「impurity density」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The drift region includes a second layer with impurity density increased in the lateral direction, and a first layer with impurity density adjusted to a low value.例文帳に追加

ドリフト領域は、横方向に不純物濃度が増加する第２層と、不純物濃度が薄く調整された第１層を備えている。 - 特許庁

The rectifier has a first semiconductor region of a first conductive type to which an impurity of a first impurity density is injected and a second semiconductor region of a second conductive type to which an impurity of a second impurity density that is lower than the first impurity density is injected.例文帳に追加

整流素子は、第１の不純物濃度で不純物が導入された第１導電型の第１半導体領域と、第１の不純物濃度よりも低い第２の不純物濃度で不純物が導入された第２導電型の第２半導体領域とを有する。 - 特許庁

The current diffusion layer has a first conductivity type impurity density.例文帳に追加

電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。 - 特許庁

In addition, the impurity density Nd of the JFET region 10 is equal to or higher than the impurity density of a drift layer 17 and equal to or lower than 1×10^16 cm^-3.例文帳に追加

またＪＦＥＴ領域１０の不純物密度Ｎｄを、ドリフト層１７の不純物密度以上であって１×１０^16ｃｍ^-3以上とする。 - 特許庁

The ions form a first impurity density in the first area 22 and form a second impurity density in the second area 20.例文帳に追加

イオンは、前記第１の領域２２において第１の不純物濃度を形成するとともに前記第２の領域２０において第２の不純物濃度を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor layer 30 is provided with first and second Si body areas 22 and 23 including high-density p-type impurity, an SiGe layer 24 including low-density p-type impurity, and an Si channel layer 25 including the low-density p-type impurity.例文帳に追加

また、高濃度のｐ型不純物を含む第１，第２Ｓｉボディ領域２２，２３と、低濃度のｐ型不純物を含むＳｉＧｅ層２４と、低濃度のｐ型不純物を含むＳｉチャネル層２５とが設けられている。 - 特許庁

The body region 3 has an impurity density of 5×10^16 cm^-3 or more.例文帳に追加

ボディ領域３は５×１０^16ｃｍ^-3以上の不純物密度を有する。 - 特許庁

The p-type InGaAlP cladding layer 34 is provided with a high density layer 41 having a relatively high doping density of a p-type impurity, and a low density layer 42 formed on the high density layer 41 and having a relatively low doping density of a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４は、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に高い高濃度層４１と、その高濃度層４１上に形成され、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に低い低濃度層４２とを備えている。 - 特許庁

Additionally, the impurity density of a p-type anode layer 50 in the diode element region J2 is low compared to the impurity density of a p-type body layer 30 in the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

This can form the first metal film with different density of the impurity elements.例文帳に追加

これにより、不純物元素濃度の異なる第１の金属膜を基板上に形成できる。 - 特許庁

The TFT is not provided with an LDD region (low density impurity region).例文帳に追加

このＴＦＴは、ＬＤＤ領域（低濃度不純物領域）を有しない構造とする。 - 特許庁

METHOD FOR OPTIMIZING DENSITY DISTRIBUTION OF IMPURITY IN SEMICONDUCTOR DEVICE, AND EQUIPMENT AND RECORDING MEDIA THEREFOR例文帳に追加

半導体素子の不純物濃度分布の最適化方法、装置および記録媒体 - 特許庁

Because of the short-time heat treatment, impurity density profile in the diffused layer is not disturbed.例文帳に追加

短期間の熱処理のため拡散層の不純物プロファイルに影響を与えない。 - 特許庁

Further, the gate electrode 12d is formed to such a thickness that impurity ions are stopped from being transmitted when the impurity ions are injected in a high-density impurity layer forming stage, a high-density impurity layer 22 can be formed by injecting the impurity ions into the semiconductor substrate 10 while using the same gate electrode 12d as a mask.例文帳に追加

また、ゲート電極１２ｄが高濃度不純物層形成工程で不純物イオンを注入するときに不純物イオンの透過を妨げる厚さに形成されるため、同じゲート電極１２ｄをマスクにして半導体基板１０に不純物イオンを注入し、高濃度不純物層２２を形成することができる。 - 特許庁

To easily execute the extraction of impurity density distribution at a high speed from the electric characteristics of a MOS FET at the time of extracting the impurity density distribution in the horizontal direction of the channel surface of the MOS FET.例文帳に追加

MOS FET のチヤネル表面の横方向における不純物濃度分布を抽出する際、MOS FET の電気的特性から不純物濃度分布の抽出を高速かつ簡便に実行する。 - 特許庁

A base region BA of the bipolar transistor BT has a p-type impurity density higher than the n-type impurity density of the n-channel forming region NC of the p-MOS transistor PT.例文帳に追加

