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impurity distributionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 不純物分布
「impurity distribution」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 155件
MANUFACTURING METHOD OF SAMPLE FOR MEASURING IMPURITY DISTRIBUTION OF SEMICONDUCTOR AND MEASURING METHOD OF IMPURITY DISTRIBUTION例文帳に追加
半導体の不純物分布測定用試料の製造方法および不純物分布測定方法 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING IMPURITY DISTRIBUTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置の不純物分布測定方法 - 特許庁
Impurity concentration is low in a channel region along the trenches, and the impurity concentration distribution is flattened.例文帳に追加
トレンチに沿ったチャネル層では不純物濃度が低くなり濃度分布が平坦化する。 - 特許庁
To provide an impurity concentration measuring method for quantitatively measuring an impurity concentration and measuring an impurity concentration distribution in a minute area.例文帳に追加
不純物濃度の定量的な測定や、微小領域の不純物濃度分布を測定することができる不純物濃度測定方法を提供する。 - 特許庁
METHODS OF MEASURING IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION IN SILICON CARBIDE MATERIAL OR SILICON NITRIDE MATERIAL, AND IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION IN CERAMICS例文帳に追加
炭化ケイ素材または窒化ケイ素材の不純物濃度分布測定方法ならびにセラミックスの不純物濃度分布測定方法 - 特許庁
The concentration of the primary p-type impurity concentration distribution at the pn junction is higher than that of the secondary p-type impurity concentration distribution at the pn junction.例文帳に追加
第1のp型不純物濃度分布のpn接合部での濃度は第2のp型不純物濃度分布のpn接合部での濃度よりも高い。 - 特許庁
METHOD OF MEASURING IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION OF SEMICONDUCTOR WAFER AND APPARATUS FOR THE SAME例文帳に追加
半導体ウェハの不純物濃度分布測定方法およびそのための装置 - 特許庁
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「impurity distribution」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 155件
The distribution of impurity concentrations is provided in a p-type group-III nitride semiconductor layer 8.例文帳に追加
p型のIII族窒化物半導体層8に不純物濃度の分布を設ける。 - 特許庁
METHOD FOR CALCULATING IMPURITY DISTRIBUTION AND ITS COMPUTER PROGRAM例文帳に追加
不純物分布計算方法およびそのコンピュータプログラム - 特許庁
To improve the accuracy in measurement of impurity concentration distribution by accurately indicating the boundary surface between an impurity layer and a semiconductor layer.例文帳に追加
不純物層と半導体層との境界面を正確に示すことにより、不純物濃度分布の測定精度を向上させる。 - 特許庁
The floating gate 15 comprises an impurity distribution structure provided with three doping layers 16, 17, and 18 which are high in impurity concentration.例文帳に追加
上記浮遊ゲート15は、不純物濃度の高い3層のドーピング層16,17,18を有する不純物分布構造を持っている。 - 特許庁
To carry out device simulation on the basis of a changed impurity- concentration distribution after impurity simulation data is changed by a simple operation.例文帳に追加
不純物シミュレーションデータを簡単な操作で変更して、変更後の不純物濃度分布に基づきデバイスシミュレーションを行うこと。 - 特許庁
To form the p-n junction of a variable capacitance diode to be shallow, to sharpen the distribution of impurity concentration and to lower the impurity concentration.例文帳に追加
可変容量ダイオードのpn接合を浅く形成して、不純物濃度の分布を急峻にするとともに不純物濃度を低くすることである。 - 特許庁
Concerning the semiconductor element the gate length of which is the upper-limit gate length, an impurity injecting condition is determined to calculate representative impurity concentration distribution.例文帳に追加
ゲート長が上限ゲート長の半導体素子について、不純物注入条件を決定し、代表不純物濃度分布を計算する。 - 特許庁
To uniform a potential distribution between a first impurity region and a second impurity region (for example, a source and a drain).例文帳に追加
第1不純物領域−第2不純物領域間(たとえば、ソース−ドレイン間)の電位分布を均一にすること。 - 特許庁
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