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impurity densityとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 不純物濃度
「impurity density」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 197件
An impurity density of the first semiconductor region is higher than an impurity density of the second semiconductor region.例文帳に追加
第1半導体領域の不純物濃度が、第2半導体領域の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁
Further, the density of the channel area is made less than the impurity density of the low-density drain area.例文帳に追加
更に、前記チャネル領域を低濃度ドレイン領域の不純物濃度よりも低濃度にする。 - 特許庁
The gate impurity region 6 and/or the channel forming impurity region 2 has an impurity density difference in the channel direction.例文帳に追加
ゲート不純物領域6および/またはチャネル形成不純物領域2が、チャネル方向に不純物濃度差を有する。 - 特許庁
The rectifier has a first semiconductor region of a first conductive type to which an impurity of a first impurity density is injected and a second semiconductor region of a second conductive type to which an impurity of a second impurity density that is lower than the first impurity density is injected.例文帳に追加
整流素子は、第1の不純物濃度で不純物が導入された第1導電型の第1半導体領域と、第1の不純物濃度よりも低い第2の不純物濃度で不純物が導入された第2導電型の第2半導体領域とを有する。 - 特許庁
A source/drain region 17 includes a low density impurity region 171 and a high density impurity region 172.例文帳に追加
ソース・ドレイン領域17は、低濃度の不純物領域171及び高濃度の不純物領域172を含む。 - 特許庁
Then, an impurity density of the upper electrode is higher than an impurity density of the memory gate electrode MG.例文帳に追加
そして、上部電極の不純物濃度は、メモリゲート電極MGの不純物濃度よりも高くなっている。 - 特許庁
The drift region includes a second layer with impurity density increased in the lateral direction, and a first layer with impurity density adjusted to a low value.例文帳に追加
ドリフト領域は、横方向に不純物濃度が増加する第2層と、不純物濃度が薄く調整された第1層を備えている。 - 特許庁
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「impurity density」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 197件
The current diffusion layer has a first conductivity type impurity density.例文帳に追加
電流拡散層は、第1の導電形の不純物濃度を有する。 - 特許庁
Furthermore, the semiconductor layer 30 is provided with first and second Si body areas 22 and 23 including high-density p-type impurity, an SiGe layer 24 including low-density p-type impurity, and an Si channel layer 25 including the low-density p-type impurity.例文帳に追加
また、高濃度のp型不純物を含む第1,第2Siボディ領域22,23と、低濃度のp型不純物を含むSiGe層24と、低濃度のp型不純物を含むSiチャネル層25とが設けられている。 - 特許庁
The p-type InGaAlP cladding layer 34 is provided with a high density layer 41 having a relatively high doping density of a p-type impurity, and a low density layer 42 formed on the high density layer 41 and having a relatively low doping density of a p-type impurity.例文帳に追加
p型InGaAlP下クラッド層34は、p型不純物のドーピング濃度の相対的に高い高濃度層41と、その高濃度層41上に形成され、p型不純物のドーピング濃度の相対的に低い低濃度層42とを備えている。 - 特許庁
The source and drain regions 14a, 14b have practically the same shape and the same impurity density.例文帳に追加
各ソース,ドレイン領域14a,14bは実質的に同等の形状及び不純物濃度である。 - 特許庁
To make steep impurity density distribution in a channel direction, in an extension region.例文帳に追加
エクステンション領域におけるチャネル方向の不純物濃度分布を急峻にすることができる。 - 特許庁
The body region 3 has an impurity density of 5×10^16 cm^-3 or more.例文帳に追加
ボディ領域3は5×10^16cm^-3以上の不純物密度を有する。 - 特許庁
Impurity density of the surface of the wafer may be 1×10^11 atoms/cm^2 or less.例文帳に追加
また、当該ウェハの表面の不純物密度を1×10^11atoms/cm^2以下とすればよい。 - 特許庁
The TFT is not provided with an LDD region (low density impurity region).例文帳に追加
このTFTは、LDD領域(低濃度不純物領域)を有しない構造とする。 - 特許庁
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不純物濃度
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