impurity elementsとは 意味・読み方・使い方

This can form the first metal film with different density of the impurity elements.例文帳に追加

これにより、不純物元素濃度の異なる第１の金属膜を基板上に形成できる。 - 特許庁

It is preferable that 20 wt.% or higher of the impurity elements exists in grain boundaries portions.例文帳に追加

ここで、前記不純物元素の２０wt％以上が粒界部に存在するのが好ましい。 - 特許庁

To abolish the use of halogen elements which generate dioxins, etc., upon refining molten metal of aluminum and aluminum alloys and removing impurity elements.例文帳に追加

アルミニウムおよびアルミニウム合金溶湯の脱不純物元素精錬において、ダイオキシン等の発生源となるハロゲン系元素の不使用化を図る。 - 特許庁

To provide a method of analyzing rhodium and/or indium-containing materials for impurity elements by which the materials can be analyzed easily for impurity elements by causing little environmental pollution with reagents, utensils, etc.例文帳に追加

ロジウムやイリジウム含有物中に含まれる不純物元素の分析方法に係り、上記の不純物元素を試薬や器具による環境汚染等が少なく且つ簡便に分析することのできる汎用的な分析方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon refining method and device capable of removing both impurity elements of phosphorus, antimony or the like and impurity elements of boron, carbon or the like by using only an electron beam in the same chamber.例文帳に追加

同一の真空チャンバ内で、電子ビームのみを用いて、リン、アンチモン等の不純物元素と、ボロン、炭素等の不純物元素の両方を除去できるシリコンの精錬方法及び装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this manufacturing method, an impurity region, where dilute gas elements are added is made in a semiconductor film, and gettering for segregating the metallic elements contained in the semiconductor film is performed for the above impurity region by laser annealing.例文帳に追加

本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、レーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。 - 特許庁

Subsequently, the second metal film that lies in a wiring formation region to which the impurity elements should be added is left, while the second metal film that lies in a wiring formation region to which no impurity elements need to be added is partially removed (step S3).例文帳に追加

次いで、不純物元素を添加すべき配線の形成領域にある第２の金属膜は残し、不純物元素の添加が不要な配線の形成領域にある第２の金属膜を部分的に除去する（ステップＳ３）。 - 特許庁

Among the impurity elements, preferably, the content of Fe is controlled to ≤0.1%, Cr to≤0.04% and Mn to ≤0.04%, and furthermore, the total of the impurity elements other than Fe, Cr and Mn is preferably controlled to ≤0.1%.例文帳に追加

不純物元素の内、Ｆｅ：０．１％以下、Ｃｒ：０．０４％以下、Ｍｎ：０．０４％以下とすることが好ましく、さらにはＦｅ、Ｃｒ、Ｍｎ以外の不純物元素の総和を０．１％以下に止めることが好ましい。 - 特許庁