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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 専門用語対訳辞書 > impurity effectの意味・解説 

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Weblio専門用語対訳辞書での「impurity effect」の意味

impurity effect

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「impurity effect」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 134



例文

The junction gate field effect transistor comprises n-type source impurity region 3 and drain impurity region 4 connected with the opposite sides of an n-type channel forming impurity region 2, and p-type gate impurity region 6 and gate electrode 9 formed in the surface side region in the channel forming impurity region 2.例文帳に追加

たとえばn型のチャネル形成不純物領域2の一方と他方に接続したn型のソース不純物領域3とドレイン不純物領域4、チャネル形成不純物領域2内の表面側領域に形成されたp型のゲート不純物領域6およびゲート電極9を有する。 - 特許庁

It is basically to dislike and eliminate the muck (impurity) that has a harmful effect on the living space.発音を聞く 例文帳に追加

基本的に生活圏に悪影響を及ぼすケガレを嫌い排除する事である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To facilitate impurity diffusion or doping into diamond and to increase a doping effect.例文帳に追加

ダイヤモンドへの不純物拡散あるいはドーピングを容易し、ドーピング効果を高める。 - 特許庁

To provide a method for removing a metal-containing material having high impurity removing effect.例文帳に追加

高い不純物除去効果を有する金属含有物除去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can eliminate the adverse effect due to impurity diffusion from a buffer layer to a carrier layer.例文帳に追加

バッファ層からキャリア層への不純物拡散による悪影響を排除することができる。 - 特許庁

To enhance the operability of a carboxylic acid synthesizing process and to improve impurity removing effect.例文帳に追加

カルボン酸合成プロセスの操作性を高め、不純物除去効果を改良する。 - 特許庁

例文

This impurity region 104 suppresses the spread of a drain side depletion layer, and causes a narrow channel effect to prevent the short channel effect.例文帳に追加

この不純物領域104がドレイン側空乏層の広がりを抑え、かつ、狭チャネル効果を起こして短チャネル効果を防止する。 - 特許庁

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「impurity effect」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 134



例文

To provide a heat treatment apparatus and a heat treatment method, with which the effect of impurity is hardly exerted upon a material to execute the heat treatment even in the case impurity source in a furnace which can exert adverse effect upon the material to execute the heat treatment.例文帳に追加

被熱処理物に悪影響を及ぼし得る不純物源が炉内に存在する場合でも、その不純物の影響が被熱処理物に及びにくい熱処理装置および熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a unified model such that a low impurity concentration region to a high impurity concentration region are widely handled by deriving a general minimum scatter angle in a system taking screening effect into consideration, with respect to an impurity scatter evaluating method and a device simulator.例文帳に追加

不純物散乱評価方法及びデバイスシミュレータに関し、スクリーニング効果も考慮した系において、汎用的な最小散乱角を導出することで、低不純物濃度領域から高不純物濃度領域まで幅広く扱える統一モデルを構築する。 - 特許庁

Relating to the high-concentration impurity regions 112, 122, 132, and 142, one end contacts to the end of the low-concentration impurity regions 121, 131, and 141, while the other end contacts the impurity region of other elements (field effect transistor, other resistive elements, or the like).例文帳に追加

高濃度不純物領域112,122,132,142は、一方の端部が低濃度不純物領域121,131,141の端部に接し、且つ、他方の端部が他の素子(電界効果トランジスタ、他の抵抗素子等)の不純物領域と接する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sample for measuring the impurity distribution of a semiconductor capable of reducing the effect of the damage applied to a semiconductor sample and capable of acquiring the sharper data related to the impurity distribution, and a measuring method of the impurity distribution.例文帳に追加

半導体試料に加えられるダメージの影響の低減が可能で、より鮮明な不純物濃度分布に関する情報を取得することが可能な半導体の不純物分布測定用試料の製造方法および不純物分布測定方法を提供すること。 - 特許庁

Subsequently, the effect of reduction of the impurity concentration within the channel due to a channel length is evaluated using an analytic model formula and the ratio (r) of a residual impurity concentration within the channel in the proposed gate length to the impurity concentration within the channel on the side of a long channel is found (step 102).例文帳に追加

続いて、チャネル長によりチャネル不純物濃度が減少する効果を、解析的モデル式を用いて評価し、目的とするゲート長における残留チャネル不純物濃度と長チャネル側でのチャネル不純物濃度の比rを求める(ステップ102)。 - 特許庁

To provide a microscopic transistor and its manufacturing method that uniformly distributes impurity ion across an impurity region, and effectively prevents a short channel effect.例文帳に追加

不純物領域に不純物イオンを均一に分布させ、効果的にショートチャネル効果を防止する微細なトランジスター及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the metal impurity is removed from the relevant substrate because the surface area of the substrate is etched and thereby the metal impurity is captured with the chelate effect of the CyDTA.例文帳に追加

この場合、基板の表面部がエッチングされることにより金属不純物が当該基板から除去され、そして金属不純物はCyDTAのキレート作用により捕獲される。 - 特許庁

例文

After a field effect transistor 31 is formed, impurity ions are implanted diagonally to a substrate surface so that a peak Dp in concentration of the impurity ion is at a position deeper than that of a channel region.例文帳に追加

電界効果トランジスタ31を形成したのち、不純物イオンの濃度のピークD_P がチャネル領域33よりも深い位置にくるように、基板面に対して斜め方向から不純物イオンを注入する。 - 特許庁

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