バイポーラトランジスタＢＴのベース領域ＢＡは、ｐＭＯＳトランジスタＰＴのｎ^-チャネル形成領域ＮＣのｎ型の不純物濃度よりも高いｐ型の不純物濃度を有している。 - 特許庁

The impurity density of a second diffusion region constituting the first ballast resistance 4 is lower than the impurity density of a fourth diffusion region constituting the second ballast resistance 6.例文帳に追加

第１バラスト抵抗４を構成する第２拡散領域の不純物濃度は、第２バラスト抵抗６を構成する第４拡散領域の不純物濃度よりも低濃度にされている。 - 特許庁

Thus, the continuity of the impurity regions between the impurity region 172 and the impurity region 171 being a low density extension region can be ensured, and the electric connection can be stabilized.例文帳に追加

これにより、不純物領域１７２と低濃度エクステンション領域である不純物領域１７１相互間の不純物領域の連続性が確保され、電気的接続が安定化する。 - 特許庁

To make steep impurity density distribution in a channel direction, in an extension region.例文帳に追加

エクステンション領域におけるチャネル方向の不純物濃度分布を急峻にすることができる。 - 特許庁

The source and drain regions 14a, 14b have practically the same shape and the same impurity density.例文帳に追加

各ソース，ドレイン領域１４ａ，１４ｂは実質的に同等の形状及び不純物濃度である。 - 特許庁

Namely, the shape of the gate electrode 12d need not be changed between the forming stages of the low-density impurity layer 21 and high-density impurity layer 22, so the electrode forming stage can be shortened.例文帳に追加

つまり、ゲート電極１２ｄの形状を低濃度不純物層２１と高濃度不純物層２２の形成工程で変更する必要がないので、電極形成工程を短縮することができる。 - 特許庁

The infrared light block layer 3c includes a high density impurity doping layer which is doped with a high density impurity (for example, boron, etc.) (i.e. the infrared light block layer 3c is formed in the base portion 3b).例文帳に追加

赤外線阻止層３ｃは、不純物（例えば、ボロンなど）が高濃度ドーピングされた高濃度不純物ドーピング層により構成してある（つまり、赤外線阻止層３ｃをベース部３ｂ内に形成してある）。 - 特許庁

Then, the controller 30 controls the fuel electrode exit valve 13 to be opened when impurity density Dn in a presumed fuel electrode becomes larger than upper limit impurity density Ds.例文帳に追加

そして、コントローラ３０は、推定された燃料極における不純物濃度Ｄｎが上限不純物濃度Ｄｓよりも大きくなった場合、燃料極出口バルブ１３を開状態に制御する。 - 特許庁

Impurity density of the surface of the wafer may be 1×10^11 atoms/cm^2 or less.例文帳に追加

また、当該ウェハの表面の不純物密度を１×１０^11ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以下とすればよい。 - 特許庁

The impurity density of the collector well region 44 is lower than those of the collector regions 46, 48.例文帳に追加

コレクタウェル領域４４の不純物濃度は、コレクタ領域４６，４８の不純物濃度よりも薄い。 - 特許庁

The impurity density of the p-type body regions 14 is 5×10^16 cm^-3 or more.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域１４における不純物密度は５×１０^１６ｃｍ^−３以上となっている。 - 特許庁

In the channel region 111, an impurity density in a first region near the drain region 107 is lower than an impurity density in a second region other than the first region in the channel region 111.例文帳に追加

チャネル領域１１１において、ドレイン領域１０７近傍の第１領域における不純物濃度は、チャネル領域１１１における第１領域以外の第２領域における不純物濃度に比べて低い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a semiconductor wafer having a check element capable of electrically and easily detecting low-density impurity contamination below a high-density impurity region in a process of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、高濃度不純物領域下の低濃度不純物汚染を電気的に容易に検出することができるチェック素子を有する半導体装置及び半導体ウェハを提供する。 - 特許庁

When the density of impurities is lower than a first threshold, a controller 30 allows stoppage of idling, and prohibits the idling when the density of the impurity exceeds the threshold.例文帳に追加

コントローラ３０は、この不純物濃度が第１閾値以下である場合、アイドルストップを許可し、不純物濃度が第１閾値を超えた場合、アイドルストップを禁止する。 - 特許庁

At that time, impurity for imparting one conductivity is not doped to the semiconductor layer 14, and impurity for one conductivity is doped to the semiconductor layer 15 at high density.例文帳に追加

この際、半導体層(14)には一導電型を付与する不純物を添加せず、半導体層(15)には一導電型を付与する不純物を高濃度に添加する。 - 特許庁

In this layer structure, a p-type impurity density at the area near the hetero interface of the interface 1 is specified as follows.例文帳に追加

この層構成において、界面１のヘテロ界面近傍のｐ型不純物密度を以下のように規定する。 - 特許庁

Impurity concentration in the plating film can be set by controlling a current density, a plating temperature and a liquid composition.例文帳に追加

