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impurity effectsとは 意味・読み方・使い方
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「impurity effects」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
To obtain an organic electroluminescence (EL) element for suppressing the adverse effects of impurity mixed during formation of a function layer film and those of impurity that are generated when electric power is supplied to the functional layer.例文帳に追加
機能層の成膜中に混入する不純物、および機能層に通電することにより生じる不純物の影響を抑制できる有機ＥＬ素子を得る。 - 特許庁
To prevent adverse effects due to intrusion of impurity ions in a semiconductor device using a two-dimensional electron gas (2DEG) as a channel.例文帳に追加
２ＤＥＧをチャンネルとして用いる半導体装置において、不純物イオンの侵入による悪影響を排除する。 - 特許庁
To improve oxygen plasma resistance, mechanical strength, heat diffusion efficiency, hygroscopicity/moisture permeability, heat resistance and barrier effects with respect to impurity diffusion.例文帳に追加
酸素プラズマ耐性、力学的強度、熱拡散効率、吸湿性・透湿性、耐熱性、不純物拡散に対するバリア効果を向上させること。 - 特許庁
Thus, the impurity layer is continuously irradiated with the pulses 10a and 10b so that effects similar to those to be obtained when the impurity layer is irradiated with a simple pulse whose half width is long can be obtained, and that high activation rate can be realized from the shallow region to deep region of the impurity layer.例文帳に追加
このようにパルス１０ａ，１０ｂを連続して不純物層に照射することにより、半値幅の長い単パルスを不純物層に照射したのと同様の効果が得られ、不純物層の浅い領域から深い領域まで高活性化率を実現できる。 - 特許庁
A beam structure 4 made from impurity diffusion polysilicon is supported to face an opening part 3 formed on a support substrate 2 and is displaced corresponding to effects by acceleration in the Z axis direction which is orthogonal to the main surface of the support substrate 2.例文帳に追加
不純物拡散ポリシリコン製の梁構造体４は、支持基板２に形成された開口部３に臨むように支持され、その支持基板２の主表面と直交するｚ軸方向への加速度の作用に応じて変位する。 - 特許庁
To provide a method and apparatus for analyzing a gas component derived from living body, which enables a reduction of the performance effects of the impurity removal of a clean air supplying unit (air purifying unit) and of conducting the analysis of a gas component derived from living body with reduced steps.例文帳に追加
清浄空気供給手段（空気純化手段）の不純物除去の性能の影響を少なくすると共に、生体由来ガス成分の分析を少ない手順で実行することが可能な生体由来ガス成分分析方法及び分析装置を提供する。 - 特許庁
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「impurity effects」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
To easily identify the causes of faults of semiconductor manufacturing and their sources, when some sort of anomalous changes on wafers are observed, by simultaneously analyzing impurities in ultrapure water and determining the degree of effects (impurity attachment, surface alteration, etc.) to substrates by the same water.例文帳に追加
超純水の不純物分析と、同じ水による基板への影響度（不純物付着、表面変質等）を同時に実施することにより、ウエハ上に通常と異なる何らかの変化が見られた際に、半導体製造上の不具合の原因及びその発生源の解明を容易にする。 - 特許庁
In this case, the thickness of the materials of each barrier layer 21 and quantized well layer 22 is selectively set so that electrons can be transmitted through the barrier layers by tunnel effects, and a quantization level due to the impurity of the quntized well layers 22 and the X level of the barrier layers 21 can be turned into resonance states by a prescribed bias voltage.例文帳に追加
障壁層２１と量子井戸層２２の各材料と各厚さを、電子が障壁層２１をトンネル効果により通過可能でありかつ量子井戸層２２の不純物による量子準位と障壁層２１のＸ準位とが所定のバイアス電圧で共鳴状態となるように選択的に設定される。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a polymer electrolyte fuel cell that achieves improvement of hydrogen peroxide resistance, and restraint of performance degradation caused by decrease of impurity ion with Fenton activity as well as elution of precious metal elements, and that sustains these effects for a long period of time.例文帳に追加
過酸化水素耐性の向上、フェントン活性を有する不純物イオンの低減及び貴金属元素の溶出に起因する性能低下の抑制を同時に解決することが可能であり、しかもこれらの効果を長期間に渡って持続させることが可能な固体高分子型燃料電池の製造方法を提供すること。 - 特許庁
When ions are injected into a channel area so as to suppress short-channel effects, one or both of depletion NMOS transistor 4 and an enhanced NMOS transistor 5 constituting the depletion MOS reference voltage circuit are shielded by a mask to prevent impurity ions from being injected into them, and consequently one or both of the depletion NMOS transistor 4 and enhanced NMOS transistor 5 do not have a punch-through stopper layer.例文帳に追加
チャネル領域に短チャネル効果を抑制するためのイオン注入をおこなう際に、デプレッションＭＯＳ基準電圧回路を構成するデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ４およびエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタ５の一方または両方をマスクによって遮蔽してそれらに不純物イオンが注入されるのを防ぎ、それによってそれらデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ４およびエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタ５の一方または両方がパンチスルーストッパー層を有しない構成とする。 - 特許庁
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