「impurity control」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22.例文帳に追加

半導体上層２６内のｐ型不純物の濃度は、第１不純物拡散抑制膜２４ａ及び第３不純物拡散抑制膜２４ｃ上で薄く、半導体下層２２の第２領域２２ｂ上で濃い。 - 特許庁

An impurity introducing area and an impurity non-introducing area are provided in a channel forming area, when injecting an ion of an impurity into the channel forming area, in order to control a threshold voltage.例文帳に追加

閾値電圧制御のために、チャネル形成領域に不純物のイオン注入をするとき、チャネル形成領域に、不純物導入する領域と不純物導入されない領域を設ける。 - 特許庁

The control electrode layer faces the second impurity region with an insulating film, disposed therebetween.例文帳に追加

制御電極層は第２不純物領域に絶縁膜を介在して対向している。 - 特許庁

IMPURITY CONCENTRATION SENSOR, FLOW SENSOR, AND MEASUREMENT-CONTROL SYSTEM USING THEM例文帳に追加

不純物濃度センサ、フローセンサおよびこれらを用いた計測・制御システム - 特許庁

For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのしきい値制御の為に、ＤＤＤ不純物層形成にリンを用い、ＤＤＤ不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、ＭＯＳトランジスタのしきい値制御とＤＤＤ不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of silicon carbide that can manufacture silicon carbide with sufficient productivity, while adding impurities under high control without having restrictions of impurity sources and impurity concentration, or the depth restrictions of an impurity addition range, etc., as well as a silicon carbide, and a semiconductor device.例文帳に追加

不純物源や不純物濃度に対する制限もしくは不純物添加範囲の深さ制限等を受けること無く、高い制御性のもとで不純物添加をおこないつつ、十分な生産性のもとで製造を可能とする炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an excimer laser system that can control generation of impurity gas with fluorine gas and also control rise of gas temperature.例文帳に追加

フッ素ガスによる不純ガスの発生を抑制し、ガス温度の上昇も抑えることが可能なエキシマレーザ装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

To control external diffusion from a semiconductor layer of impurity implanted and surface oxidation of semiconductor layer, when the impurity implanted to the semiconductor layer is activated.例文帳に追加

半導体層に注入された不純物を活性化する際に、注入された不純物の半導体層からの外方拡散と半導体層の表面酸化とを抑止できるようにする。 - 特許庁

To control a concentration of a donor impurity or an acceptor impurity in a processing object in which a doping is carried out by using an ion doping system, and to reduce a dispersion of the concentration.例文帳に追加

イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。 - 特許庁

A plurality of second impurity doping regions are alternately disposed with the plurality of first impurity regions, along a second side surface that is opposite to the first side surface of the control gate electrode 140, and defined on the semiconductor substrate 105.例文帳に追加

複数の第２不純物ドーピング領域は、制御ゲート電極１４０の第１側面の反対側の第２側面に沿って複数の第１不純物ドーピング領域と交互に配置され、半導体基板１０５に画定される。 - 特許庁

To provide an impurity diffusion method in which an impurity peak concentration is high or a control of a diffusion profile is easy, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

不純物ピーク濃度が高くまたは拡散プロファイルの制御が容易な不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises first, third and fifth impurity regions of a first conductivity type, second and fourth impurity regions of a second conductivity type, and a control electrode layer.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の第１、第３および第５不純物領域と、第２導電型の第２および第４不純物領域と、制御電極層とを備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing the entry of a conductivity type impurity into the gate insulating film while carrying out the threshold value control by introducing the conductivity type impurity into the channel region.例文帳に追加

チャネル領域に導電型不純物を導入して閾値制御を行いつつ、ゲート絶縁膜中に導電型不純物が取り込まれるのを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A fuel cell system 10 is equipped with a fuel cell stack 22; an impurity exhausting part (an exhaust gas exhausting passage 64 and a purge valve 27); an anode gas pressure control part (an injector 62); and a control part (a CPU 74) controlling the impurity exhausting part and the anode gas pressure control part.例文帳に追加

燃料電池システム１０は、燃料電池スタック２２と、不純物排出部（排ガス排出路６４およびパージバルブ２７）と、アノードガス圧調節部（インジェクタ６２）と、不純物排出部およびアノードガス圧調節部を制御する制御部（ＣＰＵ７４）と、を備える。 - 特許庁

