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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英・英日専門用語 > impurity elementの意味・解説 

impurity elementとは 意味・読み方・使い方

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日英・英日専門用語辞書での「impurity element」の意味

impurity element


「impurity element」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 601



例文

IMPURITY INTRODUCTION METHOD, DEVICE AND ELEMENT例文帳に追加

不純物導入方法、装置および素子 - 特許庁

METHOD FOR MELTING AND REMOVING IMPURITY ELEMENT IN IRON例文帳に追加

鉄中不純物元素の溶解除去方法 - 特許庁

METHOD FOR MELTING AND REMOVING IMPURITY ELEMENT IN IRON例文帳に追加

鉄中不純物元素の溶融除去方法 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子の不純物濃度の測定方法 - 特許庁

IMPURITY ELEMENT QUANTITY DETERMINATION METHOD ON SILICON WAFER SURFACE例文帳に追加

シリコンウェハ表面の不純物元素の定量方法 - 特許庁

METHOD OF ANALYZING IMPURITY ELEMENT IN METALLIC SODIUM例文帳に追加

金属ナトリウム中の不純物元素の分析方法 - 特許庁

例文

The opening for the anode is masked, a p-type impurity element is added to the n-type impurity region, and a second n-type impurity region containing an n-type impurity element and the p-type impurity element is formed.例文帳に追加

アノード用開口部をマスクして、カソード用開口部を通して、n型不純物領域にp型不純物元素を添加し、n型不純物元素およびp型不純物元素を含む第2のn型不純物領域を形成する。 - 特許庁

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「impurity element」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 601



例文

PRE-TREATMENT METHOD OF MIXING IMPURITY ELEMENT FOR PLATING例文帳に追加

鍍金加工のための不純物元素混入前処理法 - 特許庁

As an impurity element, aluminum is used for example.例文帳に追加

不純物元素としてはたとえばアルミニウムを使用する。 - 特許庁

METHOD OF SEPARATING IMPURITY ELEMENT FROM PLATINUM GROUP SOLUTION例文帳に追加

白金族溶解液からの不純物元素の分離方法 - 特許庁

Since an impurity element is added under a low temperature, amorphous state can be attained with a small quantity of impurity element.例文帳に追加

低温で不純物元素の添加を行なうことで、少量の不純物元素で非晶質状態を作ることが出来る。 - 特許庁

The impurity region Ap for the function element is electrically connected to the impurity region An for the power supply potential through the conductive layer PCL for contact formed straddling the impurity region Ap for the function element and the impurity region An for the power supply potential.例文帳に追加

上記機能素子用不純物領域Apと電源電位用不純物領域Anとをまたぐように形成されるコンタクト用導電層PCLを通じて電気的に接続される。 - 特許庁

Impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 using an ion implanter and then impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜12にイオン注入装置を用い、不純物1(VI族又はII族元素)を打ち込む(図5(c))。 - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING RHODIUM AND/OR INDIUM-CONTAINING MATERIAL FOR IMPURITY ELEMENT例文帳に追加

ロジウムやイリジウム含有物中の不純物元素分析方法 - 特許庁

例文

An impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 by using an ion implanter, and then an impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜12にイオン注入装置を用い、不純物1(VI族又はII族元素)を打ち込む(図5(c))。 - 特許庁

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