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impurity densityとは 意味・読み方・使い方
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「impurity density」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 197件
An impurity density of the first semiconductor region is higher than an impurity density of the second semiconductor region.例文帳に追加
第１半導体領域の不純物濃度が、第２半導体領域の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁
Further, the density of the channel area is made less than the impurity density of the low-density drain area.例文帳に追加
更に、前記チャネル領域を低濃度ドレイン領域の不純物濃度よりも低濃度にする。 - 特許庁
Then, an impurity density of the upper electrode is higher than an impurity density of the memory gate electrode MG.例文帳に追加
そして、上部電極の不純物濃度は、メモリゲート電極ＭＧの不純物濃度よりも高くなっている。 - 特許庁
A source/drain region 17 includes a low density impurity region 171 and a high density impurity region 172.例文帳に追加
ソース・ドレイン領域１７は、低濃度の不純物領域１７１及び高濃度の不純物領域１７２を含む。 - 特許庁
The gate impurity region 6 and/or the channel forming impurity region 2 has an impurity density difference in the channel direction.例文帳に追加
ゲート不純物領域６および／またはチャネル形成不純物領域２が、チャネル方向に不純物濃度差を有する。 - 特許庁
The drift region includes a second layer with impurity density increased in the lateral direction, and a first layer with impurity density adjusted to a low value.例文帳に追加
ドリフト領域は、横方向に不純物濃度が増加する第２層と、不純物濃度が薄く調整された第１層を備えている。 - 特許庁
The rectifier has a first semiconductor region of a first conductive type to which an impurity of a first impurity density is injected and a second semiconductor region of a second conductive type to which an impurity of a second impurity density that is lower than the first impurity density is injected.例文帳に追加
整流素子は、第１の不純物濃度で不純物が導入された第１導電型の第１半導体領域と、第１の不純物濃度よりも低い第２の不純物濃度で不純物が導入された第２導電型の第２半導体領域とを有する。 - 特許庁
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「impurity density」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 197件
The current diffusion layer has a first conductivity type impurity density.例文帳に追加
電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。 - 特許庁
In addition, the impurity density Nd of the JFET region 10 is equal to or higher than the impurity density of a drift layer 17 and equal to or lower than 1×10^16 cm^-3.例文帳に追加
またＪＦＥＴ領域１０の不純物密度Ｎｄを、ドリフト層１７の不純物密度以上であって１×１０^16ｃｍ^-3以上とする。 - 特許庁
The ions form a first impurity density in the first area 22 and form a second impurity density in the second area 20.例文帳に追加
イオンは、前記第１の領域２２において第１の不純物濃度を形成するとともに前記第２の領域２０において第２の不純物濃度を形成する。 - 特許庁
Furthermore, the semiconductor layer 30 is provided with first and second Si body areas 22 and 23 including high-density p-type impurity, an SiGe layer 24 including low-density p-type impurity, and an Si channel layer 25 including the low-density p-type impurity.例文帳に追加
また、高濃度のｐ型不純物を含む第１，第２Ｓｉボディ領域２２，２３と、低濃度のｐ型不純物を含むＳｉＧｅ層２４と、低濃度のｐ型不純物を含むＳｉチャネル層２５とが設けられている。 - 特許庁
The body region 3 has an impurity density of 5×10^16 cm^-3 or more.例文帳に追加
ボディ領域３は５×１０^16ｃｍ^-3以上の不純物密度を有する。 - 特許庁
The p-type InGaAlP cladding layer 34 is provided with a high density layer 41 having a relatively high doping density of a p-type impurity, and a low density layer 42 formed on the high density layer 41 and having a relatively low doping density of a p-type impurity.例文帳に追加
ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４は、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に高い高濃度層４１と、その高濃度層４１上に形成され、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に低い低濃度層４２とを備えている。 - 特許庁
Additionally, the impurity density of a p-type anode layer 50 in the diode element region J2 is low compared to the impurity density of a p-type body layer 30 in the IGBT element region J1.例文帳に追加
また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁
This can form the first metal film with different density of the impurity elements.例文帳に追加
これにより、不純物元素濃度の異なる第１の金属膜を基板上に形成できる。 - 特許庁
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