Impurity for threshold control is injected into the surface layer of the semiconductor substrate, below the gate electrode 4 after the irradiation of the laser beam.例文帳に追加

レーザ照射の後に、ゲート電極の下方の半導体基板の表面層に、しきい値制御用の不純物を注入する。 - 特許庁

A plurality of first impurity doping regions are disposed along a first side surface of the control gate electrode 140 and is defined by the semiconductor substrate 105.例文帳に追加

複数の第１不純物ドーピング領域は、制御ゲート電極１４０の第１側面に沿って配置され、半導体基板１０５に画定される。 - 特許庁

The source/drain area is previously formed on a substrate before a gate electrode is formed, so it is easy to control an impurity distribution in the channel.例文帳に追加

ゲート電極を形成する前にソース／ドレーン領域を基板にあらかじめ形成するので、チャンネルでの不純物分布の制御が容易である。 - 特許庁

A pair of impurity diffusion regions 24a and 24b is formed in a part of surface region of the semiconductor substrate sandwiching the control electrode.例文帳に追加

一対の不純物拡散領域２４ａ、２４ｂは、半導体基板の表層領域の制御電極を挟む領域部分に形成されている。 - 特許庁

A portion 24 overlapped in the one direction is formed of polycrystalline silicon having a doped impurity on a side face of an ONO film 22 of a control gate electrode 2.例文帳に追加

制御ゲート電極２のONO膜２２の側面に上記一方向に重なる部分２４を、不純物がドープされた多結晶シリコンで形成する。 - 特許庁

To reduce manufacturing fluctuation of an impurity diffusing regions formed in both sides of a control gate forming region in a 2-bit/cell memory element.例文帳に追加

２ビット／セルのメモリ素子において、コントロールゲート形成領域の両側に形成する不純物拡散領域の製造ばらつきを低減する。 - 特許庁

To provide a light emitting element where distortion treatment and control of impurity are performed in a growth layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

成長層におけるひずみ処理および不純物制御の施された発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The electric field control layer 104 is elaborated from compound semiconductor including Sb and made p-type by introducing C as impurity.例文帳に追加

電界制御層１０４は、Ｓｂを含む化合物半導体から構成されてＣを不純物として導入することでｐ型とされている。 - 特許庁

Detection data is processed at a control/arithmetic operation part 9 to acquire measurement values of electrical characteristics, impurity concentrations, etc. of the sample S.例文帳に追加

検出データは、制御・演算処理部９で処理され、試料Ｓの電気的特性や不純物濃度などの測定値を得る。 - 特許庁

An isolation insulating layer 6 isolates a region where the source-drain region 11 is formed from the impurity diffusion region 14 for control gate by surrounding the periphery of the impurity diffusion region 14 for control gate while reaching the buried insulating layer 2 from the surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

分離絶縁層６は、半導体層３の表面から埋め込み絶縁層２に達しながらコントロールゲート用不純物拡散領域１４の周囲を取り囲むことで、ソース／ドレイン領域１１が形成された領域とコントロールゲート用不純物拡散領域１４とを分け隔てている。 - 特許庁

When a voltage is applied to the control electrode (109), a depletion layer can be generated in the impurity layer (104) under the control electrode (109) during operation of the semiconductor device, so that carriers flow with being separated from the interface between the insulating film (108) and the impurity layer (104).例文帳に追加

制御電極（１０９）に電圧を印加すると、半導体装置の動作中に制御電極（１０９）の下の不純物層（１０４）に空乏層を発生させることができ、キャリアは絶縁膜（１０８）と不純物層（１０４）の界面から離れて流れる。 - 特許庁

A source impurity region 4 and a drain impurity region 5 are separately formed in a semiconductor layer 3 supported on a substrate 1 and a memory transistor constituted by laminating a gate insulating film 7, a floating gate FG, a inter-gate insulating film 8, and a control gate CG upon another, is provided on the semiconductor layer 3 between the impurity areas 4 and 5.例文帳に追加

