film at its lower part.例文帳に追加

ハードマスクとして用いられる窒化膜とその下部にＩＬＤ膜として用いられる酸化膜との間の応力差により発生するリフティング現象を防止して、半導体素子の特性を改善させ得る半導体素子のコンタクト孔の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an insulated film ILD formed on the upper side of a semiconductor substrate, wiring M formed in the insulated film, and a mesh-like dummy structure ND which is formed apart from the wiring in the low dielectric insulated film.例文帳に追加

上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板の上方に形成された絶縁膜ＩＬＤと、前記絶縁膜内に形成された配線Ｍと、前記低誘電率絶縁膜内に前記配線と離間して形成された網目状ダミー構造体ＮＤとを具備する。 - 特許庁

By using the ILD layer comprising at least two insulating layers and by removing a part of the layer in the storage capacitor region, a charge area in the storage capacitor can be reduced by an increase in the capacity of the storage capacitor, and the area of the light emitting region can be increased.例文帳に追加

これにより、少なくとも２層の絶縁層からなるＩＬＤ層を使用し、かつストレージキャパシタの領域では一部層が除去されることによって、ストレージキャパシタの容量の増大によるストレージキャパシタのチャージ面積の縮小が可能であり、発光領域の面積を拡大できる。 - 特許庁

In the constitution, a drive current ILD which is overshot only in a period determined by the time constants of the coil 55 and the resistor 54, i.e. a period that a high frequency current is allowed to flow at the transition from the quenched state to the light emitting state, is allowed to flow into the LD 53.例文帳に追加

この構成では、コイル５５及び抵抗５４の時定数で定まる期間、すなわち消光状態から発光状態へ遷移する時の高周波電流が流れる期間だけオーバーシュートする駆動電流ＩＬＤが、ＬＤ５３に流れる。 - 特許庁

By a manufacturing method for a metal-insulator-metal(MIM) capacitor, a copper barrier/copper seed layer 4 is deposited on a base substrate, i.e., an interlayer dielectric layer ILD, a dielectric 8 is formed on this copper barrier/copper seed layer 4, and a metal layer 9 is formed on the dielectric 8.例文帳に追加

金属−絶縁物−金属（ＭＩＭ）キャパシタの製造方法で、支持基板たとえば層間誘電体層ＩＬＤ上に銅バリア／銅シード層４を堆積し、この銅バリア／銅シード層４上に誘電体８を形成し、この誘電体８上に金属層９を形成する。 - 特許庁

Copper barrier/copper seed layers 4 are deposited on a support substrate, for example, an interlayer derivative layer ILD by the metal-insulator- metal(MIM) capacitor manufacturing method, a derivative 8 is formed on the copper barrier/copper seed layers 4, and a metal layer 9 is formed on the derivative 8.例文帳に追加

金属−絶縁物−金属（ＭＩＭ）キャパシタの製造方法で、支持基板たとえば層間誘導体層ＩＬＤ上に銅バリア／銅シード層４を堆積し、この銅バリア／銅シード層４上に誘導体８を形成し、この誘導体８上に金属層９を形成する。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