impurity controlとは 意味・読み方・使い方

The control electrode layer faces the second impurity region with an insulating film, disposed therebetween.例文帳に追加

制御電極層は第２不純物領域に絶縁膜を介在して対向している。 - 特許庁

IMPURITY CONCENTRATION SENSOR, FLOW SENSOR, AND MEASUREMENT-CONTROL SYSTEM USING THEM例文帳に追加

不純物濃度センサ、フローセンサおよびこれらを用いた計測・制御システム - 特許庁

For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのしきい値制御の為に、ＤＤＤ不純物層形成にリンを用い、ＤＤＤ不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、ＭＯＳトランジスタのしきい値制御とＤＤＤ不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of silicon carbide that can manufacture silicon carbide with sufficient productivity, while adding impurities under high control without having restrictions of impurity sources and impurity concentration, or the depth restrictions of an impurity addition range, etc., as well as a silicon carbide, and a semiconductor device.例文帳に追加

不純物源や不純物濃度に対する制限もしくは不純物添加範囲の深さ制限等を受けること無く、高い制御性のもとで不純物添加をおこないつつ、十分な生産性のもとで製造を可能とする炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an excimer laser system that can control generation of impurity gas with fluorine gas and also control rise of gas temperature.例文帳に追加

フッ素ガスによる不純ガスの発生を抑制し、ガス温度の上昇も抑えることが可能なエキシマレーザ装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

To control external diffusion from a semiconductor layer of impurity implanted and surface oxidation of semiconductor layer, when the impurity implanted to the semiconductor layer is activated.例文帳に追加

半導体層に注入された不純物を活性化する際に、注入された不純物の半導体層からの外方拡散と半導体層の表面酸化とを抑止できるようにする。 - 特許庁

To control a concentration of a donor impurity or an acceptor impurity in a processing object in which a doping is carried out by using an ion doping system, and to reduce a dispersion of the concentration.例文帳に追加

イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。 - 特許庁