基板１に支持された半導体層３内にソース不純物領域４およびドレイン不純物領域５が互いに離間して形成され、両不純物領域４，５に挟まれた半導体層部分の上に、ゲート絶縁膜７、浮遊ゲートＦＧ、ゲート間絶縁膜８および制御ゲートＣＧが積層されたメモリトランジスタを有する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing a single crystal, which are capable of improving rotational accuracy of a crucible, particularly in a low rotational speed range, and performing advanced control of the impurity concentration in the single crystal to be grown, thereby producing the single crystal with little variation in impurity concentration.例文帳に追加

特に低速回転領域におけるルツボの回転精度を向上することができ、育成する単結晶の不純物濃度をより高度に制御して、不純物濃度のバラツキが抑制された単結晶を製造することができる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

The first control layer 117 includes a lower layer 117a, an intermediate layer 117b formed on the lower layer 117a having lower impurity concentration compared with the lower layer 117a, and an upper layer 117c formed on the intermediate layer 117b having higher-impurity concentration, as compared with the intermediate layer 117b.例文帳に追加

第１のコントロール層１１７は、下層１１７ａと、下層１１７ａの上に形成され、下層１１７ａと比べて不純物濃度が低い中層１１７ｂと、中層１１７ｂの上に形成され、中層１１７ｂと比べて不純物濃度が高い上層１１７ｃとを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor element where the generation of an electric field between a drain impurity area and an impurity layer for threshold voltage control is prevented, leak current is reduced and the reliability of the semiconductor is improved, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

ドレイン不純物領域としきい値電圧調節用不純物層との間の電界発生を防止して漏洩電流を減少させ、半導体素子の信頼性を改善できるようにした半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for measuring an impurity concentration profile which allows for accurate control of the impurity concentration and profile of a semiconductor layer, and to provide a wafer for use in the method, and a method of manufacturing a semiconductor device using it.例文帳に追加

半導体層の不純物濃度およびプロファイルを正確に制御することを可能とする不純物濃度プロファイルの測定方法、その方法に用いられるウェーハ、および、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode modifying film which does not obstruct the diffusion of a measuring target substance to an electrode, can control the diffusion only of an impurity substance or can separate the measuring potential of the measuring target substance and the measuring potential of the impurity substance and has good adhesion.例文帳に追加

測定対象物質の電極上への拡散を阻害せず、夾雑物質のみの拡散を制御することのできる、或いは、測定対象物質の測定電位と夾雑物質の測定電位を分離させることのでき、かつ密着性の良い電極修飾膜を提供する。 - 特許庁

Moreover, a high concentration region 16 is formed with higher accuracy because the lattice-to-lattice silicon in the silicon substrate 13 is reduced to control the redistribution of impurity when high temperature heat process is conducted before the process to implant such p-type impurity.例文帳に追加

また、このｐ型不純物を注入する工程の前に高温で熱処理を行うことで、シリコン基板１３内の格子間シリコンが低減して不純物の再分布が抑制されるので、高濃度領域１６が精度良く形成される。 - 特許庁

The non-volatile storage element 100 comprises a silicon substrate 102, a first control gate 114, a second control gate 116, a word gate 152, a first impurity diffusing region 160a provided in the side of the first control gate 114, and a second impurity diffusing region 160b provided in the side of the second control gate 116.例文帳に追加

不揮発性記憶素子１００は、シリコン基板１０２、第１のコントロールゲート１１４、第２のコントロールゲート１１６、およびワードゲート１５２と、第１のコントロールゲート１１４の側方に設けられた第１の不純物拡散領域１６０ａ、および第２のコントロールゲート１１６の側方に設けられた第２の不純物拡散領域１６０ｂを含む。 - 特許庁

A cell structure is realized by (i) providing a side wall control gate on the laminated film of oxide film, nitride film, oxide film (ONO) on both sides of a ward gate, and (ii) forming a control gate and a bit impurity film by self-alignment so that the control gate and the bit impurity film are shared between adjoining memory cells due to high integration.例文帳に追加

セル構造は、（ｉ）ワードゲートの両サイド上の酸化膜−窒化膜−酸化膜（ＯＮＯ）の積層膜上にサイドウォール制御ゲートを配設すること、および（ｉｉ）自己整合によって制御ゲートおよびビット不純膜を形成し、高集積のために隣接するメモリセル間の制御ゲートおよびビット不純膜を共有することによって実現される。 - 特許庁

