impurity conductionとは 意味・読み方・使い方

The conduction inhibiting structure can be made, for example, by a groove or a structure in which impurity ions are implanted.例文帳に追加

導電阻止構造は、例えば、溝或いは半導体に不純物がイオン注入された構造により達成される。 - 特許庁

To decrease a dark current by suppressing a descent of the end of a conduction band caused by an impurity doping regarding an infrared detector, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

赤外線検知器及びその製造方法に関し、不純物ドープに伴う伝導帯端の引き下がりを抑制して、暗電流を低減する。 - 特許庁

To provide an electronic device capable of controlling conduction characteristics without using a low work function metal or impurity doping.例文帳に追加

低仕事関数金属の使用や不純物ドーピングなしで伝導特性を制御し得る電子デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, a semiconductor layer to which an impurity element imparting one conduction type is added is formed, and a conductive film is formed, and thus, a thin film transistor is manufactured.例文帳に追加

次に、一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層を形成し、導電層を形成して、薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

The conduction of an end in the element is suppressed by injecting a proper impurity into this ledge.例文帳に追加

次にこのレッジに適切な不純物を垂直方向に注入し、それにより素子中の端部導通を抑制する。 - 特許庁

Furthermore, the conduction electron has high conductivity because the hole formed to the shallow impurity level becomes a carrier.例文帳に追加

そして、浅い不純物準位に形成される正孔がキャリアとなるため、高伝導性を有するものとなる。 - 特許庁

The second semiconductor layer has a third region 4 including second conduction type impurities, whose impurity concentration is equivalent to or higher than that of the second region 3, and a fourth region 6 of a second conduction type formed inside the third region 4 and having the impurity concentration higher than that of the third region 4.例文帳に追加

第２半導体層は、不純物濃度が第２領域３と同等かそれよりも高い第２導電型の不純物を含む第３領域４と、該第３領域４の内部に形成され第３領域４よりも不純物濃度が高い第２導電型の第４領域６とを有している。 - 特許庁

In an oxide thin film 2, as shown in Fig.1(b), a dope oxide layer 2a in which the n-type (electron conduction type) impurity is doped, and an undope oxide layer 2b in which the n-type impurity is not doped are laminated alternatively and repeatedly.例文帳に追加

酸化物薄膜２は、図１（ｂ）に示されるように、ｎ型（電子伝導型）不純物をドーピングしたドープ酸化物層２ａと、ｎ型不純物をドーピングしないアンドープ酸化物層２ｂとが交互に繰り返し積層されている。 - 特許庁