めっき膜中の不純物濃度は電流密度、めっき温度、液組成などにより設定することができる。 - 特許庁

In the drain area 24, a drain 11d is formed having larger impurity density than the drain area 24.例文帳に追加

ドレイン領域２４内にドレイン領域２４よりも濃い不純物濃度をもつドレイン１１ｄが形成されている。 - 特許庁

EXTRACTION METHOD AND EXTRACTION DEVICE FOR IMPURITY DENSITY DISTRIBUTION WITHIN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND EXTRACTION PROGRAM RECORDING MEDIUM例文帳に追加

半導体基板内不純物濃度分布の抽出方法、抽出装置および抽出プログラム記録媒体 - 特許庁

The p-type impurity density in the p-type body regions 4 is more than or equal to 5×10^16 cm^-3.例文帳に追加

そして、ｐ型ボディ領域４におけるｐ型不純物密度は５×１０^１６ｃｍ^−３以上である。 - 特許庁

A thickness and impurity density of an I layer 32I (channel region, semiconductor layer) of a photo detector 3 and a thickness and impurity density of an I layer 22I (channel region, semiconductor layer) of a TFT element 2 are nearly identical to each other.例文帳に追加

光検出素子３におけるＩ層３２Ｉ（チャネル領域，半導体層）と、ＴＦＴ素子２におけるＩ層２２Ｉ（チャネル領域，半導体層）とにおいて、それらの厚みおよび不純物濃度がそれぞれ互いに略等しくなっている。 - 特許庁

An n^--type impurity is doped in the gate oxide film to provide a high performance structure having a low surface level density, a low fixed charge density and a high reliability.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜中にＮ型不純物がドーピングされるようにして、界面準位密度や固定電荷密度の低い信頼性が高く、高性能な構造とする。 - 特許庁

The high-density pressed solid material having a relative density of ≥70% of the high-temperature superconducting substance with less impurity is obtained by pressing using a shock wave.例文帳に追加

衝撃波を用い圧縮することで、相対密度が７０％以上の不純物の少ない高温超伝導物質の高密度圧縮固形材料を得る。 - 特許庁

The impurity density of the unidirectionally conductive semiconductor substrate is lower than usual.例文帳に追加

また、本願発明は、一導電型半導体基板の不純物濃度を通常よりも低くしておくことを特徴とする。 - 特許庁

A first conductive type impurity region is formed below the first terminal 11c, and a high-density second conductive type impurity region is formed below the second terminal 11b.例文帳に追加

第１端子１１ｃの下には第１導電型不純物領域が形成されており、第２端子１１ｂの下には、高濃度第２導電型不純物領域が形成されている。 - 特許庁

To provide technology for forming a plurality of impurity regions having mutually-different depths to a peak position of impurity density in a semiconductor substrate with small man hours compared with the conventional art.例文帳に追加

不純物濃度のピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を半導体基板内に従来よりも少ない工数で形成するための技術を提供する。 - 特許庁

Apart from an n-type collector layer 24, a p^- -type impurity area 31 is formed which has lower impurity density than a p-type base layer 21 while connected to the p-type base layer 21.例文帳に追加

ｎ型コレクタ層２４と離間した位置に、ｐ型ベース層２１に接続した状態でｐ型ベース層２１より不純物濃度の低いｐ^−型不純物領域３１を形成する。 - 特許庁

The well 58 has a 1st peak of impurity density in an area deeper than the pocket area 40 and shallower than the bottom of the source/drain area 60 and also has a 2nd peak of impurity density in an area of the source/drain area 60 in the vicinity of the bottom.例文帳に追加

ウェル５８は、ポケット領域４０よりも深くソース／ドレイン領域６０の底部よりも浅い領域に不純物濃度の第１のピークを有し、ソース／ドレイン領域６０の底部近傍の領域に不純物濃度の第２のピークを有する。 - 特許庁

Moreover, the impurity density of the fourth semiconductor layer 107 is configured to be greater than that of the second region 106, and the impurity density of the second semiconductor layer 103 is configured to be greater than that of the first region 105 and smaller than that of the first semiconductor layer 102.例文帳に追加

さらに、第４半導体層１０７の不純物濃度を第２領域１０６以上にするとともに、第２半導体層１０３の不純物濃度を第１領域１０５以上にし、第１半導体層１０２よりも小さく設定する。 - 特許庁

In a varactor part 11a, an anode electrode 104a is formed in the emitter intermediate layer 53 with high impurity density, and a cathode electrode 105a is formed on the emitter layer 51 with low impurity density to constitute a diode with hyperabrupt junction structure.例文帳に追加

バラクタ部１１ａにおいては、高不純物濃度のエミッタ中間層５３にはアノード電極１０４ａが、一方、低不純物濃度のエミッタ層５１の上にはカソード電極１０５ａが形成され、超階段接合構造のダイオードを構成している。 - 特許庁