First impurity layers 810 are formed in the substrate using the control gate layer as an ion implantation mask and the control gate layer is patterned to form a gate on the peripheral circuit part.例文帳に追加

コントロールゲート層をイオン注入マスクとして半導体基板に第１不純物層８１０を形成し、コントロールゲート層をパタニングして周辺回路部にゲートを形成する。 - 特許庁

To provide a sealing method of a glass panel assembly and a furnace for sealing treatment wherein by means of temperature control and pressure control in combination with this at a stage of sealing treatment, impurity gas or the like is removed appropriately, and an amount of impurity gas or the like remaining in the glass panel assembly after the sealing treatment is reduced.例文帳に追加

封着処理の段階において、温度制御とこれに組み合わせた圧力制御により不純ガス等を適切に除去することができ、封着処理後のガラスパネル組立体内に残留する不純ガス等の量を低減することが可能なガラスパネル組立体の封着処理方法および封着処理炉を提供する。 - 特許庁

The first control gate 114 and the second control gate 116 respectively include, at the cross-section in the gate lengthwise direction, the perpendicular surface, in the side where the first impurity diffusing region 160a and the second impurity diffusing region 160b are formed and has, in the facing side, a curved surface which is reduced in height toward the mutually facing direction.例文帳に追加

第１のコントロールゲート１１４および第２のコントロールゲート１１６は、ゲート長方向の断面において、それぞれ、第１の不純物拡散領域１６０ａおよび第２の不純物拡散領域１６０ｂが形成された側に垂直面を有するとともに、互いに対向する側に互いに対向する方向に向かって高さが低くなる湾曲面を有する。 - 特許庁

Estimation results of the gas composition are input into an impurity draining means 105 draining outside impurities in the fuel circulation system, a circulation device control means 106 controlling the circulating device, and a fuel supply control means 107 controlling a fuel supply volume, and utilized for an operation control of the fuel cell.例文帳に追加

気体組成の推定結果は、燃料循環系内の不純物を外部に放出する不純物排出手段１０５、循環装置を制御する循環装置制御手段１０６、燃料供給量を制御する燃料供給制御手段１０７に入力され、燃料電池の運転制御に利用される。 - 特許庁

Electrons are moved from the control gate electrode 7 or the drain region 4 to the N-type impurity region 9 and furthermore accelerated to be injected into the floating gate electrode 11.例文帳に追加

そして、制御ゲート電極７またはドレイン領域からｎ型不純物領域９へ電子を移動させ、更にこの電子を加速して浮遊ゲート電極１１に注入する。 - 特許庁

A characteristic control means for each ion beam is provided in the running path of the plurality of the impurity ion types of the ion beams 4 and 5 emitted from the emission part of the mass spectrometry part 3.例文帳に追加

質量分析部３の出射部から出射せしめられた複数の不純物イオン種のイオンビーム４，５の走行経路中に、当該イオンビームのための特性制御手段が配置されている。 - 特許庁

And then, the control circuit 50 sequentially switches communication states of the selector valves 40-43, and prevents the impurity-containing gas from stagnating near a specific communication hole.例文帳に追加

以降、制御回路５０は、切り換えバルブ部４０〜４３の連通状態を順次切り換えて、不純物含有ガスが特定の連通孔近傍に滞留する事態を防ぐ。 - 特許庁

A pair of impurity added regions are made on the surface layer of the semiconductor substrate on both sides of the gate structure including the floating gate electrode and the first control gate electrode.例文帳に追加

フローティングゲート電極及び第１のコントロールゲート電極を含むゲート構造体の両側の、半導体基板の表面層に一対の不純物添加領域が形成されている。 - 特許庁

The heat treatment step controls heat treatment conditions to control a concentration and a diffusion speed of the impurity diffused from the silicon substrate to the epitaxial layer.例文帳に追加

熱処理工程では、熱処理条件を制御することによって、シリコン基板からエピタキシャル層に拡散される不純物の濃度や拡散速度を制御することができる。 - 特許庁

A resistance change portion 22 is formed between a part of surface region of the semiconductor substrate on the underside of the control electrode and the impurity diffusion region.例文帳に追加

抵抗変化部２２は、半導体基板の表層領域の、制御電極の下側の領域部分と不純物拡散領域との間に形成されている。 - 特許庁