impurity-inducedとは 意味・読み方・使い方

A second gate electrode 20 is provided on the second surface 14b via a second gate insulating film 21 so that one side of a second inversion layer 24 induced by application of a second gate voltage Vg2 contacts the second impurity region 16, and the other side is spaced apart from the first impurity region 15.例文帳に追加

第２ゲート電極２０は、第２ゲート絶縁膜２１を介して第２の面１４ｂに、第２ゲート電圧Ｖｇ２が印加されると生じる第２反転層２４の一側が第２不純物領域１６に接触し、他側が第１不純物領域１５から離間するように配設されている。 - 特許庁

A first gate electrode 18 is provided on the first surface 14a via a first gate insulating film 19 so that one side of a first inversion layer 23 induced by application of a first gate voltage Vg1 contacts the first impurity region 15, and the other side is spaced apart from the second impurity region 16.例文帳に追加

第１ゲート電極１８は、第１ゲート絶縁膜１９を介して第１の面１４ａに、第１ゲート電圧Ｖｇ１が印加されると生じる第１反転層２３の一側が第１不純物領域１５に接触し、他側が第２不純物領域１６から離間するように配設されている。 - 特許庁

Impurity (condensate, particulate matter and the like) contained in EGR gas is separated from gas component in the EGR gas by using centrifugal force induced by turning flow of the EGR gas.例文帳に追加

そして、ＥＧＲガスの旋回流により、ＥＧＲガス中に含まれる不純物（凝縮水や微粒子物質等）がその遠心力を利用してＥＧＲガス中のガス成分より分離する。 - 特許庁

Thereby, impurity gas can be removed from air flowing into the storage apparatus, which can significantly decrease the number of foreign matters depositing on the reticle and can suppresses defects induced when a pattern is formed on a wafer by using the reticle.例文帳に追加

よって、保管装置内に流入する空気から不純物ガスを除去することが出来るため、レチクル上に発生する異物の数が著しく低減され、ウェハ上にレチクルを用いてパターン形成する際に発生する欠陥を抑制することが出来る。 - 特許庁

To realize the stable maintenance of plasma discharge, and to prevent the inclusion of the impurity into the film due to etching of the constituent disposed within the discharge space induced by the collapse of the stability of the plasma discharge, in an apparatus for forming a thin film, in particular an insulated film, on a substrate, using sputtering phenomenon.例文帳に追加

スパッタリング現象を用いて基板に薄膜、特に絶縁膜を形成する装置において、プラズマ放電の安定維持の実現、およびプラズマ放電の安定性が崩れることによって引き起こされる放電空間内に配置された構成物のエッチングによる不純物の膜中への混入を防止する。 - 特許庁

When at least an AlGaInP clad layer 5, a GaInP intermediate layer 6 and a GaAs contact layer 7 are made to continuously grow as gaseous phases on a substrate heated by a heater, the GaP composition ratio of the GaInP intermediate layer 6 is reduced stepwise or continuously, by increasing the induction quantity of Zn to be induced by impurity gas, without changing the flow rate of a material gas.例文帳に追加

ヒータにより加熱された基板上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ＧａＩｎＰ中間層６、ＧａＡｓコンタクト層７を連続的に気相成長させるに際し、不純物ガスにより導入されるＺｎの導入量を増加させることにより、原料ガスの流量を変化させないで、上記ＧａＩｎＰ中間層６のＧａＰ組成比を段階的または連続的に低下させる。 - 特許庁

A thin insulating layer are sandwiched between a substrate of semiconductor containing no impurity and a metal layer in contact with each other, a voltage is applied between the semiconductor and the metal layer so that the metal layer becomes negative, and a hole is induced in a thin layer just below an interface of the semiconductor on the interface of the insulating layer and semiconductor to produce the superconductivity by hole conduction due to hole inducement.例文帳に追加

不純物を含まない半導体の基板と金属層との間に薄い絶縁層を接触挟持させ、更に半導体と金属層の間に金属層を負になるように電圧をかけ、絶縁層と半導体の境界面に於いて、半導体の境界面直下の薄い層内にホールを誘起させ、ホール誘起によるホール伝導で超伝導を出現させる。 - 特許庁